《
光学光刻和极紫外光刻》是一本最新的光刻技术专著,内容涉及该领域的各个重要方面。在介绍光刻技术应用上,涵盖了全面又丰富的内容;在论述光刻技术的物理机制和数学模型时,采用了完整而不繁琐的方法,增加了可读性。本书在系统地阐述了光学光刻技术的基本内容后,还专门开辟章节,介绍了最先进的极紫外光刻技术的特点和难点,揭示了极紫外光刻的技术奥秘。本书具有全面、完整、翔实和新颖的特点,它凝聚了作者三十多年光刻领域科研和教学的精华。
C*S%aR SS4'yaQ BUuU#e5
c|kQ3( ,u^RZ[} 第1章光刻工艺概述
][ ,NNXrc& 1.1微型化: 从微电子到
纳米技术_1
Gk.;<d 1.2光刻技术的发展史_3
v4:g*MD?~ 1.3投影光刻机的空间成像_5
q ;@:,^ 1.4光刻胶工艺_10
W?(^|<W 1.5光刻工艺特性_12
nvJ2V$ 1.6小结_18
qep<7 QO 参考文献_18
*kI1NchF >%~E < 第2章投影光刻的
成像原理
!kPZuU`T 2.1投影光刻机_20
?pT\Ft V 2.2成像理论_21
$WOiXLyCk 2.2.1傅里叶光学描述_21
n*4N%yI^m5 2.2.2倾斜
照明与部分相干成像_26
SqiLp!Y` 2.2.3其他成像仿真方法_30
JD\:bI 2.3阿贝瑞利准则及其影响_30
A.mIqu,: 2.3.1分辨率极限和焦深_31
x8]9Xe:_>O 2.3.2影响_36
w
Wx,}= 2.4小结_39
a"!D @a 参考文献_39
oNgu-& }F*u
9E 第3章光刻胶
~[J&n-bJU 3.1光刻胶概述、常规反应原理和现象学描述_42
G4jaHpPi 3.1.1光刻胶的分类_42
;'\{T#5) 3.1.2基于重氮萘醌的光刻胶_45
1I#S?RSb 3.1.3先进的正型化学放大光刻胶_46
;K'1dsA 3.1.4现象学模型_48
zH0{S.3k 3.2光刻胶工艺步骤和建模方法_50
QE:%uT 3.2.1技术方面_50
V9v80e {n4 3.2.2曝光_51
n9J.]+@J 3.2.3曝光后烘焙_54
J,8Wo6 3.2.4化学显影_58
67uUeCW 3.3建模方法和紧凑光刻胶模型概述_61
Unl6?_ 3.4负型与正型光刻胶材料和工艺_65
l!B)1 3.5小结_68
iU5Aj:U3 参考文献_69
\#bk$R@ &ZjQa.-U> 第4章光学分辨率增强技术
DqLZc01> 4.1离轴照明_74
Y)x(+# 4.1.1线空图形的最佳离轴照明形态_76
=h~\nTN 4.1.2接触孔阵列的离轴照明_78
1 :xN )M,s 4.1.3从传统/参数化的照明形态到自由照明形态_80
);LkEXC_' 4.2光学邻近效应校正_81
4XkSj9D~z 4.2.1孤立密集线宽偏差补偿_82
))M; .b.D 4.2.2线端缩短补偿_84
^9})@,(D 4.2.3从基于规则到基于模型的OPC和反演光刻技术_85
]-o0HY2 4.2.4OPC模型和工艺流程_88
49o5"M( 4.3相移掩模_89
rb+&] 4.3.1强相移掩模: 交替型相移掩模_90
?i.]|#{Z 4.3.2衰减型或弱相移掩模_97
"z
`&xB 4.4光瞳滤波_100
QR!8 n 4.5光源掩模协同优化_102
$K)9(DD 4.6多重曝光技术_106
a0Y/,S*K 4.7小结_109
G22=8V 参考文献_110
wvAXt*R K-$gTV 第5章材料驱动的分辨率增强
J%?'Q{ 5.1分辨率极限的回顾_115
%ZF6%m0S 5.2非线性双重曝光_119
0Hz*L,Bh4 5.2.1双
光子吸收材料_119
#,dE) 5.2.2光阈值材料_120
Pg3O )D9 5.2.3可逆对比增强材料_121
PvzB, 2": 5.3双重和多重成形技术_124
jk0Ja@8PK 5.3.1光刻刻蚀光刻刻蚀_124
e]\{ Ia 5.3.2光刻固化光刻刻蚀_125
+L4_] 5.3.3自对准双重成形_126
DrD68$,QN 5.3.4双色调显影_127
hWGCYkuW 5.3.5双重和多重成形技术的选项_128
QdM&M^ 5.4定向自组装_129
r5!I|E 5.5薄膜成像技术_133
!]tZE%? 5.6小结_135
]M|Iy~
X 参考文献_135
7`^]:t W/O&(t 第6章极紫外光刻
*i[^- 6.1EUV光源_141
sR`WV6!9 6.2EUV和多层膜中的光学材料特性_143
^(p}hSLAfQ 6.3EUV掩模_146
RlU= 6.4EUV曝光设备和图像形成_151
o=`FGowF 6.5EUV光刻胶_156
K!q:A+] 6.6EUV掩模缺陷_157
dm60O8 6.7EUV光刻的光学分辨率极限_161
~eH+*U|\|M 6.7.16.xnm波长的超极紫外光刻_162
Re <G#*^ 6.7.2高数值孔径EUV光刻_162
zWxKp;. 6.7.3低k1技术: EUV光刻的光学分辨率增强技术_166
1uTbN 6.8小结_167
?XVJ$nzW 参考文献_168
{`0GAW)q xF*C0B;QL 第7章投影成像以外的光刻技术
X0X!:gX 7.1非投影式光学光刻: 接触式和接近式光刻_176
\2!v~&S 7.1.1图像形成和分辨率限制_176
n<;TBK 7.1.2技术实现_179
djVE x} 7.1.3先进的掩模对准光刻_182
|okS7.|IX 7.2无掩模光刻_186
pIh%5ZU 7.2.1干涉光刻_186
j|f$:j 7.2.2激光直写光刻_189
v4}kmH1 7.3无衍射限制的光刻_194
Cc:m~e6r 7.3.1近场光刻_195
CErkmod{}e 7.3.2利用光学非线性_198
_DChNX 7.4三维光刻_203
<!h&h