主要用于介绍如何在OptiBPM中创建一个简单的多模
干涉耦合器,主要步骤如下:
?orh JS • 定义MMI耦合器的
材料;
h zZ-$IX X • 定义布局设定;
hA*Z'.[ • 创建一个MMI耦合器;
z0 2}&^Zzk • 插入输入面;
4e@&QOo`Cu • 运行
模拟;
=0h|yjnL/ • 在OptiBPM_Analyzer中预览模拟结果。
t0e{|du [Iw>|q<e 1. 定义MMI耦合器的材料 |,;twj[?4 为了定义MMI耦合器的材料,需要进行如下操作:
\ I^nx+l 1) 通过File-New打开“初始性能对话框(Initial Properties)“
[O7w = 图1.初始性能对话框
9 $o < NTm<6Is` 2) 点击图1中的“轮廓和材料(Profiles And Materials)”以激活“轮廓设计窗口(Profile Designer)”
sK@Y!oF}\ 图2.轮廓设计窗口
goDV2alC^ .QXG"R 3) 右键单击图2中材料(Materials)标签下的“电介质(Dielectric)“,选择New以激活电介质材料创建窗口
/WgPXE B +_
*eu 图3.电介质材料创建窗口
7-".!M LBmM{Gu 4) 在图3中窗口创建第一种电解质材料:
t/KcXM − Name : Guide
-c+[6A>j − Refractive Index (Re) : 3.3
"H>r-cyh − 点击“Store”以保存创建的第一种电解质材料并关闭窗口
<rX\LwR 图4.创建Guide材料
]6{(Hjt nAo8uWG 5) 重复步骤3)和4),创建第二种电解质材料:
nTys4R − Name : Cladding
P>*Fj4Z~ − Refractive Index (Re) : 3.27
]By0Xifew − 点击“Store”以保存创建的第一种电解质材料并关闭窗口
i}PK$sa#c 图5.左图为创建Cladding材料,右图为材料创建成功后电解质材料标签下的显示 @up&q
]?0{(\ 6) 双击Profiles标签下的Channel-Channel1,进入通道编辑窗口,构建通道:
*A?8F"6> − Name : Guide_Channel
+`;+RDKY* − 2D profile definition: Guide
|XKOXa3. − 点击“Store”保存创建的通道并关闭通道编辑窗口,关闭Profile Designer窗口
*.,"N} 图6.构建通道
{ p1lae 2. 定义布局设定 o'C~~Vg). 为了定义布局设定,需要在“初始性能对话框(Initial Properties)”窗口进行以下操作:
{y,nFxLq 1) 点击“默认波导(Default Waveguide)”标签
[ rQMD^:M$ − Width:2.8
#^|| ]g/N 注意:所有的波导将会使用此设定以作为默认厚度
WD15pq l − Profile:Channel-Guide
"^;#f+0 CO-Iar 
图7.默认波导标签下“Width”以及“Profile”设置
z)4UMR#b& 2) 切换到“晶圆尺寸(Wafer Dimension)”标签:
{(rf/:X!p − Length:5300− Width:60
[34zh="o
UT3bd,, 图8.设置晶圆尺寸
C,o: 3) 切换到“2D晶圆属性(2D Wafer Properties)”标签:− Material:Cladding
/~40rXH2C − 点击OK以激活布局窗口
pw@`}cM= 
图9.晶圆材料设置
[6AHaOhR' 4) 布局窗口
8r,9OM
,H>W:O 图10.默认情况下布局窗口显示
\UQ9MX _ 5) 调整显示比率,以便更好进行波导
结构布局设置:− View-Layout Options以激活布局设置选项窗口
N0+hejz − Display ratio : Z=40,点击OK,如图11所示− 调整缩放比率为0.6 ,最终布局显示如图12所示
h`=r)D
r"R(}`<, 图11.调整Z方向和X方向的显示比率
\B_i$<Sz
'KH
lrmnr 图12.最终布局显示
WtIMvk 3. 创建一个MMI耦合器 为了构建一个MMI耦合器,需要进入如下操作:
c$9sF@K? 1) 在“绘图(Draw)”菜单下选择“线性波导(Linear Waveguide)”或者在波导栏 下选择线性波导2) 当鼠标指针变为十字叉时,点击布局窗口左侧,并向右侧拖拽波导后松开鼠标,以生成第一个线性波导
i8K_vo2Z)
Qh*)pt]n 图13 .绘制第一个线性波动
'e F% 9I85EcT^4" S+r^B?a<oM