《光学光刻和极紫外光刻》

发布:cyqdesign 2023-04-12 19:25 阅读:5400
光学光刻和极紫外光刻》是一本最新的光刻技术专著,内容涉及该领域的各个重要方面。在介绍光刻技术应用上,涵盖了全面又丰富的内容;在论述光刻技术的物理机制和数学模型时,采用了完整而不繁琐的方法,增加了可读性。本书在系统地阐述了光学光刻技术的基本内容后,还专门开辟章节,介绍了最先进的极紫外光刻技术的特点和难点,揭示了极紫外光刻的技术奥秘。本书具有全面、完整、翔实和新颖的特点,它凝聚了作者三十多年光刻领域科研和教学的精华。 kC!7<%(  
Yih^ZTf]O?  
HZ>Xm6DnC5  
dp&4G6Y<A  
I o|NL6[  
第1章光刻工艺概述 sc@v\J;k  
1.1微型化: 从微电子到纳米技术_1 Y@Lv>p  
1.2光刻技术的发展史_3 H/|Mq#K  
1.3投影光刻机的空间成像_5 `2o/W]SSk  
1.4光刻胶工艺_10 !BIq>pO%Ui  
1.5光刻工艺特性_12 (fUXJ$  
1.6小结_18 Aq^1(-g  
参考文献_18 MV-fDqA(  
w3:Y]F.ot  
第2章投影光刻的成像原理 vh"zYl`  
2.1投影光刻机_20 u#/Y<1gn  
2.2成像理论_21 Y`uL4)hR5  
2.2.1傅里叶光学描述_21 I%h9V([  
2.2.2倾斜照明与部分相干成像_26 }mxy6m ,  
2.2.3其他成像仿真方法_30 R.Ao%VT  
2.3阿贝瑞利准则及其影响_30 +w?RW^:Q=  
2.3.1分辨率极限和焦深_31 &y;('w  
2.3.2影响_36 R Q X  
2.4小结_39 ^*C8BzcH  
参考文献_39 xx)egy_  
w-Y-;*S  
第3章光刻胶 a<kx95  
3.1光刻胶概述、常规反应原理和现象学描述_42 ssoIC  
3.1.1光刻胶的分类_42 63#Sf$p{v  
3.1.2基于重氮萘醌的光刻胶_45 i5T&1W i  
3.1.3先进的正型化学放大光刻胶_46 9*h?g+\  
3.1.4现象学模型_48 [>A%%  
3.2光刻胶工艺步骤和建模方法_50 ? DWF7{1  
3.2.1技术方面_50 c_s=>z  
3.2.2曝光_51 V2W)%c'  
3.2.3曝光后烘焙_54 @SF*Kvb&  
3.2.4化学显影_58 8`EzvEm  
3.3建模方法和紧凑光刻胶模型概述_61 \S{ise/U  
3.4负型与正型光刻胶材料和工艺_65 qt=gz6!  
3.5小结_68 ' JsP9>)  
参考文献_69 _n,Ye&m  
6Z]* ce<r  
第4章光学分辨率增强技术 ;?"]S/16,  
4.1离轴照明_74 _Y4%Fv>@  
4.1.1线空图形的最佳离轴照明形态_76 '2vZ%C$  
4.1.2接触孔阵列的离轴照明_78 *,.WI )@  
4.1.3从传统/参数化的照明形态到自由照明形态_80 6J9^:gXW~  
4.2光学邻近效应校正_81 y m<3  
4.2.1孤立密集线宽偏差补偿_82 ne4j_!V{Mf  
4.2.2线端缩短补偿_84 AifnC4  
4.2.3从基于规则到基于模型的OPC和反演光刻技术_85 y*0bHzJ  
4.2.4OPC模型和工艺流程_88 Cb~_{$A  
4.3相移掩模_89 f7c%Z:C#Y  
4.3.1强相移掩模: 交替型相移掩模_90 |QHDg(   
4.3.2衰减型或弱相移掩模_97 R#eY@N}\  
4.4光瞳滤波_100 w[~O@:`]<o  
4.5光源掩模协同优化_102 _&_#uV<WG0  
4.6多重曝光技术_106 R#.FfWTZ  
4.7小结_109 ?xu5/r<  
参考文献_110 d #9 \]Ul&  
\R#]}g0!  
第5章材料驱动的分辨率增强 Lt $LXE  
5.1分辨率极限的回顾_115 ZT:&j4A|0  
5.2非线性双重曝光_119 *~~ >?  
5.2.1双光子吸收材料_119 E96FwA5  
5.2.2光阈值材料_120 <)ozbv Xk  
5.2.3可逆对比增强材料_121 [1K\ _  
5.3双重和多重成形技术_124 *^e06xc:  
5.3.1光刻刻蚀光刻刻蚀_124 0l=g$G \%  
5.3.2光刻固化光刻刻蚀_125 B~K@o.%  
5.3.3自对准双重成形_126 &sleV5V  
5.3.4双色调显影_127 I]t ",s/j  
5.3.5双重和多重成形技术的选项_128 $Zf hQ5bat  
5.4定向自组装_129 \ws<W 7  
5.5薄膜成像技术_133 .Az' THD}  
5.6小结_135 ` 1aEV#;  
参考文献_135 4+qoq$F</  
`./$hh  
第6章极紫外光刻 @}k5rcQ*/  
6.1EUV光源_141 qT7E"|.$  
6.2EUV和多层膜中的光学材料特性_143 g/e\ EkT  
6.3EUV掩模_146 q ^NI  
6.4EUV曝光设备和图像形成_151 {,61V;Bpm  
6.5EUV光刻胶_156 'au7rX(  
6.6EUV掩模缺陷_157 3m:[o`L  
6.7EUV光刻的光学分辨率极限_161 qP=4D 9 ]  
6.7.16.xnm波长的超极紫外光刻_162 ^GMM%   
6.7.2高数值孔径EUV光刻_162 &o@IMbJ8  
6.7.3低k1技术: EUV光刻的光学分辨率增强技术_166 _P9T h#UAg  
6.8小结_167 Y|$3%t  
参考文献_168 3.,O7 k7y  
s3?pv  
第7章投影成像以外的光刻技术 OE_;i}58  
7.1非投影式光学光刻: 接触式和接近式光刻_176 qXC>D Gy  
7.1.1图像形成和分辨率限制_176 hZ6CiEJB  
7.1.2技术实现_179 1Z-f@PoM  
7.1.3先进的掩模对准光刻_182 >(nb8T|  
7.2无掩模光刻_186 JtA tG%  
7.2.1干涉光刻_186 fy&vo~4i;  
7.2.2激光直写光刻_189 pV`?=[h9  
7.3无衍射限制的光刻_194 v53qpqc  
7.3.1近场光刻_195 Bs7/<$9K/  
7.3.2利用光学非线性_198 q{v?2v{  
7.4三维光刻_203 Fv_rDTo  
7.4.1灰度光刻_203 X 633.]+  
7.4.2三维干涉光刻_205 it?l! ~  
7.4.3立体光刻和三维微刻印_206 7S+_eL^  
7.5浅谈无光刻印_209 B"sQ\gb%Q  
7.6小结_210 DPIIE2X  
参考文献_211 6%'bo`S#  
<*I%U]  
第8章光刻投影系统: 高级技术内容 6XU1w  
8.1实际投影系统中的波像差_220 =P>c1T1-  
8.1.1波像差的泽尼克多项式表示_221 Wl!|+-  
8.1.2波前倾斜_226 b|_Pt  
8.1.3离焦像差_226 |cKo#nfzZ  
8.1.4像散_228 ]!l]^/ .  
8.1.5彗差_229 *2wFLh  
8.1.6球差_231 kC~\D?8E=  
8.1.7三叶像差_233 :f1Q0klwP  
8.1.8泽尼克像差小结_233 k4WUfL d  
8.2杂散光_234 g?Jx99c;  
8.2.1恒定杂散光模型_235 II(7U3  
8.2.2功率谱密度(PSD)杂散光模型_236 :v-&}?  
8.3高数值孔径投影光刻中的偏振效应_239 9em?2'ysa  
8.3.1掩模偏振效应_240 }\+7*|  
8.3.2成像过程中的偏振效应_241 GI:J9TS  
8.3.3光刻胶和晶圆堆栈界面的偏振效应_243 @0js=3!2  
8.3.4投影物镜中的偏振效应和矢量成像模型_246 B[2 qI7D$  
8.3.5偏振照明_248 +\r=/""DW  
8.4投影光刻机中的其他成像效应_250 yMz%s=rh  
8.5小结_250 0A$x'pU)  
参考文献_251 A}K2"lQ#>,  
=Yd{PZ*fR  
第9章光刻中的掩模和晶圆形貌效应 +-8S,Rg@   
9.1严格电磁场仿真的方法_256 zT _  
9.1.1时域有限差分法_257 OB-gH3:  
9.1.2波导法_260 E RnuM  
9.2掩模形貌效应_262 (- ]A1WQ?  
9.2.1掩模衍射分析_263 c& &^D o  
9.2.2斜入射效应_266 HP`dfo~j  
9.2.3掩模引起的成像效应_268 o{C7V *  
9.2.4EUV光刻中的掩模形貌效应及缓解策略_272 Z+# =]Kw)  
9.2.5各种三维掩模模型_277 UvR F\x%  
9.3晶圆形貌效应_279 x+1Cs$E;  
9.3.1底部抗反射涂层的沉积策略_279 RZKdh}B?\  
9.3.2靠近栅极的光刻胶底部残余_281 V(/ @$&  
9.3.3双重成形技术中的线宽变化_282 ,_ zivUU  
9.4小结_283 AC`4n|,zJ;  
参考文献_283 u;-_%?  
I.V?O}   
第10章先进光刻中的随机效应 QOb+6qy:3  
10.1随机变量和过程_288 SEf:u  
10.2现象_291 *RPdU.  
10.3建模方法_294 (+M]C]  
10.4依存性及其影响_297 }cl~Vo-mp  
10.5小结_299 |s<IZ2z]}R  
参考文献_299 ED0Vlw+1  
专业词汇中英文对照表 2;!,:bFb  
&nJH23h ^  
关键词: 光刻
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最新评论

谭健 2023-05-21 15:58
好书籍,不错的分享 ^( w%m#  
helengalaxy 2023-09-14 21:38
感谢分享
头哥给我球 2023-11-03 14:31
非常感谢楼主的分享,nice
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