主要用于介绍如何在OptiBPM中创建一个简单的多模
干涉耦合器,主要步骤如下:
b(McH*_8e • 定义MMI耦合器的
材料;
7Vxe]s • 定义布局设定;
p$A` qx<M_ • 创建一个MMI耦合器;
Q8r 7 • 插入输入面;
Mb0cdK?hA • 运行
模拟;
M=aWL!nJ • 在OptiBPM_Analyzer中预览模拟结果。
Q&Ox\*sMK 9p5{,9 .3* 1. 定义MMI耦合器的材料 9AROvq|# 为了定义MMI耦合器的材料,需要进行如下操作:
$k&}{c8P 1) 通过File-New打开“初始性能对话框(Initial Properties)“
#Zy-X_r 图1.初始性能对话框
RU^lR8; n\Y|0\ B 2) 点击图1中的“轮廓和材料(Profiles And Materials)”以激活“轮廓设计窗口(Profile Designer)”
KGI0|Z]n~ 图2.轮廓设计窗口
dQ4K^u K?o} B 3) 右键单击图2中材料(Materials)标签下的“电介质(Dielectric)“,选择New以激活电介质材料创建窗口
Aa;s.:? 044*@a5f 图3.电介质材料创建窗口
+T@a/(Gl n/3gx4.g 4) 在图3中窗口创建第一种电解质材料:
gB?~!J? − Name : Guide
n|oAfJUk, − Refractive Index (Re) : 3.3
6!}tmdzR − 点击“Store”以保存创建的第一种电解质材料并关闭窗口
?"no~(EB 图4.创建Guide材料
fuxBoB \KaWR 5) 重复步骤3)和4),创建第二种电解质材料:
O}!L;? − Name : Cladding
3e g<) − Refractive Index (Re) : 3.27
sgn,]3AUq − 点击“Store”以保存创建的第一种电解质材料并关闭窗口
r4~Bn7j2 图5.左图为创建Cladding材料,右图为材料创建成功后电解质材料标签下的显示 ReCmv/AE
<4W"ne28 6) 双击Profiles标签下的Channel-Channel1,进入通道编辑窗口,构建通道:
~OXC6z − Name : Guide_Channel
wO y1i/oj − 2D profile definition: Guide
2dr[0tE − 点击“Store”保存创建的通道并关闭通道编辑窗口,关闭Profile Designer窗口
.wD>0Ig 图6.构建通道
q(Y<cJ?X 2. 定义布局设定 w\'Zcw,d 为了定义布局设定,需要在“初始性能对话框(Initial Properties)”窗口进行以下操作:
^#R-_I 1) 点击“默认波导(Default Waveguide)”标签
=Po!\[SBU − Width:2.8
IA|V^Wmt; 注意:所有的波导将会使用此设定以作为默认厚度
,0#5kc*X − Profile:Channel-Guide
?zKVXK7}0 .Jz$)R 
图7.默认波导标签下“Width”以及“Profile”设置
PZF>ia} 2) 切换到“晶圆尺寸(Wafer Dimension)”标签:
)T:{(v7 d` − Length:5300− Width:60
=>hq0F4[;
@$~ BU;kR 图8.设置晶圆尺寸
,$habq=; 3) 切换到“2D晶圆属性(2D Wafer Properties)”标签:− Material:Cladding
~4wbIE_rN − 点击OK以激活布局窗口
'A,&9E{%1 
图9.晶圆材料设置
sa`7_KB 4) 布局窗口
:XMw="u=
,sk;|OAI 图10.默认情况下布局窗口显示
!+.|T9P 5) 调整显示比率,以便更好进行波导
结构布局设置:− View-Layout Options以激活布局设置选项窗口
1V?}";T − Display ratio : Z=40,点击OK,如图11所示− 调整缩放比率为0.6 ,最终布局显示如图12所示
Ho?+?YJ#P
O xqbHe 图11.调整Z方向和X方向的显示比率
"RH2%
qeCx.Z 图12.最终布局显示
A^JeB<,
5a 3. 创建一个MMI耦合器 为了构建一个MMI耦合器,需要进入如下操作:
2F3IC 1) 在“绘图(Draw)”菜单下选择“线性波导(Linear Waveguide)”或者在波导栏 下选择线性波导2) 当鼠标指针变为十字叉时,点击布局窗口左侧,并向右侧拖拽波导后松开鼠标,以生成第一个线性波导
>Ge&v'~_|
LS?hb)7 图13 .绘制第一个线性波动
"JSg/optc ,SJB3if ~\K+)(\SNp