主要用于介绍如何在OptiBPM中创建一个简单的多模
干涉耦合器，主要步骤如下：
E+:.IuXW$ • 定义MMI耦合器的
材料；
\!m!ibr • 定义布局设定；
sb`& bA;i • 创建一个MMI耦合器；
}]tFz}E\ • 插入输入面；
N*HH,m& • 运行
模拟；
_qEWu Do • 在OptiBPM_Analyzer中预览模拟结果。
AmgWj/> ws. ?cCTpt 1. 定义MMI耦合器的材料 8IpxOA#jQ 为了定义MMI耦合器的材料，需要进行如下操作：
!W 0P `i< 1) 通过File-New打开“初始性能对话框（Initial Properties）“
KQ- ,W8Q5 图1.初始性能对话框
B,w:DX dG" K/| 2) 点击图1中的“轮廓和材料（Profiles And Materials）”以激活“轮廓设计窗口（Profile Designer）”
~@[(U!G 图2.轮廓设计窗口
]v<d0" 2 ^zKt{a 3) 右键单击图2中材料（Materials）标签下的“电介质（Dielectric）“，选择New以激活电介质材料创建窗口
`D4oAx d9 iJEB ?y 图3.电介质材料创建窗口
_w\Y{(k c{ ^i$ 4) 在图3中窗口创建第一种电解质材料：
G OH − Name : Guide
^}>zYt − Refractive Index (Re) : 3.3
;HR 6X − 点击“Store”以保存创建的第一种电解质材料并关闭窗口
te4F" SEf 图4.创建Guide材料
/rn" 7s0)3HR} 5) 重复步骤3）和4），创建第二种电解质材料：
P"oYC$ − Name : Cladding
u ,:CJ[3 − Refractive Index (Re) : 3.27
U LV)0SB − 点击“Store”以保存创建的第一种电解质材料并关闭窗口
f2 `P8$U)R 图5.左图为创建Cladding材料，右图为材料创建成功后电解质材料标签下的显示 w 9/nVu
~*jsB=XM/ 6) 双击Profiles标签下的Channel-Channel1，进入通道编辑窗口，构建通道：
]jZiW1C*a − Name ： Guide_Channel
U? {'n#n 5 − 2D profile definition: Guide
nXv 7OEpTx − 点击“Store”保存创建的通道并关闭通道编辑窗口，关闭Profile Designer窗口
)3BR[*u* 图6.构建通道
\8=e |a5` 2. 定义布局设定 c*Eok?O 为了定义布局设定，需要在“初始性能对话框（Initial Properties）”窗口进行以下操作：
F_ ,L 2J 1) 点击“默认波导（Default Waveguide）”标签
0m] ~J_ − Width：2.8
x%_qJ]o 注意：所有的波导将会使用此设定以作为默认厚度
8f /T!5 − Profile：Channel-Guide
){+.8KI W`w5jk'0^= 
图7.默认波导标签下“Width”以及“Profile”设置
-q'xC: m 2) 切换到“晶圆尺寸（Wafer Dimension）”标签：
HyZVr2 − Length：5300− Width：60
{E;2 &d 
/'R UA 图8.设置晶圆尺寸
GS$ZvO 3) 切换到“2D晶圆属性（2D Wafer Properties）”标签：− Material：Cladding
JR H f.? − 点击OK以激活布局窗口
.jvSAV5B 
图9.晶圆材料设置
6U;Jg_zS 4) 布局窗口
gJ<@;O8zu0 
6T R8D\
图10.默认情况下布局窗口显示
CP c" 5) 调整显示比率，以便更好进行波导
结构布局设置：− View-Layout Options以激活布局设置选项窗口
)?!vJb" − Display ratio : Z=40,点击OK，如图11所示− 调整缩放比率为0.6 ，最终布局显示如图12所示
+io;K]C 
+A]&AkTw 图11.调整Z方向和X方向的显示比率
&>&dhdTQ 
[
c ~LY4: 图12.最终布局显示
} l :mN 3. 创建一个MMI耦合器 为了构建一个MMI耦合器，需要进入如下操作：
54`bE$:+ 1) 在“绘图（Draw）”菜单下选择“线性波导（Linear Waveguide）”或者在波导栏 下选择线性波导2) 当鼠标指针变为十字叉时，点击布局窗口左侧，并向右侧拖拽波导后松开鼠标，以生成第一个线性波导
# )W8. 
7$g*N6)Q 图13 .绘制第一个线性波动
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