主要用于介绍如何在OptiBPM中创建一个简单的多模
干涉耦合器，主要步骤如下：
JFx=X=C • 定义MMI耦合器的
材料；
g ->cgExj • 定义布局设定；
*
%p6+D-C • 创建一个MMI耦合器；
!=(~e':Gv • 插入输入面；
|okS7.|IX • 运行
模拟；
cGw* edgp6 • 在OptiBPM_Analyzer中预览模拟结果。
pU`4bT(w% 28L3"c 1. 定义MMI耦合器的材料 >r7{e:~q 为了定义MMI耦合器的材料，需要进行如下操作：
c43" o 1) 通过File-New打开“初始性能对话框（Initial Properties）“
GI}h )T 图1.初始性能对话框
:%Dw3IrOM t
7D2k2x9 2) 点击图1中的“轮廓和材料（Profiles And Materials）”以激活“轮廓设计窗口（Profile Designer）”
NJb5HoYZ 图2.轮廓设计窗口
Hh=D :kE /8baJ+D"4\ 3) 右键单击图2中材料（Materials）标签下的“电介质（Dielectric）“，选择New以激活电介质材料创建窗口
oLcOp.8h[ ;|v6^2H" 图3.电介质材料创建窗口
a_5 `9B L JHN3 5a+ 4) 在图3中窗口创建第一种电解质材料：
8phc ekh+ − Name : Guide
` ` o:N` − Refractive Index (Re) : 3.3
~y{(&7sM − 点击“Store”以保存创建的第一种电解质材料并关闭窗口
@>'.F<:P< 图4.创建Guide材料
M>df7.N7%P
&UG7
g 5) 重复步骤3）和4），创建第二种电解质材料：
rm*Jo|eH` − Name : Cladding
ap k06"/ − Refractive Index (Re) : 3.27
(S+tQ2bt − 点击“Store”以保存创建的第一种电解质材料并关闭窗口
$smzP. V 图5.左图为创建Cladding材料，右图为材料创建成功后电解质材料标签下的显示 /U[Y w)
94L
P )n 6) 双击Profiles标签下的Channel-Channel1，进入通道编辑窗口，构建通道：
SGMLs'D − Name ： Guide_Channel
r=dFk?8XbC − 2D profile definition: Guide
_N~h#( − 点击“Store”保存创建的通道并关闭通道编辑窗口，关闭Profile Designer窗口
vs|>U-Mpw~ 图6.构建通道
7 >EjP&l 2. 定义布局设定 x,"'\=|s* 为了定义布局设定，需要在“初始性能对话框（Initial Properties）”窗口进行以下操作：
<{.o+~k 1) 点击“默认波导（Default Waveguide）”标签
8cy#[{u`; − Width：2.8
)+[IR 注意：所有的波导将会使用此设定以作为默认厚度
dX0A(6 − Profile：Channel-Guide
[#H$@g|CT :0pxacD"! 
图7.默认波导标签下“Width”以及“Profile”设置
9 ="i'nYp 2) 切换到“晶圆尺寸（Wafer Dimension）”标签：
{ hUbK+dKZ − Length：5300− Width：60
"V:B-q 
]* -9zo0 图8.设置晶圆尺寸
uls r)Ik 3) 切换到“2D晶圆属性（2D Wafer Properties）”标签：− Material：Cladding
GE=#8-@g~p − 点击OK以激活布局窗口
=rS z>l 
图9.晶圆材料设置
O&]Y. Z9,A 4) 布局窗口
m*h
d%1D 
z%t >z9hU 图10.默认情况下布局窗口显示
pL L
^R 5) 调整显示比率，以便更好进行波导
结构布局设置：− View-Layout Options以激活布局设置选项窗口
, %X~/V − Display ratio : Z=40,点击OK，如图11所示− 调整缩放比率为0.6 ，最终布局显示如图12所示
xmZ]mu,,$ 
C^ RO@kM 图11.调整Z方向和X方向的显示比率
o<loc Z 
4O[T:9mn0 图12.最终布局显示
RLr;]j8cm 3. 创建一个MMI耦合器 为了构建一个MMI耦合器，需要进入如下操作：
\}t(g}7 T 1) 在“绘图（Draw）”菜单下选择“线性波导（Linear Waveguide）”或者在波导栏 下选择线性波导2) 当鼠标指针变为十字叉时，点击布局窗口左侧，并向右侧拖拽波导后松开鼠标，以生成第一个线性波导
z7F~;IB*u 
/kyuL]6 图13 .绘制第一个线性波动
d;|Pp;dc KcP86H52I z (r Q6
