主要用于介绍如何在OptiBPM中创建一个简单的多模
干涉耦合器,主要步骤如下:
<N_+=_ • 定义MMI耦合器的
材料;
N4L|;? • 定义布局设定;
QA5QweL • 创建一个MMI耦合器;
=jX8.K4] • 插入输入面;
"CUty"R8 • 运行
模拟;
>rJnayLF • 在OptiBPM_Analyzer中预览模拟结果。
,PWgH$+ lzYnw)Pv 1. 定义MMI耦合器的材料 IHJ=i- 为了定义MMI耦合器的材料,需要进行如下操作:
%we u 1f 1) 通过File-New打开“初始性能对话框(Initial Properties)“
/4`
0?/V 图1.初始性能对话框
0},PJ$8x x)rM/Kq 2) 点击图1中的“轮廓和材料(Profiles And Materials)”以激活“轮廓设计窗口(Profile Designer)”
h $L/<3oP6 图2.轮廓设计窗口
ML(
Eo DjN|Wr)* 3) 右键单击图2中材料(Materials)标签下的“电介质(Dielectric)“,选择New以激活电介质材料创建窗口
UG'9*(* X&0 uI*r 图3.电介质材料创建窗口
B,TB3
{ j}~86JO+Cw 4) 在图3中窗口创建第一种电解质材料:
{
T-'t/0e( − Name : Guide
*
v75O7l − Refractive Index (Re) : 3.3
l,,>& F − 点击“Store”以保存创建的第一种电解质材料并关闭窗口
Z(Bp 0a 图4.创建Guide材料
20Z8HwQi a^=-Mp 5) 重复步骤3)和4),创建第二种电解质材料:
AO=h
23ZI − Name : Cladding
BI $ − Refractive Index (Re) : 3.27
>|twyb − 点击“Store”以保存创建的第一种电解质材料并关闭窗口
bZ|FnY}FB 图5.左图为创建Cladding材料,右图为材料创建成功后电解质材料标签下的显示 2UFv9
yp66{o
6) 双击Profiles标签下的Channel-Channel1,进入通道编辑窗口,构建通道:
K9OYri^TQ − Name : Guide_Channel
KN7n@$8YM − 2D profile definition: Guide
j{Txl\D> − 点击“Store”保存创建的通道并关闭通道编辑窗口,关闭Profile Designer窗口
.R9IL-3fO 图6.构建通道
l PK
+$f$ 2. 定义布局设定 }w1~K'ck}> 为了定义布局设定,需要在“初始性能对话框(Initial Properties)”窗口进行以下操作:
zJ)*Z,7 1) 点击“默认波导(Default Waveguide)”标签
Up,vD)tG − Width:2.8
IaT$6\> 注意:所有的波导将会使用此设定以作为默认厚度
<j5NFJ9 − Profile:Channel-Guide
jSwf*u lhw ,J]0* 
图7.默认波导标签下“Width”以及“Profile”设置
av$/Om: 2) 切换到“晶圆尺寸(Wafer Dimension)”标签:
?_Q/}@` − Length:5300− Width:60
;uW}`Q<
Sp^9&^ 图8.设置晶圆尺寸
t$A%*JBKm 3) 切换到“2D晶圆属性(2D Wafer Properties)”标签:− Material:Cladding
|j VM&R2s − 点击OK以激活布局窗口
}C#;fp"L 
图9.晶圆材料设置
@)-$kk* 4) 布局窗口
-tyK~aasQ
cdG|m[ 图10.默认情况下布局窗口显示
m
q{]; 5) 调整显示比率,以便更好进行波导
结构布局设置:− View-Layout Options以激活布局设置选项窗口
V2i@.@$j − Display ratio : Z=40,点击OK,如图11所示− 调整缩放比率为0.6 ,最终布局显示如图12所示
]@0NO;bK>F
a)#1{JaoY 图11.调整Z方向和X方向的显示比率
6p?JAT5
*0>mB 图12.最终布局显示
JGH60| 3. 创建一个MMI耦合器 为了构建一个MMI耦合器,需要进入如下操作:
@$2))g` 1) 在“绘图(Draw)”菜单下选择“线性波导(Linear Waveguide)”或者在波导栏 下选择线性波导2) 当鼠标指针变为十字叉时,点击布局窗口左侧,并向右侧拖拽波导后松开鼠标,以生成第一个线性波导
X_g 3rv1J
h<SQL97N 图13 .绘制第一个线性波动
ZG du| ^4`Px/& v0ES;