《光学光刻和极紫外光刻》

《光学光刻和极紫外光刻》是一本最新的光刻技术专著，内容涉及该领域的各个重要方面。在介绍光刻技术应用上，涵盖了全面又丰富的内容；在论述光刻技术的物理机制和数学模型时，采用了完整而不繁琐的方法，增加了可读性。本书在系统地阐述了光学光刻技术的基本内容后，还专门开辟章节，介绍了最先进的极紫外光刻技术的特点和难点，揭示了极紫外光刻的技术奥秘。本书具有全面、完整、翔实和新颖的特点，它凝聚了作者三十多年光刻领域科研和教学的精华。 VMtR4!:q  
Gm.v-T$  
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N8mK^{  
第1章光刻工艺概述 t$UFR7XE  
1.1微型化：　从微电子到纳米技术_1 2Jj`7VH>  
1.2光刻技术的发展史_3 -G*u2i_*  
1.3投影光刻机的空间成像_5 ][0HJG{{g  
1.4光刻胶工艺_10 F]YPq  
1.5光刻工艺特性_12 =#>P!  
1.6小结_18 ZY]
[LU~l8  
参考文献_18 Uvz9x"0[u  
2poU\
|H  
第2章投影光刻的成像原理 3btciR!N]  
2.1投影光刻机_20 E>7%/TIl  
2.2成像理论_21 RNIfw1R  
2.2.1傅里叶光学描述_21 Y3-15:-  
2.2.2倾斜照明与部分相干成像_26 %`gqV9a  
2.2.3其他成像仿真方法_30 U(i2j)|^I3  
2.3阿贝瑞利准则及其影响_30
cLB"<mG  
2.3.1分辨率极限和焦深_31 T>LtN  
2.3.2影响_36 Xv'64Nc!;  
2.4小结_39 qP]Gl--q{  
参考文献_39
tU?lfU[7  
5a_K|(~3I  
第3章光刻胶 OO\UF6MCU  
3.1光刻胶概述、常规反应原理和现象学描述_42 '3<YZWS  
3.1.1光刻胶的分类_42 ,',fO?Qv'  
3.1.2基于重氮萘醌的光刻胶_45 V:l; 2rW  
3.1.3先进的正型化学放大光刻胶_46 jPbL3"0A&  
3.1.4现象学模型_48 4\-kzGgmo  
3.2光刻胶工艺步骤和建模方法_50 2>s:wABb /  
3.2.1技术方面_50 wGbD%=  
3.2.2曝光_51 \WZ00Y,*  
3.2.3曝光后烘焙_54 mk[=3!J  
3.2.4化学显影_58 &uk?1Z#j  
3.3建模方法和紧凑光刻胶模型概述_61 sy]
1Ba%  
3.4负型与正型光刻胶材料和工艺_65 EI/_=.d  
3.5小结_68 "_5av!;A g  
参考文献_69 $r_z""eOc  
NEK;'"~  
第4章光学分辨率增强技术 VpJ
2Qpd=  
4.1离轴照明_74 &;C|=8eB  
4.1.1线空图形的最佳离轴照明形态_76 Yz{UP)TC  
4.1.2接触孔阵列的离轴照明_78 WI~';dK2]  
4.1.3从传统/参数化的照明形态到自由照明形态_80 PRf2@0
ZV  
4.2光学邻近效应校正_81 "$m3xO  
4.2.1孤立密集线宽偏差补偿_82 @dO~0dF  
4.2.2线端缩短补偿_84 +fKL

Czj  
4.2.3从基于规则到基于模型的OPC和反演光刻技术_85 1k "*@Z<  
4.2.4OPC模型和工艺流程_88 f$/Daq <M  
4.3相移掩模_89 *jDzh;H!w  
4.3.1强相移掩模：　交替型相移掩模_90 Ee4oTU5Mb  
4.3.2衰减型或弱相移掩模_97 _D z4}:9  
4.4光瞳滤波_100 QvqX3FU  
4.5光源掩模协同优化_102 [j:%O|h  
4.6多重曝光技术_106 {AQ3y,sh  
4.7小结_109 :@kSDy+*Q  
参考文献_110 M|76,2u   
j63w(Jv/  
第5章材料驱动的分辨率增强 o
3%Gc/6%  
5.1分辨率极限的回顾_115 C;STJrew  
5.2非线性双重曝光_119 ? NVN&zD]  
5.2.1双光子吸收材料_119 C2bN<K  
5.2.2光阈值材料_120 L# (o(4g2  
5.2.3可逆对比增强材料_121 Qs</.PO  
5.3双重和多重成形技术_124 kjjO<x?&*  
5.3.1光刻刻蚀光刻刻蚀_124 VxaJ[s3PQ&  
5.3.2光刻固化光刻刻蚀_125 Pm V:J9  
5.3.3自对准双重成形_126 zq(AN<  
5.3.4双色调显影_127 q[**i[+%  
5.3.5双重和多重成形技术的选项_128 }0c'hWMZ}  
5.4定向自组装_129 >CNH=  
5.5薄膜成像技术_133 ~?S/0]?c  
5.6小结_135 LXfDXXF  
参考文献_135 \vojF\  
:C>slxY  
第6章极紫外光刻 mWCY%o@  
6.1EUV光源_141 bi[vs|  
6.2EUV和多层膜中的光学材料特性_143 Z*x Q"+
\  
6.3EUV掩模_146 @k~Xem%<  
6.4EUV曝光设备和图像形成_151 zJXU>'obe  
6.5EUV光刻胶_156 #L[Atx  
6.6EUV掩模缺陷_157 -=2tKH`Q  
6.7EUV光刻的光学分辨率极限_161 ,in`JM<o  
6.7.16.xnm波长的超极紫外光刻_162 $)z(4Ev  
6.7.2高数值孔径EUV光刻_162 *|ubH?71%Y  
6.7.3低k1技术：　EUV光刻的光学分辨率增强技术_166 ~B|K]&/]  
6.8小结_167 ,Q2`N{f  
参考文献_168 dk-Y!RfNx  
D+#QQH  
第7章投影成像以外的光刻技术 kf.w:X"i  
7.1非投影式光学光刻：　接触式和接近式光刻_176 ]KLjQpd  
7.1.1图像形成和分辨率限制_176 [y64%|m  
7.1.2技术实现_179 7s1FJm=Y/  
7.1.3先进的掩模对准光刻_182 y kwS-e  
7.2无掩模光刻_186 PzNk:O  
7.2.1干涉光刻_186 @6(4}&sEdm  
7.2.2激光直写光刻_189 .@.O*n#K  
7.3无衍射限制的光刻_194 m".8-
 
7.3.1近场光刻_195 Rw=gg>\  
7.3.2利用光学非线性_198 &mp=jGR  
7.4三维光刻_203 @e3O=_m-  
7.4.1灰度光刻_203 wHAoO#`wn5  
7.4.2三维干涉光刻_205 $yLsuqB}  
7.4.3立体光刻和三维微刻印_206
[*]&U6\j  
7.5浅谈无光刻印_209 Nz\=M|@(#  
7.6小结_210 o
-yZ$+V  
参考文献_211 ;| )&aTdH  
J*5)g  
第8章光刻投影系统：　高级技术内容 o.*8$$  
8.1实际投影系统中的波像差_220 }&bO;o&>  
8.1.1波像差的泽尼克多项式表示_221 josc  
8.1.2波前倾斜_226 @y2{LUJe  
8.1.3离焦像差_226 Mx4 <F "9  
8.1.4像散_228 +MvcW.W~  
8.1.5彗差_229 >01&3-r  
8.1.6球差_231 )Gh"(]-<  
8.1.7三叶像差_233 `XE8[XY  
8.1.8泽尼克像差小结_233 iQ~;to;Y  
8.2杂散光_234 ~K&ko8  
8.2.1恒定杂散光模型_235 4'RyD<K\  
8.2.2功率谱密度（PSD）杂散光模型_236 *G7/  
8.3高数值孔径投影光刻中的偏振效应_239 "6
[fqW65  
8.3.1掩模偏振效应_240 a;r,*zZ="  
8.3.2成像过程中的偏振效应_241 j;WZ[g#t  
8.3.3光刻胶和晶圆堆栈界面的偏振效应_243 [z'PdYQR/{  
8.3.4投影物镜中的偏振效应和矢量成像模型_246 " ;8H;U`  
8.3.5偏振照明_248 |$f.Qs~?  
8.4投影光刻机中的其他成像效应_250 >;-.rJFr
 
8.5小结_250 ifHQ2Ug9  
参考文献_251 ?>92OuG%W?  
5 <X.1T1  
第9章光刻中的掩模和晶圆形貌效应 >TK:&V  
9.1严格电磁场仿真的方法_256 +fBbW::R^  
9.1.1时域有限差分法_257 ,9SBGxK5`  
9.1.2波导法_260 =aX;-
 
9.2掩模形貌效应_262 \fj*.[,  
9.2.1掩模衍射分析_263 |08b=aR6ro  
9.2.2斜入射效应_266 AqM}@2#%%  
9.2.3掩模引起的成像效应_268
JPJ&k(P  
9.2.4EUV光刻中的掩模形貌效应及缓解策略_272 zy^t95/m  
9.2.5各种三维掩模模型_277 P|`pJYe  
9.3晶圆形貌效应_279 yr8 b?m.x  
9.3.1底部抗反射涂层的沉积策略_279 4! ]28[2B6  
9.3.2靠近栅极的光刻胶底部残余_281 "#Qqwsw7  
9.3.3双重成形技术中的线宽变化_282 X,D
G2HT  
9.4小结_283 j>Ce06G  
参考文献_283 #fk#RNt  
l6]:Zcd0  
第10章先进光刻中的随机效应 >1q W*  
10.1随机变量和过程_288 !~#zH0#  
10.2现象_291 (1Q G]1q  
10.3建模方法_294 VJviX[V?4  
10.4依存性及其影响_297 r{R879  
10.5小结_299 X` r~cc  
参考文献_299 YGFE(t;lPU  
专业词汇中英文对照表 %xv }  
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