主要用于介绍如何在OptiBPM中创建一个简单的多模
干涉耦合器,主要步骤如下:
Cb.M • 定义MMI耦合器的
材料;
ELG9ts+5Uj • 定义布局设定;
)|AxQPd • 创建一个MMI耦合器;
v(Sh+p • 插入输入面;
%L
wq. • 运行
模拟;
S2W@;XvV • 在OptiBPM_Analyzer中预览模拟结果。
<HIM
k -w5sXnS 1. 定义MMI耦合器的材料 [X8EfU} 为了定义MMI耦合器的材料,需要进行如下操作:
,ei=w,O 1) 通过File-New打开“初始性能对话框(Initial Properties)“
} j;es(~D 图1.初始性能对话框
h(4\k?C5 AR&l9R[{N 2) 点击图1中的“轮廓和材料(Profiles And Materials)”以激活“轮廓设计窗口(Profile Designer)”
v-Q>I5D;: 图2.轮廓设计窗口
6E^9> BqA_CW 3) 右键单击图2中材料(Materials)标签下的“电介质(Dielectric)“,选择New以激活电介质材料创建窗口
}n'W0Sa ,Tk53 " 图3.电介质材料创建窗口
5j9%W18 &fU48n1Uh 4) 在图3中窗口创建第一种电解质材料:
}1lZW"{e[ − Name : Guide
\g)?7>M | − Refractive Index (Re) : 3.3
P 6=5:-Hh − 点击“Store”以保存创建的第一种电解质材料并关闭窗口
-9o7a_Z 图4.创建Guide材料
kXlI*h -pQ?ybQ 5) 重复步骤3)和4),创建第二种电解质材料:
6VJS
l%X − Name : Cladding
o&$lik − Refractive Index (Re) : 3.27
A* Pz-z>z − 点击“Store”以保存创建的第一种电解质材料并关闭窗口
x {Dw?6TP 图5.左图为创建Cladding材料,右图为材料创建成功后电解质材料标签下的显示 S?OCy4dk:
\pSRG=` 6) 双击Profiles标签下的Channel-Channel1,进入通道编辑窗口,构建通道:
Ag8lI+
h − Name : Guide_Channel
hFhC&2HN − 2D profile definition: Guide
ZjrBOb − 点击“Store”保存创建的通道并关闭通道编辑窗口,关闭Profile Designer窗口
-mLu!32I< 图6.构建通道
=5YbK1Q^ 2. 定义布局设定 _x,(576~ 为了定义布局设定,需要在“初始性能对话框(Initial Properties)”窗口进行以下操作:
1'dZ?`O 1) 点击“默认波导(Default Waveguide)”标签
-@B6 $XWL − Width:2.8
(|3?wX'2U 注意:所有的波导将会使用此设定以作为默认厚度
M8y|Lm}o − Profile:Channel-Guide
Ub4)x eiRVw5g 
图7.默认波导标签下“Width”以及“Profile”设置
U#XW}T=| 2) 切换到“晶圆尺寸(Wafer Dimension)”标签:
e:_[0# − Length:5300− Width:60
#c'}_s2F[
G(t&(t`[ 图8.设置晶圆尺寸
8p1:dTI5Pb 3) 切换到“2D晶圆属性(2D Wafer Properties)”标签:− Material:Cladding
MiF(
&# − 点击OK以激活布局窗口
-B-HZ_ 
图9.晶圆材料设置
]@ Vp:RGMr 4) 布局窗口
r|/9'{!
Mt%Q5^ 图10.默认情况下布局窗口显示
}wEt=zOJ 5) 调整显示比率,以便更好进行波导
结构布局设置:− View-Layout Options以激活布局设置选项窗口
:X7O4?ww − Display ratio : Z=40,点击OK,如图11所示− 调整缩放比率为0.6 ,最终布局显示如图12所示
TY` R_
pK/RkA1 图11.调整Z方向和X方向的显示比率
)5o6*(Y
kb~ 9/)~g 图12.最终布局显示
$%ww$3 3. 创建一个MMI耦合器 为了构建一个MMI耦合器,需要进入如下操作:
WW7E*kc 1) 在“绘图(Draw)”菜单下选择“线性波导(Linear Waveguide)”或者在波导栏 下选择线性波导2) 当鼠标指针变为十字叉时,点击布局窗口左侧,并向右侧拖拽波导后松开鼠标,以生成第一个线性波导
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CL t(_!q 图13 .绘制第一个线性波动
=OKUSHu@V Z hCjY C?6q]k]r