主要用于介绍如何在OptiBPM中创建一个简单的多模
干涉耦合器,主要步骤如下:
6!'3oN{ • 定义MMI耦合器的
材料;
}7E^ZZ]f • 定义布局设定;
h:Gu`+D>W • 创建一个MMI耦合器;
kE9esC3 • 插入输入面;
.mLK`c6 • 运行
模拟;
#X 52/8G • 在OptiBPM_Analyzer中预览模拟结果。
},+wJ1 ="wzq+ U 1. 定义MMI耦合器的材料 {(U %i\F\ 为了定义MMI耦合器的材料,需要进行如下操作:
W\&8auds 1) 通过File-New打开“初始性能对话框(Initial Properties)“
i0$Bx> 图1.初始性能对话框
ojvj}ln SN7"7jo P< 2) 点击图1中的“轮廓和材料(Profiles And Materials)”以激活“轮廓设计窗口(Profile Designer)”
Ms~{9? 图2.轮廓设计窗口
2EZb
)&Q -K9c@? 3) 右键单击图2中材料(Materials)标签下的“电介质(Dielectric)“,选择New以激活电介质材料创建窗口
tg]x0#@s Bp8'pj;~ 图3.电介质材料创建窗口
if|+EN% 6f')6X'x 4) 在图3中窗口创建第一种电解质材料:
[W%$qZlP − Name : Guide
P9g en6 − Refractive Index (Re) : 3.3
),G= s Oo − 点击“Store”以保存创建的第一种电解质材料并关闭窗口
X/iT)R]b 图4.创建Guide材料
1%4sHSN =R*qP ;# 5) 重复步骤3)和4),创建第二种电解质材料:
]E\n9X-{ − Name : Cladding
T!Hb{Cg* − Refractive Index (Re) : 3.27
.pvi!NnL- − 点击“Store”以保存创建的第一种电解质材料并关闭窗口
Tyvtmx M 图5.左图为创建Cladding材料,右图为材料创建成功后电解质材料标签下的显示 /"eey(X
JSW^dw& 6) 双击Profiles标签下的Channel-Channel1,进入通道编辑窗口,构建通道:
G:~k.1y[ − Name : Guide_Channel
*h}XWB C1q − 2D profile definition: Guide
!O `(JSoG − 点击“Store”保存创建的通道并关闭通道编辑窗口,关闭Profile Designer窗口
tjupJ*Rt 图6.构建通道
ma"3qGy 2. 定义布局设定 cSXwYZDx? 为了定义布局设定,需要在“初始性能对话框(Initial Properties)”窗口进行以下操作:
n4}Br;% 1) 点击“默认波导(Default Waveguide)”标签
?VP8ycm − Width:2.8
;W>k@L 注意:所有的波导将会使用此设定以作为默认厚度
NR`C(^} − Profile:Channel-Guide
G1 vNt7 1v71rf&w 
图7.默认波导标签下“Width”以及“Profile”设置
3AU;>D ^5 2) 切换到“晶圆尺寸(Wafer Dimension)”标签:
Z'"tB/=W − Length:5300− Width:60
|Y?HA&
z6*X%6,8 图8.设置晶圆尺寸
|S_eDjF 3) 切换到“2D晶圆属性(2D Wafer Properties)”标签:− Material:Cladding
7pe\M/kl − 点击OK以激活布局窗口
OX\A|$GS 
图9.晶圆材料设置
'<"s \, 4) 布局窗口
RW<D<5C
vSEuk}pk 图10.默认情况下布局窗口显示
17%Mw@+ 5) 调整显示比率,以便更好进行波导
结构布局设置:− View-Layout Options以激活布局设置选项窗口
aDU<wxnSvO − Display ratio : Z=40,点击OK,如图11所示− 调整缩放比率为0.6 ,最终布局显示如图12所示
gEy?s8_,
'Gj3:-xqL 图11.调整Z方向和X方向的显示比率
4K\G16'$v
fU/>z]K 图12.最终布局显示
oKuI0-*mR 3. 创建一个MMI耦合器 为了构建一个MMI耦合器,需要进入如下操作:
5IE#\FITO| 1) 在“绘图(Draw)”菜单下选择“线性波导(Linear Waveguide)”或者在波导栏 下选择线性波导2) 当鼠标指针变为十字叉时,点击布局窗口左侧,并向右侧拖拽波导后松开鼠标,以生成第一个线性波导
6^]+[q}3
Mk"^?%PxT 图13 .绘制第一个线性波动
l9{hq/V v[1aWv: KcWN,!G