《光学光刻和极紫外光刻》

《光学光刻和极紫外光刻》是一本最新的光刻技术专著，内容涉及该领域的各个重要方面。在介绍光刻技术应用上，涵盖了全面又丰富的内容；在论述光刻技术的物理机制和数学模型时，采用了完整而不繁琐的方法，增加了可读性。本书在系统地阐述了光学光刻技术的基本内容后，还专门开辟章节，介绍了最先进的极紫外光刻技术的特点和难点，揭示了极紫外光刻的技术奥秘。本书具有全面、完整、翔实和新颖的特点，它凝聚了作者三十多年光刻领域科研和教学的精华。 0Bk-)z|V  
}qR6=J+Dx  
DPkH:X  
K)^8 :nt  
&}t8O?!  
第1章光刻工艺概述 =ui3I_*)  
1.1微型化：　从微电子到纳米技术_1 _M^^0kf  
1.2光刻技术的发展史_3 ay#f\P!1  
1.3投影光刻机的空间成像_5 h^,av^lg^  
1.4光刻胶工艺_10 =&<d4'(Qk  
1.5光刻工艺特性_12 *m2?fP\  
1.6小结_18 T^A[m0mk  
参考文献_18 bn7g!2  
M@Ti$=  
第2章投影光刻的成像原理 pK ^$^*#  
2.1投影光刻机_20 Mcq!QaO}&  
2.2成像理论_21 [NV/*>"j&  
2.2.1傅里叶光学描述_21 //RD$e?h~  
2.2.2倾斜照明与部分相干成像_26 *U$%mZS]1  
2.2.3其他成像仿真方法_30 8c>xgFWp9  
2.3阿贝瑞利准则及其影响_30 Vt,P.CfdC  
2.3.1分辨率极限和焦深_31 Xkk 8#Y
":  
2.3.2影响_36 ;%k C?Vzi  
2.4小结_39 D]5j?X'  
参考文献_39 YI`BA`BQ8  
xo2jfz  
第3章光刻胶 5tk7H2K^<  
3.1光刻胶概述、常规反应原理和现象学描述_42 <8YvsJ  
3.1.1光刻胶的分类_42 h lSav?V_  
3.1.2基于重氮萘醌的光刻胶_45 F%.UpV,  
3.1.3先进的正型化学放大光刻胶_46 { `xC~B h  
3.1.4现象学模型_48 #hk5z;J5
 
3.2光刻胶工艺步骤和建模方法_50 ^Pah\p4bj  
3.2.1技术方面_50 `Y^l.%AZZ  
3.2.2曝光_51 +(W7hK4ip  
3.2.3曝光后烘焙_54 3`)ej`  
3.2.4化学显影_58 c`/=)IO4%  
3.3建模方法和紧凑光刻胶模型概述_61 oS}fr?  
3.4负型与正型光刻胶材料和工艺_65 9Q*:II  
3.5小结_68 i52JY&N  
参考文献_69 >UV}^OO  
4?bvJJuf)  
第4章光学分辨率增强技术 > 6=3y4tP  
4.1离轴照明_74 z.+%{_pe  
4.1.1线空图形的最佳离轴照明形态_76 j WMTQLE.  
4.1.2接触孔阵列的离轴照明_78 k3KT':*  
4.1.3从传统/参数化的照明形态到自由照明形态_80 ig .  
4.2光学邻近效应校正_81 +1@'2w{  
4.2.1孤立密集线宽偏差补偿_82 @yC3a)=$L  
4.2.2线端缩短补偿_84 OmK4 \_.  
4.2.3从基于规则到基于模型的OPC和反演光刻技术_85 -f1lu*3\  
4.2.4OPC模型和工艺流程_88 ~)zxIO!  
4.3相移掩模_89 TQPrOs?  
4.3.1强相移掩模：　交替型相移掩模_90 &|#,Bsk"@  
4.3.2衰减型或弱相移掩模_97 @= =)  
4.4光瞳滤波_100 TuaP  
4.5光源掩模协同优化_102 6L)7Q0Z  
4.6多重曝光技术_106 )eqF21\  
4.7小结_109 hztqZ:  
参考文献_110 NjPQT9&3h  
J1Az+m  
第5章材料驱动的分辨率增强 /a9CqK  
5.1分辨率极限的回顾_115 NqveL<r`  
5.2非线性双重曝光_119 $RunGaX!=N  
5.2.1双光子吸收材料_119 VvT7v]  
5.2.2光阈值材料_120 Z9*@w`x^u  
5.2.3可逆对比增强材料_121 2+b}FVOe\  
5.3双重和多重成形技术_124 TtH!5{$s  
5.3.1光刻刻蚀光刻刻蚀_124 l2YA/9.  
5.3.2光刻固化光刻刻蚀_125 8TK*VOf`  
5.3.3自对准双重成形_126 2\1bQq\  
5.3.4双色调显影_127 .}uri1k"@k  
5.3.5双重和多重成形技术的选项_128 FvO,* r9  
5.4定向自组装_129 $o9@ ?2  
5.5薄膜成像技术_133 t;-F]  
5.6小结_135 ~B?Wg!  
参考文献_135 }Z t#OA $  
SoHaGQox  
第6章极紫外光刻 2@
@evQ  
6.1EUV光源_141 .p?SPR  
6.2EUV和多层膜中的光学材料特性_143 Xr'b{&  
6.3EUV掩模_146 P=L@!F+s  
6.4EUV曝光设备和图像形成_151 @1<VvW=  
6.5EUV光刻胶_156 SqdI($F\:  
6.6EUV掩模缺陷_157 :z *jl'L  
6.7EUV光刻的光学分辨率极限_161 7+IRI|d  
6.7.16.xnm波长的超极紫外光刻_162 -WR<tkK  
6.7.2高数值孔径EUV光刻_162 2-Wy@\  
6.7.3低k1技术：　EUV光刻的光学分辨率增强技术_166 %o{IQ4Lz#  
6.8小结_167 Azp!;+  
参考文献_168 zSu,S4m_;  
?STO#<a  
第7章投影成像以外的光刻技术 lV$#>2Hh5  
7.1非投影式光学光刻：　接触式和接近式光刻_176 )qOcx I  
7.1.1图像形成和分辨率限制_176 0
IP0zil  
7.1.2技术实现_179 -_eG/o=M  
7.1.3先进的掩模对准光刻_182 Y>ATL  
7.2无掩模光刻_186 >3&V"^r(|  
7.2.1干涉光刻_186 [N}QCy  
7.2.2激光直写光刻_189 m{~L Fhhd1  
7.3无衍射限制的光刻_194 ZLPj1L  
7.3.1近场光刻_195 ]*Q,~uV^|  
7.3.2利用光学非线性_198 wO`G_!W9  
7.4三维光刻_203 & 9 c^9<F  
7.4.1灰度光刻_203 n}fV$qu  
7.4.2三维干涉光刻_205 i}i>ho-8  
7.4.3立体光刻和三维微刻印_206 <[K)PI  
7.5浅谈无光刻印_209 e@ $|xa")  
7.6小结_210 98 ]pkqp4  
参考文献_211 v-^tj}jA  
r.6?|  
第8章光刻投影系统：　高级技术内容 ,"{e$|iY  
8.1实际投影系统中的波像差_220 VeZd\Oe  
8.1.1波像差的泽尼克多项式表示_221 IN;9p w  
8.1.2波前倾斜_226 KrHKM3<  
8.1.3离焦像差_226 Kp1 F"!  
8.1.4像散_228 Ap;^\5  
8.1.5彗差_229 SBf=d<j 1)  
8.1.6球差_231 {6wXDZxv  
8.1.7三叶像差_233 :i@ $s/  
8.1.8泽尼克像差小结_233 Q9B!0G.-bs  
8.2杂散光_234 -mmQ]'.0  
8.2.1恒定杂散光模型_235 i~R+g3oi  
8.2.2功率谱密度（PSD）杂散光模型_236 G;ZN>8NB  
8.3高数值孔径投影光刻中的偏振效应_239 2tCw{Om*  
8.3.1掩模偏振效应_240 rc~)%M<[2  
8.3.2成像过程中的偏振效应_241 .tyV=B:h  
8.3.3光刻胶和晶圆堆栈界面的偏振效应_243 {;z
Hkmx  
8.3.4投影物镜中的偏振效应和矢量成像模型_246 aNQ(xiskb  
8.3.5偏振照明_248 6d2eWS  
8.4投影光刻机中的其他成像效应_250 F:[[
@~z  
8.5小结_250 a?PH`5O  
参考文献_251 PMW@xk^<Y  
E|SmvIV-  
第9章光刻中的掩模和晶圆形貌效应 -yg;,nCg  
9.1严格电磁场仿真的方法_256 1 XJZuv,T:  
9.1.1时域有限差分法_257 8>D*U0sNl  
9.1.2波导法_260 ITi#p%  
9.2掩模形貌效应_262 ~ b66 ;  
9.2.1掩模衍射分析_263 RL/7>YQ  
9.2.2斜入射效应_266 TBba3%  
9.2.3掩模引起的成像效应_268 ^P/OHuDL  
9.2.4EUV光刻中的掩模形貌效应及缓解策略_272 rd$T6!I  
9.2.5各种三维掩模模型_277 :,j^ei  
9.3晶圆形貌效应_279 KxeqQ@  
9.3.1底部抗反射涂层的沉积策略_279 QtWe,+WWV  
9.3.2靠近栅极的光刻胶底部残余_281 2Ur&_c6P  
9.3.3双重成形技术中的线宽变化_282 :?m"kh ~  
9.4小结_283 Eb63O  
参考文献_283 WX_g  
"{H{-`Ni  
第10章先进光刻中的随机效应 m(kv:5<>  
10.1随机变量和过程_288 3webAaO  
10.2现象_291 _%B,^0;C  
10.3建模方法_294 K V?+9qa,  
10.4依存性及其影响_297 PU B0H  
10.5小结_299 Us2> 5 :\  
参考文献_299 R%)F9P$o  
专业词汇中英文对照表 8oRq3"  
es.Y