《光学光刻和极紫外光刻》

发布:cyqdesign 2023-04-12 19:25 阅读:4112
光学光刻和极紫外光刻》是一本最新的光刻技术专著,内容涉及该领域的各个重要方面。在介绍光刻技术应用上,涵盖了全面又丰富的内容;在论述光刻技术的物理机制和数学模型时,采用了完整而不繁琐的方法,增加了可读性。本书在系统地阐述了光学光刻技术的基本内容后,还专门开辟章节,介绍了最先进的极紫外光刻技术的特点和难点,揭示了极紫外光刻的技术奥秘。本书具有全面、完整、翔实和新颖的特点,它凝聚了作者三十多年光刻领域科研和教学的精华。 +c))fPuV  
lV$JCNe  
Ic2?1<IZA  
JD$g%hcVZa  
]eKuR"ob0  
第1章光刻工艺概述 uCDe>Q4@/  
1.1微型化: 从微电子到纳米技术_1 tn5%zJ#+  
1.2光刻技术的发展史_3 Kz"3ba}KH  
1.3投影光刻机的空间成像_5 0V1GX~2  
1.4光刻胶工艺_10 7 ~~ug  
1.5光刻工艺特性_12 =wh[D$n$~  
1.6小结_18 VvyRZMR  
参考文献_18 0F|t@?S  
( V4Ppg  
第2章投影光刻的成像原理 SY +0~5E  
2.1投影光刻机_20 #%"G[B  
2.2成像理论_21 EB[T 5{  
2.2.1傅里叶光学描述_21 u}iuf_  
2.2.2倾斜照明与部分相干成像_26 (bb!VVA  
2.2.3其他成像仿真方法_30 vh a9,5_  
2.3阿贝瑞利准则及其影响_30 |(.\J`_e  
2.3.1分辨率极限和焦深_31 /}m)FaAi  
2.3.2影响_36 Te-p0x?G.  
2.4小结_39 7l53&,s   
参考文献_39 PR@6=[|d  
62sl6WWS3  
第3章光刻胶 (03/4*g_s  
3.1光刻胶概述、常规反应原理和现象学描述_42 [./FzlAs  
3.1.1光刻胶的分类_42 ,&_H  
3.1.2基于重氮萘醌的光刻胶_45 Hh% !4_AMw  
3.1.3先进的正型化学放大光刻胶_46 J#(AX6  
3.1.4现象学模型_48 V'i-pn2gyu  
3.2光刻胶工艺步骤和建模方法_50 t1?aw<  
3.2.1技术方面_50 'zI(OnIS  
3.2.2曝光_51 oPKLr31zt  
3.2.3曝光后烘焙_54 ?8-Am[xH  
3.2.4化学显影_58 " @D  
3.3建模方法和紧凑光刻胶模型概述_61 Y*NzY*V\  
3.4负型与正型光刻胶材料和工艺_65 KnG7w^  
3.5小结_68 }^&S^N 7  
参考文献_69 $:~;U xh=  
Ixa0;nxj  
第4章光学分辨率增强技术 : "85w#r  
4.1离轴照明_74 }X)vktE+|  
4.1.1线空图形的最佳离轴照明形态_76 M6g8+sio  
4.1.2接触孔阵列的离轴照明_78 c2P}P* _  
4.1.3从传统/参数化的照明形态到自由照明形态_80 4,)9@-|0R  
4.2光学邻近效应校正_81 #LasTN9  
4.2.1孤立密集线宽偏差补偿_82 ,Pa*; o\  
4.2.2线端缩短补偿_84 ?9~^QRLT  
4.2.3从基于规则到基于模型的OPC和反演光刻技术_85 ?4b0\ -  
4.2.4OPC模型和工艺流程_88 i=gZ8Q=H  
4.3相移掩模_89 L I<S  
4.3.1强相移掩模: 交替型相移掩模_90 >bW=oTFz  
4.3.2衰减型或弱相移掩模_97 ~+Gh{,f  
4.4光瞳滤波_100 L2XhrLK.|  
4.5光源掩模协同优化_102 d/; tq  
4.6多重曝光技术_106 uVEJV |^/  
4.7小结_109 RDdnOzx  
参考文献_110 GL n M1  
X FS~  
第5章材料驱动的分辨率增强 U,#~9  
5.1分辨率极限的回顾_115 ^FLs_=E  
5.2非线性双重曝光_119 Bv<gVt  
5.2.1双光子吸收材料_119  L8`v  
5.2.2光阈值材料_120 ,:t,$A  
5.2.3可逆对比增强材料_121 ^ptybVo  
5.3双重和多重成形技术_124 4#IT" i  
5.3.1光刻刻蚀光刻刻蚀_124 Lwl1ta-  
5.3.2光刻固化光刻刻蚀_125 ^%7(  
5.3.3自对准双重成形_126 R;OPY?EeW  
5.3.4双色调显影_127 ^+>*Y=fl  
5.3.5双重和多重成形技术的选项_128 'n'>+W:  
5.4定向自组装_129 "9caoPI0~  
5.5薄膜成像技术_133 s 47R,K$  
5.6小结_135 G Aj%o]}u  
参考文献_135 gzs \C{4D  
,U\ s89  
第6章极紫外光刻 zH]oAu=H  
6.1EUV光源_141 Tx.N#,T|  
6.2EUV和多层膜中的光学材料特性_143 ;I4vPh5Q  
6.3EUV掩模_146 So 1TH%  
6.4EUV曝光设备和图像形成_151 *)E${\1'<  
6.5EUV光刻胶_156 5Y *4a%"  
6.6EUV掩模缺陷_157 .y s_'F-]0  
6.7EUV光刻的光学分辨率极限_161 !y d B,S  
6.7.16.xnm波长的超极紫外光刻_162 KqG b+N-@  
6.7.2高数值孔径EUV光刻_162 h*fN]k6  
6.7.3低k1技术: EUV光刻的光学分辨率增强技术_166 R%jOgZG  
6.8小结_167 t W UI?\  
参考文献_168 s;vt2>;q+e  
NW[K/`-CTH  
第7章投影成像以外的光刻技术 ?\Z pVL<>  
7.1非投影式光学光刻: 接触式和接近式光刻_176 Qf~>5(,h  
7.1.1图像形成和分辨率限制_176 bWo  
7.1.2技术实现_179 H^-Y]{7  
7.1.3先进的掩模对准光刻_182 kPX+n+$  
7.2无掩模光刻_186 z206fF  
7.2.1干涉光刻_186 l2LQV]l  
7.2.2激光直写光刻_189 NTu |cX\R  
7.3无衍射限制的光刻_194 0f@+o}i=)  
7.3.1近场光刻_195 \foThLx  
7.3.2利用光学非线性_198 F=qILwd  
7.4三维光刻_203 g7zl5^o3j  
7.4.1灰度光刻_203 o ]*yI[\  
7.4.2三维干涉光刻_205 Lp&nO  
7.4.3立体光刻和三维微刻印_206 $4{sP Hi)I  
7.5浅谈无光刻印_209 Ic0Sb7c  
7.6小结_210 %tVU Rj  
参考文献_211 + +L7*1t  
"&={E{pQ  
第8章光刻投影系统: 高级技术内容 DSLX/u o1  
8.1实际投影系统中的波像差_220 =p;cJ%#2]'  
8.1.1波像差的泽尼克多项式表示_221 |Y!^E % *  
8.1.2波前倾斜_226 d ~ M;  
8.1.3离焦像差_226 ?g ,s<{  
8.1.4像散_228 F7<mm7BGZ  
8.1.5彗差_229 (u 7Lh>6%  
8.1.6球差_231 6u"wgX]H  
8.1.7三叶像差_233 ^Gd1 T  
8.1.8泽尼克像差小结_233 LaJvPOQ  
8.2杂散光_234 $ +WXM$N  
8.2.1恒定杂散光模型_235 @}q, ';H7  
8.2.2功率谱密度(PSD)杂散光模型_236 PlB3"{}0Q  
8.3高数值孔径投影光刻中的偏振效应_239 ?2"g*Bak  
8.3.1掩模偏振效应_240 4#(/{6J  
8.3.2成像过程中的偏振效应_241 D|5mNX %e  
8.3.3光刻胶和晶圆堆栈界面的偏振效应_243 AZ!/{1Az  
8.3.4投影物镜中的偏振效应和矢量成像模型_246 i431mpMa  
8.3.5偏振照明_248 E3'I;  
8.4投影光刻机中的其他成像效应_250 .!4'Y}  
8.5小结_250 2Z{?3mAb;  
参考文献_251 .JKH=?~\  
eX"%b(;s  
第9章光刻中的掩模和晶圆形貌效应 ajycYk9<m  
9.1严格电磁场仿真的方法_256 :P-H8*n""  
9.1.1时域有限差分法_257 5X^\AW  
9.1.2波导法_260 uf?;;wg  
9.2掩模形貌效应_262 YIk@{V  
9.2.1掩模衍射分析_263 9fX0?POG  
9.2.2斜入射效应_266 {gzQ/|}#z-  
9.2.3掩模引起的成像效应_268 XuP%/\  
9.2.4EUV光刻中的掩模形貌效应及缓解策略_272 4S42h_9  
9.2.5各种三维掩模模型_277 =Z.0-C>W  
9.3晶圆形貌效应_279 jsAx;Z:QT  
9.3.1底部抗反射涂层的沉积策略_279 e;vI XJE  
9.3.2靠近栅极的光刻胶底部残余_281 diXWm-ZKL  
9.3.3双重成形技术中的线宽变化_282 1HO;~NJ]m  
9.4小结_283 4(htdn6\  
参考文献_283 QI[WXx p  
B9"d7E#wHF  
第10章先进光刻中的随机效应 l=xG<)Okb  
10.1随机变量和过程_288 q#j[0,^ $  
10.2现象_291 L$Z!  
10.3建模方法_294 \8#[AD*@s2  
10.4依存性及其影响_297 ILCh1=?{9r  
10.5小结_299 <J d!`$  
参考文献_299 ?*V\ -7jg  
专业词汇中英文对照表 1V`-D8-?  
B\ 'rxbH  
关键词: 光刻
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最新评论

谭健 2023-05-21 15:58
好书籍,不错的分享 kQU4s)J  
helengalaxy 2023-09-14 21:38
感谢分享
头哥给我球 2023-11-03 14:31
非常感谢楼主的分享,nice
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