主要用于介绍如何在OptiBPM中创建一个简单的多模
干涉耦合器，主要步骤如下：
bfcD5:q • 定义MMI耦合器的
材料；
Yk( NZ3O • 定义布局设定；
`PXoJl • 创建一个MMI耦合器；
@`# OC# • 插入输入面；
DK2c]i^|= • 运行
模拟；
<e@I1iL37y • 在OptiBPM_Analyzer中预览模拟结果。
0b!fWS?,k0 1',+&2)oj 1. 定义MMI耦合器的材料 I$rW[l2 为了定义MMI耦合器的材料，需要进行如下操作：
Yqq$ kln 1) 通过File-New打开“初始性能对话框（Initial Properties）“
Ke'YM{ 图1.初始性能对话框
Z3&XTsq M)bC%(xJ 2) 点击图1中的“轮廓和材料（Profiles And Materials）”以激活“轮廓设计窗口（Profile Designer）”
',v0vyO8 图2.轮廓设计窗口
T1Ln)CS?9 DR#3njjEC 3) 右键单击图2中材料（Materials）标签下的“电介质（Dielectric）“，选择New以激活电介质材料创建窗口
sIP6GWK$ C={sE*&dYX 图3.电介质材料创建窗口
+9& ulr Xmw2$MCB 4) 在图3中窗口创建第一种电解质材料：
wpPxEp/ − Name : Guide
/jn:e"0~ − Refractive Index (Re) : 3.3
2b vYF ;<r − 点击“Store”以保存创建的第一种电解质材料并关闭窗口
~c WLu5 图4.创建Guide材料
#CBo 476M` gA 5) 重复步骤3）和4），创建第二种电解质材料：
SV$A Ss − Name : Cladding
t/4/G']W − Refractive Index (Re) : 3.27
GL oL4el − 点击“Store”以保存创建的第一种电解质材料并关闭窗口
|2+c D R 图5.左图为创建Cladding材料，右图为材料创建成功后电解质材料标签下的显示 k; 9#4^4(
CVn;RF6 6) 双击Profiles标签下的Channel-Channel1，进入通道编辑窗口，构建通道：
JJ= ~o@|c − Name ： Guide_Channel
2g`uC} − 2D profile definition: Guide
Fp* & os − 点击“Store”保存创建的通道并关闭通道编辑窗口，关闭Profile Designer窗口
l a6 e` 图6.构建通道
LQuYCfj| 2. 定义布局设定 l-JKcsM 为了定义布局设定，需要在“初始性能对话框（Initial Properties）”窗口进行以下操作：
V3. vE, 1) 点击“默认波导（Default Waveguide）”标签
G!f E'B − Width：2.8
)xXrs^ 注意：所有的波导将会使用此设定以作为默认厚度
P- *R N
− Profile：Channel-Guide
{;wK,dU 0Mzc1dG: 
图7.默认波导标签下“Width”以及“Profile”设置
" 1\RdTw 2) 切换到“晶圆尺寸（Wafer Dimension）”标签：
n,R[O_9u[ − Length：5300− Width：60
yM\tbT/l 
+b:h5, 图8.设置晶圆尺寸
b]s%B.h 3) 切换到“2D晶圆属性（2D Wafer Properties）”标签：− Material：Cladding
0b RkC,N
( − 点击OK以激活布局窗口
|Cxip&e> 
图9.晶圆材料设置
}tg:DG 4) 布局窗口
YQw/[ 
E,nYtn|B 图10.默认情况下布局窗口显示
#gr+%=S'6C 5) 调整显示比率，以便更好进行波导
结构布局设置：− View-Layout Options以激活布局设置选项窗口
\1c`) − Display ratio : Z=40,点击OK，如图11所示− 调整缩放比率为0.6 ，最终布局显示如图12所示
i(TDJ@} 
A1&>L9nUx 图11.调整Z方向和X方向的显示比率
1+y6W1 m^R 
jTxChR 图12.最终布局显示
b&_u
O 3. 创建一个MMI耦合器 为了构建一个MMI耦合器，需要进入如下操作：
W.7d{
@n 1) 在“绘图（Draw）”菜单下选择“线性波导（Linear Waveguide）”或者在波导栏 下选择线性波导2) 当鼠标指针变为十字叉时，点击布局窗口左侧，并向右侧拖拽波导后松开鼠标，以生成第一个线性波导
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k}owEBsn} 图13 .绘制第一个线性波动
H;"N|pBy _yXe X rSFXchD/
