主要用于介绍如何在OptiBPM中创建一个简单的多模
干涉耦合器,主要步骤如下:
)-|A|1Uo • 定义MMI耦合器的
材料;
+cM; d4 • 定义布局设定;
I:uxj% • 创建一个MMI耦合器;
W"AWhi{h • 插入输入面;
KM< +9` • 运行
模拟;
!V$nU8p| • 在OptiBPM_Analyzer中预览模拟结果。
jii2gtu'U *ZyIbT 1. 定义MMI耦合器的材料 G{}E~jDi? 为了定义MMI耦合器的材料,需要进行如下操作:
BqP:] 1) 通过File-New打开“初始性能对话框(Initial Properties)“
[wRk)kl` 图1.初始性能对话框
!Qjpj KRy "v/^nH 2) 点击图1中的“轮廓和材料(Profiles And Materials)”以激活“轮廓设计窗口(Profile Designer)”
kOETx 图2.轮廓设计窗口
468LVe?0 'IFbD["r 3) 右键单击图2中材料(Materials)标签下的“电介质(Dielectric)“,选择New以激活电介质材料创建窗口
?`AzgM[I qi`*4cas*A 图3.电介质材料创建窗口
djqSW9 Run)E*sf 4) 在图3中窗口创建第一种电解质材料:
s2_j@k?% − Name : Guide
~^$ONmI5 − Refractive Index (Re) : 3.3
\K`AO{ D@ − 点击“Store”以保存创建的第一种电解质材料并关闭窗口
4otB1{ 图4.创建Guide材料
/8Bh dP
T)& 5) 重复步骤3)和4),创建第二种电解质材料:
c~ l$_A − Name : Cladding
m@.4Wrv − Refractive Index (Re) : 3.27
8<0H(lj7_ − 点击“Store”以保存创建的第一种电解质材料并关闭窗口
/],:sS7 图5.左图为创建Cladding材料,右图为材料创建成功后电解质材料标签下的显示 hz<kR@k}
I?J$";A 6) 双击Profiles标签下的Channel-Channel1,进入通道编辑窗口,构建通道:
&E.0!BuqV − Name : Guide_Channel
[WXtR − 2D profile definition: Guide
x%k4Lm − 点击“Store”保存创建的通道并关闭通道编辑窗口,关闭Profile Designer窗口
o B_c6]K 图6.构建通道
QB#f'X 2. 定义布局设定 @]6)j& 为了定义布局设定,需要在“初始性能对话框(Initial Properties)”窗口进行以下操作:
kGc;j8>." 1) 点击“默认波导(Default Waveguide)”标签
@7 &rDZ − Width:2.8
kWjCSC>jA 注意:所有的波导将会使用此设定以作为默认厚度
xE;4#+_I − Profile:Channel-Guide
;T/W7=4CZ |iLeOztuE 
图7.默认波导标签下“Width”以及“Profile”设置
3F5r3T6j} 2) 切换到“晶圆尺寸(Wafer Dimension)”标签:
~bL(mq − Length:5300− Width:60
=R:3J"ly0
7SoxsT) 图8.设置晶圆尺寸
!ceuljd] 3) 切换到“2D晶圆属性(2D Wafer Properties)”标签:− Material:Cladding
}di)4=U9 − 点击OK以激活布局窗口
"@Ra>qb 
图9.晶圆材料设置
o
]2=5;) 4) 布局窗口
7`6n]4e
L7G':oA_`p 图10.默认情况下布局窗口显示
rs~RKTv- 5) 调整显示比率,以便更好进行波导
结构布局设置:− View-Layout Options以激活布局设置选项窗口
aN).G1 − Display ratio : Z=40,点击OK,如图11所示− 调整缩放比率为0.6 ,最终布局显示如图12所示
h\Op|#gIT
}(Nb]_H 图11.调整Z方向和X方向的显示比率
~ d/Doi
} !pC}m 图12.最终布局显示
/(BQzCP9O; 3. 创建一个MMI耦合器 为了构建一个MMI耦合器,需要进入如下操作:
g (ZeGNV8 1) 在“绘图(Draw)”菜单下选择“线性波导(Linear Waveguide)”或者在波导栏 下选择线性波导2) 当鼠标指针变为十字叉时,点击布局窗口左侧,并向右侧拖拽波导后松开鼠标,以生成第一个线性波导
qXt2m
?q7VB 图13 .绘制第一个线性波动
c;Hf +n $f_;>f2N 6JmS9ho