主要用于介绍如何在OptiBPM中创建一个简单的多模
干涉耦合器,主要步骤如下:
lI5{]?' • 定义MMI耦合器的
材料;
]XP[tLYY • 定义布局设定;
5Y,e}+I> • 创建一个MMI耦合器;
0`S!+d • 插入输入面;
|H@M- • 运行
模拟;
aFC3yMKXh • 在OptiBPM_Analyzer中预览模拟结果。
=ecv;uu2 ]T*{M 1. 定义MMI耦合器的材料 i3Ffk+ |b 为了定义MMI耦合器的材料,需要进行如下操作:
{QhvHV 1) 通过File-New打开“初始性能对话框(Initial Properties)“
E? FPxs 图1.初始性能对话框
}`h}h<B( lv\2vRYw- 2) 点击图1中的“轮廓和材料(Profiles And Materials)”以激活“轮廓设计窗口(Profile Designer)”
5-C6; 7%: 图2.轮廓设计窗口
d-?~O~qD|! Ne#nSx5, 3) 右键单击图2中材料(Materials)标签下的“电介质(Dielectric)“,选择New以激活电介质材料创建窗口
&O%Kj8)
Cu`ZgKLQ 图3.电介质材料创建窗口
yDyq. -Q Dv hK0L*Qr 4) 在图3中窗口创建第一种电解质材料:
:zZtZT! − Name : Guide
2>H\arEstR − Refractive Index (Re) : 3.3
-({\eL$n − 点击“Store”以保存创建的第一种电解质材料并关闭窗口
FF/MTd}6qG 图4.创建Guide材料
Sqb#U{E ", |wG7N
K 5) 重复步骤3)和4),创建第二种电解质材料:
rVN|OLh − Name : Cladding
oF*Y$OEu?c − Refractive Index (Re) : 3.27
y'+^
ME$H − 点击“Store”以保存创建的第一种电解质材料并关闭窗口
v)pdm\P 图5.左图为创建Cladding材料,右图为材料创建成功后电解质材料标签下的显示 Tok"-$`N
:}GxJT4 6) 双击Profiles标签下的Channel-Channel1,进入通道编辑窗口,构建通道:
k?";$C}# − Name : Guide_Channel
i>rn!?b − 2D profile definition: Guide
D{8V^%{ − 点击“Store”保存创建的通道并关闭通道编辑窗口,关闭Profile Designer窗口
=_wgKXBFa 图6.构建通道
)pvZM? 2. 定义布局设定 b;}MA7= 为了定义布局设定,需要在“初始性能对话框(Initial Properties)”窗口进行以下操作:
r@!~l1$s` 1) 点击“默认波导(Default Waveguide)”标签
7"QcvV@p − Width:2.8
BShZ)t 注意:所有的波导将会使用此设定以作为默认厚度
@TH \hr] − Profile:Channel-Guide
A] F K\ W5x]bl# 
图7.默认波导标签下“Width”以及“Profile”设置
(Q'XjN\# 2) 切换到“晶圆尺寸(Wafer Dimension)”标签:
pH*L8tT
− Length:5300− Width:60
*%fOE;-?
YJ"gm]Pm 图8.设置晶圆尺寸
JZ c5U}i 3) 切换到“2D晶圆属性(2D Wafer Properties)”标签:− Material:Cladding
Y0b.utR& − 点击OK以激活布局窗口
]c5Shj5|p 
图9.晶圆材料设置
OIoAqt 4) 布局窗口
o?X\,}-s
5(F!*6i> 图10.默认情况下布局窗口显示
.:;i* 5) 调整显示比率,以便更好进行波导
结构布局设置:− View-Layout Options以激活布局设置选项窗口
-meKaQv − Display ratio : Z=40,点击OK,如图11所示− 调整缩放比率为0.6 ,最终布局显示如图12所示
{-E{.7
T[7DJNdG6 图11.调整Z方向和X方向的显示比率
e@q[Dv'mu
iA < EJ 图12.最终布局显示
7;_5[_ 3. 创建一个MMI耦合器 为了构建一个MMI耦合器,需要进入如下操作:
AI)9E=D% 1) 在“绘图(Draw)”菜单下选择“线性波导(Linear Waveguide)”或者在波导栏 下选择线性波导2) 当鼠标指针变为十字叉时,点击布局窗口左侧,并向右侧拖拽波导后松开鼠标,以生成第一个线性波导
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zMG4oRPP 图13 .绘制第一个线性波动
w?/,LV OC[a?#R1 7'o?'He-.2