主要用于介绍如何在OptiBPM中创建一个简单的多模
干涉耦合器,主要步骤如下:
,OaPrAt- • 定义MMI耦合器的
材料;
zE4TdT1y| • 定义布局设定;
}^3ICwzm • 创建一个MMI耦合器;
P<gr=& • 插入输入面;
`Ot;KDz • 运行
模拟;
km#Rh^ • 在OptiBPM_Analyzer中预览模拟结果。
:k.C|V!W [n;GP@A]R 1. 定义MMI耦合器的材料 `!iVMTp 为了定义MMI耦合器的材料,需要进行如下操作:
O'<cEv'B* 1) 通过File-New打开“初始性能对话框(Initial Properties)“
n42XqR 图1.初始性能对话框
SXf Aw)-n Lr`G. e 2) 点击图1中的“轮廓和材料(Profiles And Materials)”以激活“轮廓设计窗口(Profile Designer)”
Ax;i;<md 图2.轮廓设计窗口
ZA/:\6gm $P%b?Y/ 3) 右键单击图2中材料(Materials)标签下的“电介质(Dielectric)“,选择New以激活电介质材料创建窗口
k'$UA$2d Hb{G
RG70 图3.电介质材料创建窗口
ZAcW@xfb
)\r;|DN 4) 在图3中窗口创建第一种电解质材料:
v %fRq!~ − Name : Guide
Oe*+pReSD − Refractive Index (Re) : 3.3
vT>ki0P_; − 点击“Store”以保存创建的第一种电解质材料并关闭窗口
6H_7M(f 图4.创建Guide材料
|LNAd:0 /SDDCZ`;|c 5) 重复步骤3)和4),创建第二种电解质材料:
Z39I*-6F9W − Name : Cladding
B^u qu − Refractive Index (Re) : 3.27
H+ Y+8 − 点击“Store”以保存创建的第一种电解质材料并关闭窗口
!@[@xdV 图5.左图为创建Cladding材料,右图为材料创建成功后电解质材料标签下的显示 *w;=o}`
r % ]^( 6) 双击Profiles标签下的Channel-Channel1,进入通道编辑窗口,构建通道:
2K1odqO# − Name : Guide_Channel
=W~K_jE5lo − 2D profile definition: Guide
w$5#jJX\ − 点击“Store”保存创建的通道并关闭通道编辑窗口,关闭Profile Designer窗口
SecZ5(+= 图6.构建通道
r6*~WM|Sq7 2. 定义布局设定 0au\X$)Q 为了定义布局设定,需要在“初始性能对话框(Initial Properties)”窗口进行以下操作:
5U^ 1) 点击“默认波导(Default Waveguide)”标签
}6V` U9^g − Width:2.8
'cx&:s 注意:所有的波导将会使用此设定以作为默认厚度
BejeFV3 − Profile:Channel-Guide
N6BFs( -K K)}I` 
图7.默认波导标签下“Width”以及“Profile”设置
hVAP
) "5 2) 切换到“晶圆尺寸(Wafer Dimension)”标签:
KvrcO#-sL − Length:5300− Width:60
ywRwi~
g
:me:M 图8.设置晶圆尺寸
qs]7S^yw 3) 切换到“2D晶圆属性(2D Wafer Properties)”标签:− Material:Cladding
mnM!^[|z − 点击OK以激活布局窗口
.v3~2r*& 
图9.晶圆材料设置
Iq-+X3i 4) 布局窗口
&91U(Go
XfXqq[\N 图10.默认情况下布局窗口显示
do:3aP'S, 5) 调整显示比率,以便更好进行波导
结构布局设置:− View-Layout Options以激活布局设置选项窗口
L[Dr[ − Display ratio : Z=40,点击OK,如图11所示− 调整缩放比率为0.6 ,最终布局显示如图12所示
Ox` +Z0)a
=A,6KY=E 图11.调整Z方向和X方向的显示比率
jHxg(]
q!
+? 图12.最终布局显示
n^Qt !~ 3. 创建一个MMI耦合器 为了构建一个MMI耦合器,需要进入如下操作:
|hprk-R*OH 1) 在“绘图(Draw)”菜单下选择“线性波导(Linear Waveguide)”或者在波导栏 下选择线性波导2) 当鼠标指针变为十字叉时,点击布局窗口左侧,并向右侧拖拽波导后松开鼠标,以生成第一个线性波导
9)a:8/Y
6_# >s1`R 图13 .绘制第一个线性波动
rU/V~;#% Y!6,ty' =2z9Aq{