主要用于介绍如何在OptiBPM中创建一个简单的多模
干涉耦合器，主要步骤如下：
=#vU$ ~a • 定义MMI耦合器的
材料；
p1,.f&(f • 定义布局设定；
* YT v" • 创建一个MMI耦合器；
wPpern05 • 插入输入面；
[<#`@Kr • 运行
模拟；
iM{cr&0 • 在OptiBPM_Analyzer中预览模拟结果。
< &}N[ qWI8 >my11 1. 定义MMI耦合器的材料 >):> Pz%U 为了定义MMI耦合器的材料，需要进行如下操作：
MNKY J 1) 通过File-New打开“初始性能对话框（Initial Properties）“
.WW|v 图1.初始性能对话框
v79\( BX Q% J! 2) 点击图1中的“轮廓和材料（Profiles And Materials）”以激活“轮廓设计窗口（Profile Designer）”
|f+fG=a67V 图2.轮廓设计窗口
X1%_a.=VF D}bCMN < 3) 右键单击图2中材料（Materials）标签下的“电介质（Dielectric）“，选择New以激活电介质材料创建窗口
_Ns_$_ AJt4I
W@ 图3.电介质材料创建窗口
g<MCvC@ HQrx9CXE 4) 在图3中窗口创建第一种电解质材料：
R,W
w/D − Name : Guide
0u ,nSvch − Refractive Index (Re) : 3.3
+K"d\<
− 点击“Store”以保存创建的第一种电解质材料并关闭窗口
J|dj`Z ? 图4.创建Guide材料
-2y>X`1Y <VmEXJIk 5) 重复步骤3）和4），创建第二种电解质材料：
THnZbh4#) − Name : Cladding
l~GcD − Refractive Index (Re) : 3.27
93y!x} − 点击“Store”以保存创建的第一种电解质材料并关闭窗口
&fgfCZz' 图5.左图为创建Cladding材料，右图为材料创建成功后电解质材料标签下的显示 e>$E67h<~
(rjv3=9\3 6) 双击Profiles标签下的Channel-Channel1，进入通道编辑窗口，构建通道：
K=;oZYNd − Name ： Guide_Channel
x5W.
3* − 2D profile definition: Guide
qbQH1<yS< − 点击“Store”保存创建的通道并关闭通道编辑窗口，关闭Profile Designer窗口
(/Dr=D{ ` 图6.构建通道
R"[U<^ 2. 定义布局设定 -<aN$O 为了定义布局设定，需要在“初始性能对话框（Initial Properties）”窗口进行以下操作：
-{S: sK.o 1) 点击“默认波导（Default Waveguide）”标签
N
uq/y= − Width：2.8
]08
~"p 注意：所有的波导将会使用此设定以作为默认厚度
Ea?u5$>gY" − Profile：Channel-Guide
xtRHb''FX J, vEZT<Mt 
图7.默认波导标签下“Width”以及“Profile”设置
g2G HsVS 2) 切换到“晶圆尺寸（Wafer Dimension）”标签：
3 3b 3v\N − Length：5300− Width：60
UWq[K&vQZ
0o-KjX?kP 图8.设置晶圆尺寸
kV+O|9 3) 切换到“2D晶圆属性（2D Wafer Properties）”标签：− Material：Cladding
f#zm}+,` − 点击OK以激活布局窗口
nL&[R}@W 
图9.晶圆材料设置
I0C$ 4) 布局窗口
_ tpqo > 
^Euqy,8} 图10.默认情况下布局窗口显示
lAx^!#~\ 5) 调整显示比率，以便更好进行波导
结构布局设置：− View-Layout Options以激活布局设置选项窗口
:LBRyBV − Display ratio : Z=40,点击OK，如图11所示− 调整缩放比率为0.6 ，最终布局显示如图12所示
F<A[S " 
.wz.Jr`{ 图11.调整Z方向和X方向的显示比率
O{nM
yB 
0?8{q{ o+ 图12.最终布局显示
GJ4R f% 3. 创建一个MMI耦合器 为了构建一个MMI耦合器，需要进入如下操作：
:sXn*k4v 1) 在“绘图（Draw）”菜单下选择“线性波导（Linear Waveguide）”或者在波导栏 下选择线性波导2) 当鼠标指针变为十字叉时，点击布局窗口左侧，并向右侧拖拽波导后松开鼠标，以生成第一个线性波导
w&^_2<a2 
4Rev7Mc 图13 .绘制第一个线性波动
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na MLn \ b0 fr([g?F%D
