主要用于介绍如何在OptiBPM中创建一个简单的多模
干涉耦合器,主要步骤如下:
}xk(aM_ • 定义MMI耦合器的
材料;
%tyo(HZQ • 定义布局设定;
y QW7ng7D0 • 创建一个MMI耦合器;
!@=S,Vc. • 插入输入面;
ef7{D
P • 运行
模拟;
SeD}H=,@ • 在OptiBPM_Analyzer中预览模拟结果。
&<PIm N,Eap KG 1. 定义MMI耦合器的材料 $^ws#}j 为了定义MMI耦合器的材料,需要进行如下操作:
K*>%,mP$i 1) 通过File-New打开“初始性能对话框(Initial Properties)“
I,{YxY[$7 图1.初始性能对话框
4o*i(W f4"UI-8;n 2) 点击图1中的“轮廓和材料(Profiles And Materials)”以激活“轮廓设计窗口(Profile Designer)”
.:$(o& 图2.轮廓设计窗口
%f;dn<m=c {%R^8 3) 右键单击图2中材料(Materials)标签下的“电介质(Dielectric)“,选择New以激活电介质材料创建窗口
X7},|cmD_ DiFYVR<@ 图3.电介质材料创建窗口
-]Z7^ R~\R>\ 4) 在图3中窗口创建第一种电解质材料:
[7Lr" − Name : Guide
QqA=QTZ} − Refractive Index (Re) : 3.3
IfK~~XYG − 点击“Store”以保存创建的第一种电解质材料并关闭窗口
cFUD$mp 图4.创建Guide材料
Y![Q1D!
0gd`W{YP 5) 重复步骤3)和4),创建第二种电解质材料:
\MP~}t}c − Name : Cladding
wjA
wJOw| − Refractive Index (Re) : 3.27
$DL}jH^S − 点击“Store”以保存创建的第一种电解质材料并关闭窗口
b@Ej$t& 图5.左图为创建Cladding材料,右图为材料创建成功后电解质材料标签下的显示 +>Wo:kp3
4&}%GH>} 6) 双击Profiles标签下的Channel-Channel1,进入通道编辑窗口,构建通道:
oD)]4| − Name : Guide_Channel
mmTpF]t
?` − 2D profile definition: Guide
$DY#04Je\= − 点击“Store”保存创建的通道并关闭通道编辑窗口,关闭Profile Designer窗口
-S'KxC 图6.构建通道
gP2zDI 2. 定义布局设定 M@Th^yF+8H 为了定义布局设定,需要在“初始性能对话框(Initial Properties)”窗口进行以下操作:
1BSd9Ydj 1) 点击“默认波导(Default Waveguide)”标签
~:ASv>m − Width:2.8
[,o:nry'a 注意:所有的波导将会使用此设定以作为默认厚度
J:Cr.K` − Profile:Channel-Guide
\SWTP1 1Bj.MQ^ 
图7.默认波导标签下“Width”以及“Profile”设置
5,"c1[`- 2) 切换到“晶圆尺寸(Wafer Dimension)”标签:
RM;a]g* − Length:5300− Width:60
Rx-\B$G
u]yy%@U1 图8.设置晶圆尺寸
G:AA>t 3) 切换到“2D晶圆属性(2D Wafer Properties)”标签:− Material:Cladding
$*#a;w7\C − 点击OK以激活布局窗口
a-{|/
n% 
图9.晶圆材料设置
d^ C@5Pd
< 4) 布局窗口
U,Z\)+-R
n'~==2 图10.默认情况下布局窗口显示
|Y7SP]/`gB 5) 调整显示比率,以便更好进行波导
结构布局设置:− View-Layout Options以激活布局设置选项窗口
6"&cQ>$xh − Display ratio : Z=40,点击OK,如图11所示− 调整缩放比率为0.6 ,最终布局显示如图12所示
lLD#|T3
'C]w3Rh' 图11.调整Z方向和X方向的显示比率
B=|R?t (*
)DgXsT 图12.最终布局显示
Ku(YTXtK 3. 创建一个MMI耦合器 为了构建一个MMI耦合器,需要进入如下操作:
`YNzcn0x 1) 在“绘图(Draw)”菜单下选择“线性波导(Linear Waveguide)”或者在波导栏 下选择线性波导2) 当鼠标指针变为十字叉时,点击布局窗口左侧,并向右侧拖拽波导后松开鼠标,以生成第一个线性波导
G+zhL6]F
19E(Hsz 图13 .绘制第一个线性波动
`3;EJDEdbi }Fe6L;^; F&d!fEHU