主要用于介绍如何在OptiBPM中创建一个简单的多模
干涉耦合器,主要步骤如下:
Zz?)k])F • 定义MMI耦合器的
材料;
C <Pd_& • 定义布局设定;
y**YFQ*sc • 创建一个MMI耦合器;
$+|.
@ss • 插入输入面;
:Z%-&)F • 运行
模拟;
NK\0X5##. • 在OptiBPM_Analyzer中预览模拟结果。
}2h! 1z3>nou2{ 1. 定义MMI耦合器的材料 T*z*x=<5 为了定义MMI耦合器的材料,需要进行如下操作:
dWTc3@xd 1) 通过File-New打开“初始性能对话框(Initial Properties)“
J4%"38l 图1.初始性能对话框
`ztp u
~? `{%ImXQF 2) 点击图1中的“轮廓和材料(Profiles And Materials)”以激活“轮廓设计窗口(Profile Designer)”
{X5G 图2.轮廓设计窗口
} `Cc-X7 5[LDG/{Tys 3) 右键单击图2中材料(Materials)标签下的“电介质(Dielectric)“,选择New以激活电介质材料创建窗口
'>cZ7: 0SR[)ma 图3.电介质材料创建窗口
+,]_TxL|C 8.HJoos 4) 在图3中窗口创建第一种电解质材料:
k%R(Qga − Name : Guide
?f= ~Pn+ − Refractive Index (Re) : 3.3
;b}cn!U] − 点击“Store”以保存创建的第一种电解质材料并关闭窗口
^EJ]LNk} 图4.创建Guide材料
''($E/ l?A~^4(5a/ 5) 重复步骤3)和4),创建第二种电解质材料:
)# v}8aL − Name : Cladding
OP|X- − Refractive Index (Re) : 3.27
cJ\1ndBH − 点击“Store”以保存创建的第一种电解质材料并关闭窗口
MxOIe|=& 图5.左图为创建Cladding材料,右图为材料创建成功后电解质材料标签下的显示 <m/XGFc
JmC2buO 6) 双击Profiles标签下的Channel-Channel1,进入通道编辑窗口,构建通道:
Rrrq>{D − Name : Guide_Channel
N6Dv1_c, − 2D profile definition: Guide
E~c>j<'-"< − 点击“Store”保存创建的通道并关闭通道编辑窗口,关闭Profile Designer窗口
%GP`H/H( 图6.构建通道
%?3$~d\n 2. 定义布局设定 Bk]
`n'W 为了定义布局设定,需要在“初始性能对话框(Initial Properties)”窗口进行以下操作:
F. I\?b 1) 点击“默认波导(Default Waveguide)”标签
BCO (,k − Width:2.8
7^;-[?l
注意:所有的波导将会使用此设定以作为默认厚度
BoXPX2: − Profile:Channel-Guide
!yvw5As % P6")OWd 图7.默认波导标签下“Width”以及“Profile”设置
ydMhb367| 2) 切换到“晶圆尺寸(Wafer Dimension)”标签:
m=TZfa^r − Length:5300− Width:60
Z+=WICI/2 _FU}IfG>t 图8.设置晶圆尺寸
k*OHI/uiow 3) 切换到“2D晶圆属性(2D Wafer Properties)”标签:− Material:Cladding
dt0(04 − 点击OK以激活布局窗口
CDY3+! 图9.晶圆材料设置
[b3$em<^JV 4) 布局窗口
e5D\m g) Tv `& 图10.默认情况下布局窗口显示
1)5/a5 5) 调整显示比率,以便更好进行波导
结构布局设置:− View-Layout Options以激活布局设置选项窗口
k(xB%>ns − Display ratio : Z=40,点击OK,如图11所示− 调整缩放比率为0.6 ,最终布局显示如图12所示
b'I@TLE') J3XG?'
} 图11.调整Z方向和X方向的显示比率
{N
<< JX TEla?N 图12.最终布局显示
N;DE,[:< 3. 创建一个MMI耦合器 为了构建一个MMI耦合器,需要进入如下操作:
WHqw=!G 1) 在“绘图(Draw)”菜单下选择“线性波导(Linear Waveguide)”或者在波导栏 下选择线性波导2) 当鼠标指针变为十字叉时,点击布局窗口左侧,并向右侧拖拽波导后松开鼠标,以生成第一个线性波导
:Dfl ,=S i*8j| 图13 .绘制第一个线性波动
OnyAM{$g )=cJW(nfP b81cq,