主要用于介绍如何在OptiBPM中创建一个简单的多模
干涉耦合器,主要步骤如下:
Y=WN4w • 定义MMI耦合器的
材料;
]RrP !|^ • 定义布局设定;
(HV~ '5D • 创建一个MMI耦合器;
\Q?|gfJH • 插入输入面;
X-ki%jp3 • 运行
模拟;
m^oi4mV • 在OptiBPM_Analyzer中预览模拟结果。
<*(UvOQuX ZTPOD.:# 1. 定义MMI耦合器的材料 %6c*dy 为了定义MMI耦合器的材料,需要进行如下操作:
X5oW[ 1) 通过File-New打开“初始性能对话框(Initial Properties)“
T.m)c%]^/ 图1.初始性能对话框
4k&O-70y4^ d`],l\oC 2) 点击图1中的“轮廓和材料(Profiles And Materials)”以激活“轮廓设计窗口(Profile Designer)”
C+#;L+$Gi 图2.轮廓设计窗口
M;TfD 84oW 3) 右键单击图2中材料(Materials)标签下的“电介质(Dielectric)“,选择New以激活电介质材料创建窗口
o YI=p3l s*~jvL 图3.电介质材料创建窗口
.L(j@I t 5vh"PlK`s 4) 在图3中窗口创建第一种电解质材料:
HfeflGme* − Name : Guide
5t5S{aCDr − Refractive Index (Re) : 3.3
FnQ_=b
− 点击“Store”以保存创建的第一种电解质材料并关闭窗口
f$S
QhK5` 图4.创建Guide材料
?D^,K`wY=B [sY1|eX 5) 重复步骤3)和4),创建第二种电解质材料:
=*>4Gh
i − Name : Cladding
7%"\DLA − Refractive Index (Re) : 3.27
)6R#k8'ERr − 点击“Store”以保存创建的第一种电解质材料并关闭窗口
Gv+Tg/ 图5.左图为创建Cladding材料,右图为材料创建成功后电解质材料标签下的显示 N5an9r&z(1
(R*jt,x 6) 双击Profiles标签下的Channel-Channel1,进入通道编辑窗口,构建通道:
F?,&y)ri − Name : Guide_Channel
.gkPG'm[ − 2D profile definition: Guide
]pP2c[; − 点击“Store”保存创建的通道并关闭通道编辑窗口,关闭Profile Designer窗口
674oL, 图6.构建通道
<%#y^_ 2. 定义布局设定 c+i`Zd.m< 为了定义布局设定,需要在“初始性能对话框(Initial Properties)”窗口进行以下操作:
\/4%[Q2QDm 1) 点击“默认波导(Default Waveguide)”标签
nh&<fnh − Width:2.8
z&vms 注意:所有的波导将会使用此设定以作为默认厚度
&eS70hq − Profile:Channel-Guide
5eSTT#[+R ._8cJf.ae 
图7.默认波导标签下“Width”以及“Profile”设置
dUtIAh-j 2) 切换到“晶圆尺寸(Wafer Dimension)”标签:
\lakT_x − Length:5300− Width:60
wukos5
9-iB?a7{. 图8.设置晶圆尺寸
~q|e];tA 3) 切换到“2D晶圆属性(2D Wafer Properties)”标签:− Material:Cladding
pBnf^Ew1 − 点击OK以激活布局窗口
j.N\U#3KK 
图9.晶圆材料设置
:E&T}RN 4) 布局窗口
yz$1qEII`q
#!&R7/
KdD 图10.默认情况下布局窗口显示
|QTqa~~B 5) 调整显示比率,以便更好进行波导
结构布局设置:− View-Layout Options以激活布局设置选项窗口
,p`bWm − Display ratio : Z=40,点击OK,如图11所示− 调整缩放比率为0.6 ,最终布局显示如图12所示
KB *#t
32|L
$o 图11.调整Z方向和X方向的显示比率
%s :
r~fl=2>yQ 图12.最终布局显示
@>nk^l 3. 创建一个MMI耦合器 为了构建一个MMI耦合器,需要进入如下操作:
GJt9hDM$0 1) 在“绘图(Draw)”菜单下选择“线性波导(Linear Waveguide)”或者在波导栏 下选择线性波导2) 当鼠标指针变为十字叉时,点击布局窗口左侧,并向右侧拖拽波导后松开鼠标,以生成第一个线性波导
yxUVM`.~
-qP[$Q 图13 .绘制第一个线性波动
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