主要用于介绍如何在OptiBPM中创建一个简单的多模
干涉耦合器,主要步骤如下:
pxF!<nN1, • 定义MMI耦合器的
材料;
<uvshZv • 定义布局设定;
#7>CLjI • 创建一个MMI耦合器;
okv7@8U#p • 插入输入面;
@|@43}M]C- • 运行
模拟;
ieI-_]|[ • 在OptiBPM_Analyzer中预览模拟结果。
joG>=o ..t=Y# 1. 定义MMI耦合器的材料 2V]2jxOQ 为了定义MMI耦合器的材料,需要进行如下操作:
pGFocw 1) 通过File-New打开“初始性能对话框(Initial Properties)“
a$GKrc,z 图1.初始性能对话框
4D13K.h`O "f3>20} 2) 点击图1中的“轮廓和材料(Profiles And Materials)”以激活“轮廓设计窗口(Profile Designer)”
-FI1$ 图2.轮廓设计窗口
u"%fz8v pIXQ/(h31 3) 右键单击图2中材料(Materials)标签下的“电介质(Dielectric)“,选择New以激活电介质材料创建窗口
"duJl- A3n"zxU 图3.电介质材料创建窗口
u *<
(B P#xn!fMi 4) 在图3中窗口创建第一种电解质材料:
".\(A f2 − Name : Guide
SS`C0&I@p − Refractive Index (Re) : 3.3
j7d;1 zB+G − 点击“Store”以保存创建的第一种电解质材料并关闭窗口
uv5@Alm 图4.创建Guide材料
fCfY.vd5 [h1{{Nb#ez 5) 重复步骤3)和4),创建第二种电解质材料:
EkX6> mo − Name : Cladding
K"1J1>CHQ − Refractive Index (Re) : 3.27
-O5m@rwt< − 点击“Store”以保存创建的第一种电解质材料并关闭窗口
&<V~s/n=6? 图5.左图为创建Cladding材料,右图为材料创建成功后电解质材料标签下的显示 J0 P
{ SfU! 6) 双击Profiles标签下的Channel-Channel1,进入通道编辑窗口,构建通道:
;W].j%]Le − Name : Guide_Channel
zN1;v6; − 2D profile definition: Guide
\a!<^|C& − 点击“Store”保存创建的通道并关闭通道编辑窗口,关闭Profile Designer窗口
~iWSc8- 图6.构建通道
)N<!3yOz 2. 定义布局设定 j66@E\dN 为了定义布局设定,需要在“初始性能对话框(Initial Properties)”窗口进行以下操作:
<G>PPf} 1) 点击“默认波导(Default Waveguide)”标签
*v+ fkg − Width:2.8
H4,yuV 注意:所有的波导将会使用此设定以作为默认厚度
<c#[.{A}s − Profile:Channel-Guide
w(D9' K="+2]{I 
图7.默认波导标签下“Width”以及“Profile”设置
c'2ra/?k 2) 切换到“晶圆尺寸(Wafer Dimension)”标签:
V'.|IuN − Length:5300− Width:60
#7=LI\
ooQ( bF 图8.设置晶圆尺寸
9o`3g@6z 3) 切换到“2D晶圆属性(2D Wafer Properties)”标签:− Material:Cladding
EMG*8HRI>r − 点击OK以激活布局窗口
MeX1y]<It 
图9.晶圆材料设置
2e"}5b5 4) 布局窗口
jq)|Uq'6
F!{SeH: 图10.默认情况下布局窗口显示
YC'~8\x3z 5) 调整显示比率,以便更好进行波导
结构布局设置:− View-Layout Options以激活布局设置选项窗口
$w\ , ."y − Display ratio : Z=40,点击OK,如图11所示− 调整缩放比率为0.6 ,最终布局显示如图12所示
6ZBD$1$A!
7Cf(y'w^ 图11.调整Z方向和X方向的显示比率
%Qq)=J<H;
]Ho`*$dD 图12.最终布局显示
8H?AL
RG 3. 创建一个MMI耦合器 为了构建一个MMI耦合器,需要进入如下操作:
P vwIO_W 1) 在“绘图(Draw)”菜单下选择“线性波导(Linear Waveguide)”或者在波导栏 下选择线性波导2) 当鼠标指针变为十字叉时,点击布局窗口左侧,并向右侧拖拽波导后松开鼠标,以生成第一个线性波导
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h.0K
PF]O 图13 .绘制第一个线性波动
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