主要用于介绍如何在OptiBPM中创建一个简单的多模
干涉耦合器,主要步骤如下:
GQ=Pkko • 定义MMI耦合器的
材料;
-owap-Va • 定义布局设定;
BYWs\6vK • 创建一个MMI耦合器;
;v>+D
{s • 插入输入面;
3"iJ/Hc}9 • 运行
模拟;
QF9$SCmv • 在OptiBPM_Analyzer中预览模拟结果。
|bv7N@?e ~MLBO 1. 定义MMI耦合器的材料 AWz|HF#- 为了定义MMI耦合器的材料,需要进行如下操作:
LFPYnK 1) 通过File-New打开“初始性能对话框(Initial Properties)“
wb/@g=`d 图1.初始性能对话框
=U+_;;F= Ue2k^a*Ww 2) 点击图1中的“轮廓和材料(Profiles And Materials)”以激活“轮廓设计窗口(Profile Designer)”
[,|;rt\o> 图2.轮廓设计窗口
ThJ`-Ro .V?>Jhok 3) 右键单击图2中材料(Materials)标签下的“电介质(Dielectric)“,选择New以激活电介质材料创建窗口
^?o> (K 8VR!
Y0`e 图3.电介质材料创建窗口
x]<0Kq9K LQ.0"6oj 4) 在图3中窗口创建第一种电解质材料:
8PwPI%Pb − Name : Guide
/H<tv5mXJ − Refractive Index (Re) : 3.3
XZ[3v9?&n − 点击“Store”以保存创建的第一种电解质材料并关闭窗口
NM&R\GI 图4.创建Guide材料
} {<L< QsH?qI&2jp 5) 重复步骤3)和4),创建第二种电解质材料:
(G`O[JF − Name : Cladding
`beU2N − Refractive Index (Re) : 3.27
hxx`f-#= − 点击“Store”以保存创建的第一种电解质材料并关闭窗口
1n|K 图5.左图为创建Cladding材料,右图为材料创建成功后电解质材料标签下的显示 V"R ,omh
|FH|l#bu> 6) 双击Profiles标签下的Channel-Channel1,进入通道编辑窗口,构建通道:
%6HJM| {H − Name : Guide_Channel
+tvWp>T+ − 2D profile definition: Guide
x|q|> dPB − 点击“Store”保存创建的通道并关闭通道编辑窗口,关闭Profile Designer窗口
#CTHCwYo 图6.构建通道
$7'KcG 2. 定义布局设定 &1$|KbmV4 为了定义布局设定,需要在“初始性能对话框(Initial Properties)”窗口进行以下操作:
_"c:Z !L 1) 点击“默认波导(Default Waveguide)”标签
m. "T3K − Width:2.8
?-D'xqc 注意:所有的波导将会使用此设定以作为默认厚度
X8212[7 − Profile:Channel-Guide
LGPPyKNx ^muPjM+D 
图7.默认波导标签下“Width”以及“Profile”设置
z{ MO~d9 2) 切换到“晶圆尺寸(Wafer Dimension)”标签:
;LE9w^>^V − Length:5300− Width:60
4oA9|}<FR
/aX5G 图8.设置晶圆尺寸
WDq~mi 3) 切换到“2D晶圆属性(2D Wafer Properties)”标签:− Material:Cladding
,%EGM+ − 点击OK以激活布局窗口
]q CCCI` 
图9.晶圆材料设置
0>)F+QC 4) 布局窗口
't<hhjPqY
t'im\_$F 图10.默认情况下布局窗口显示
U t'r^ 5) 调整显示比率,以便更好进行波导
结构布局设置:− View-Layout Options以激活布局设置选项窗口
XL!^tMk − Display ratio : Z=40,点击OK,如图11所示− 调整缩放比率为0.6 ,最终布局显示如图12所示
2V)qnMxAZJ
{&d )O 图11.调整Z方向和X方向的显示比率
6UnWtLE
UhVJ! NrT 图12.最终布局显示
b?deZ2"L# 3. 创建一个MMI耦合器 为了构建一个MMI耦合器,需要进入如下操作:
r"\g6<RP 1) 在“绘图(Draw)”菜单下选择“线性波导(Linear Waveguide)”或者在波导栏 下选择线性波导2) 当鼠标指针变为十字叉时,点击布局窗口左侧,并向右侧拖拽波导后松开鼠标,以生成第一个线性波导
p{S#>JTr
qF57T>v| 图13 .绘制第一个线性波动
B[B(=4EzMP 3}ATt". ?2i\ERG?