主要用于介绍如何在OptiBPM中创建一个简单的多模
干涉耦合器,主要步骤如下:
u{g]gA8s • 定义MMI耦合器的
材料;
H<V+d^qX\w • 定义布局设定;
/QrA8 • 创建一个MMI耦合器;
2-8YSHlh • 插入输入面;
}7iUagN • 运行
模拟;
"%:7j!#X|I • 在OptiBPM_Analyzer中预览模拟结果。
\#
7@a74 -,R0IGS 1. 定义MMI耦合器的材料 jmRhAJV 为了定义MMI耦合器的材料,需要进行如下操作:
gb]hOB7g 1) 通过File-New打开“初始性能对话框(Initial Properties)“
8'3"uv 图1.初始性能对话框
xM% H~( {udrT"h 2) 点击图1中的“轮廓和材料(Profiles And Materials)”以激活“轮廓设计窗口(Profile Designer)”
AiY|O S3R 图2.轮廓设计窗口
VKT@2HjNT` I") H~ 3) 右键单击图2中材料(Materials)标签下的“电介质(Dielectric)“,选择New以激活电介质材料创建窗口
B1y<.1k 'GrRuT< 图3.电介质材料创建窗口
U^B"|lc:[ '/Cg*o/ 4) 在图3中窗口创建第一种电解质材料:
s0gJ f[ − Name : Guide
w|&,I4[" − Refractive Index (Re) : 3.3
B`LD7]ew − 点击“Store”以保存创建的第一种电解质材料并关闭窗口
vz6SCGg, 图4.创建Guide材料
HvAE,0N kVWGDI$~ 5) 重复步骤3)和4),创建第二种电解质材料:
t G]N*%@ − Name : Cladding
P\.WXe#j − Refractive Index (Re) : 3.27
O-i4_YdVt − 点击“Store”以保存创建的第一种电解质材料并关闭窗口
<"N:rn{Qq 图5.左图为创建Cladding材料,右图为材料创建成功后电解质材料标签下的显示 U%Dit
l<$rqz3D 6) 双击Profiles标签下的Channel-Channel1,进入通道编辑窗口,构建通道:
DD2adu^ − Name : Guide_Channel
lrCm9Oy − 2D profile definition: Guide
\.5F](: − 点击“Store”保存创建的通道并关闭通道编辑窗口,关闭Profile Designer窗口
s jSi;S4 图6.构建通道
*f{7 2. 定义布局设定 @o`sf-8x 为了定义布局设定,需要在“初始性能对话框(Initial Properties)”窗口进行以下操作:
:eSc; 1) 点击“默认波导(Default Waveguide)”标签
<BZ_ (H − Width:2.8
!syU]Yk 注意:所有的波导将会使用此设定以作为默认厚度
37#cx)p^f − Profile:Channel-Guide
T]^?l $?-7OXj< 图7.默认波导标签下“Width”以及“Profile”设置
w(/7Jt$ 2) 切换到“晶圆尺寸(Wafer Dimension)”标签:
9`&?hi49nK − Length:5300− Width:60
b~1iPaIh P%iP:16 图8.设置晶圆尺寸
M
Z2^@It 3) 切换到“2D晶圆属性(2D Wafer Properties)”标签:− Material:Cladding
'[%jjUU − 点击OK以激活布局窗口
Qr<AV: 图9.晶圆材料设置
?fB5t;~E 4) 布局窗口
5Wo5n7o jg?bf/$s 图10.默认情况下布局窗口显示
V5~fMsse
5) 调整显示比率,以便更好进行波导
结构布局设置:− View-Layout Options以激活布局设置选项窗口
2_wvC − Display ratio : Z=40,点击OK,如图11所示− 调整缩放比率为0.6 ,最终布局显示如图12所示
f#1/}Hq/I kj-=xhJ{= 图11.调整Z方向和X方向的显示比率
}4Zkf<#7$ ea2 `q 图12.最终布局显示
a%v>eXc 3. 创建一个MMI耦合器 为了构建一个MMI耦合器,需要进入如下操作:
ubi~% 1) 在“绘图(Draw)”菜单下选择“线性波导(Linear Waveguide)”或者在波导栏 下选择线性波导2) 当鼠标指针变为十字叉时,点击布局窗口左侧,并向右侧拖拽波导后松开鼠标,以生成第一个线性波导
t-x[:i P:qz2Hw 图13 .绘制第一个线性波动
c+~LpSQ d @m\f 76_<xUt{