《光学光刻和极紫外光刻》

发布:cyqdesign 2023-04-12 19:25 阅读:5794
光学光刻和极紫外光刻》是一本最新的光刻技术专著,内容涉及该领域的各个重要方面。在介绍光刻技术应用上,涵盖了全面又丰富的内容;在论述光刻技术的物理机制和数学模型时,采用了完整而不繁琐的方法,增加了可读性。本书在系统地阐述了光学光刻技术的基本内容后,还专门开辟章节,介绍了最先进的极紫外光刻技术的特点和难点,揭示了极紫外光刻的技术奥秘。本书具有全面、完整、翔实和新颖的特点,它凝聚了作者三十多年光刻领域科研和教学的精华。 C*S%aR  
SS4'yaQ  
BUuU#e5  
c|kQ3(  
,u^RZ[}  
第1章光刻工艺概述 ][ ,NNXrc&  
1.1微型化: 从微电子到纳米技术_1 Gk.;<d  
1.2光刻技术的发展史_3 v4:g*MD?~  
1.3投影光刻机的空间成像_5 q ;@:,^  
1.4光刻胶工艺_10 W?(^|<W  
1.5光刻工艺特性_12 nvJ2V $  
1.6小结_18  qep<7 QO  
参考文献_18 *kI1NchF  
 >%~E <  
第2章投影光刻的成像原理 !kPZuU `T  
2.1投影光刻机_20 ?pT\Ft V  
2.2成像理论_21 $WOiXLyCk  
2.2.1傅里叶光学描述_21 n*4N%yI^m5  
2.2.2倾斜照明与部分相干成像_26 SqiLp!Y`  
2.2.3其他成像仿真方法_30 JD\:bI  
2.3阿贝瑞利准则及其影响_30 A.mIqu,:  
2.3.1分辨率极限和焦深_31 x8]9Xe:_>O  
2.3.2影响_36 w Wx,}=  
2.4小结_39 a"!D @a  
参考文献_39 oNgu- &  
}F*u 9E  
第3章光刻胶 ~[J&n-bJU  
3.1光刻胶概述、常规反应原理和现象学描述_42 G 4jaHpPi  
3.1.1光刻胶的分类_42 ;'\{T#5)  
3.1.2基于重氮萘醌的光刻胶_45 1I#S?RSb  
3.1.3先进的正型化学放大光刻胶_46 ;K'1dsA  
3.1.4现象学模型_48 zH0{S.3 k  
3.2光刻胶工艺步骤和建模方法_50 QE:%uT  
3.2.1技术方面_50 V9v80e {n4  
3.2.2曝光_51 n9J.]+@J  
3.2.3曝光后烘焙_54 J,8Wo6  
3.2.4化学显影_58 67uUeCW  
3.3建模方法和紧凑光刻胶模型概述_61 Unl6?_  
3.4负型与正型光刻胶材料和工艺_65 l!B)1  
3.5小结_68 iU5Aj:U3  
参考文献_69 \#bk$R@  
&ZjQa.-U>  
第4章光学分辨率增强技术 DqLZc01>  
4.1离轴照明_74 Y)x(+#  
4.1.1线空图形的最佳离轴照明形态_76 =h~\nTN  
4.1.2接触孔阵列的离轴照明_78 1 :xN)M,s  
4.1.3从传统/参数化的照明形态到自由照明形态_80 );LkEXC_'  
4.2光学邻近效应校正_81 4XkSj9D~z  
4.2.1孤立密集线宽偏差补偿_82 ))M; .b.D  
4.2.2线端缩短补偿_84 ^9})@,(D  
4.2.3从基于规则到基于模型的OPC和反演光刻技术_85 ]-o0HY2  
4.2.4OPC模型和工艺流程_88 49o5"M(  
4.3相移掩模_89 rb+&]  
4.3.1强相移掩模: 交替型相移掩模_90 ?i.]|#{Z  
4.3.2衰减型或弱相移掩模_97 "z ` &xB  
4.4光瞳滤波_100 QR!8n  
4.5光源掩模协同优化_102 $K)9(DD  
4.6多重曝光技术_106 a0Y/,S*K  
4.7小结_109 G22= 8V  
参考文献_110 wvAXt*R  
K-$gTV  
第5章材料驱动的分辨率增强 J%?'Q{  
5.1分辨率极限的回顾_115 %ZF6%m0S  
5.2非线性双重曝光_119 0Hz*L,Bh4  
5.2.1双光子吸收材料_119 #,dE)  
5.2.2光阈值材料_120 Pg3O )D9  
5.2.3可逆对比增强材料_121 PvzB, 2":  
5.3双重和多重成形技术_124 jk0Ja@8PK  
5.3.1光刻刻蚀光刻刻蚀_124 e]\{ Ia  
5.3.2光刻固化光刻刻蚀_125 +L4_]  
5.3.3自对准双重成形_126 DrD68$,QN  
5.3.4双色调显影_127 hWGCYkuW  
5.3.5双重和多重成形技术的选项_128 QdM&M^  
5.4定向自组装_129 r5!I|E  
5.5薄膜成像技术_133 !]tZE%?  
5.6小结_135 ]M|Iy~ X   
参考文献_135 7` ^]:t  
W/O&(t  
第6章极紫外光刻 * i[^-  
6.1EUV光源_141 sR`WV6!9  
6.2EUV和多层膜中的光学材料特性_143 ^(p}hSLAfQ  
6.3EUV掩模_146 RlU=  
6.4EUV曝光设备和图像形成_151 o=`FGowF  
6.5EUV光刻胶_156 K!q:A+]  
6.6EUV掩模缺陷_157 dm60O8  
6.7EUV光刻的光学分辨率极限_161 ~eH+*U|\|M  
6.7.16.xnm波长的超极紫外光刻_162 Re <G#*^  
6.7.2高数值孔径EUV光刻_162 zWxKp;.  
6.7.3低k1技术: EUV光刻的光学分辨率增强技术_166 1uTbN  
6.8小结_167 ?XVJ$nzW  
参考文献_168 {`0GAW)q  
xF*C0B;QL  
第7章投影成像以外的光刻技术 X0X!:gX  
7.1非投影式光学光刻: 接触式和接近式光刻_176 \2!v~&S  
7.1.1图像形成和分辨率限制_176 n<;T BK  
7.1.2技术实现_179 djVE x }  
7.1.3先进的掩模对准光刻_182 |okS7.|IX  
7.2无掩模光刻_186 pIh%5Z U  
7.2.1干涉光刻_186 j|f$:j  
7.2.2激光直写光刻_189 v4}kmH1  
7.3无衍射限制的光刻_194 Cc:m~e6r  
7.3.1近场光刻_195 CErkmod{}e  
7.3.2利用光学非线性_198 _DChNX   
7.4三维光刻_203 <!h&h  
7.4.1灰度光刻_203 9?)r0`:#  
7.4.2三维干涉光刻_205 U!sv6=(y@  
7.4.3立体光刻和三维微刻印_206 ZFy>Z:&S,  
7.5浅谈无光刻印_209 QE7 r{  
7.6小结_210 ,4 ftQJ  
参考文献_211 ET4 C/nb  
"1rZwFI0l  
第8章光刻投影系统: 高级技术内容 WP1>)  
8.1实际投影系统中的波像差_220 ?^9TtxM  
8.1.1波像差的泽尼克多项式表示_221 FAAqdK0  
8.1.2波前倾斜_226 C[:Q?LE  
8.1.3离焦像差_226 %J\1W"I?  
8.1.4像散_228 .$>?2|gRv  
8.1.5彗差_229 rvRtR/*?j  
8.1.6球差_231 9V&%_.Z  
8.1.7三叶像差_233 JcxhI]E  
8.1.8泽尼克像差小结_233 SE+K"faKQ  
8.2杂散光_234 xUE9%qO  
8.2.1恒定杂散光模型_235 7~[1%`  
8.2.2功率谱密度(PSD)杂散光模型_236 B[^mWVp6L  
8.3高数值孔径投影光刻中的偏振效应_239 Sk@~}  
8.3.1掩模偏振效应_240 S86%o,Saq\  
8.3.2成像过程中的偏振效应_241 UO}Kk*  
8.3.3光刻胶和晶圆堆栈界面的偏振效应_243 2~+Iu +  
8.3.4投影物镜中的偏振效应和矢量成像模型_246 k*\=IacX0  
8.3.5偏振照明_248 vB, X)  
8.4投影光刻机中的其他成像效应_250 ;p%a!Im_ <  
8.5小结_250 95giqQ(N  
参考文献_251 |MvCEp  
G0$ 1"9u\w  
第9章光刻中的掩模和晶圆形貌效应 +x$;T*0  
9.1严格电磁场仿真的方法_256 Y3jb 'S4(  
9.1.1时域有限差分法_257 F7^d@hSV  
9.1.2波导法_260 Qh-k[w0  
9.2掩模形貌效应_262 CqDMq!  
9.2.1掩模衍射分析_263 v"Bv\5f,Ys  
9.2.2斜入射效应_266 H@er"boi  
9.2.3掩模引起的成像效应_268 8%Zl;;W  
9.2.4EUV光刻中的掩模形貌效应及缓解策略_272 0Ha1pqR  
9.2.5各种三维掩模模型_277 O&]Y.Z9,A  
9.3晶圆形貌效应_279 u79.`,Ad&  
9.3.1底部抗反射涂层的沉积策略_279 NG@9 }O  
9.3.2靠近栅极的光刻胶底部残余_281 +u*WUw! %  
9.3.3双重成形技术中的线宽变化_282 Dq+rEt  
9.4小结_283 |{HtY  
参考文献_283 e-f_ #!bW  
NMY~f (x  
第10章先进光刻中的随机效应 7,ODh-?ez  
10.1随机变量和过程_288 E]6C1C&K  
10.2现象_291 *nDyB. (  
10.3建模方法_294 E,5jY  
10.4依存性及其影响_297 JI5?, )-St  
10.5小结_299 waXA%u50  
参考文献_299 &ZFsK c#  
专业词汇中英文对照表 DGdSu6s$  
<pRb#G"  
关键词: 光刻
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最新评论

谭健 2023-05-21 15:58
好书籍,不错的分享 w<N [K>  
helengalaxy 2023-09-14 21:38
感谢分享
头哥给我球 2023-11-03 14:31
非常感谢楼主的分享,nice
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