主要用于介绍如何在OptiBPM中创建一个简单的多模
干涉耦合器,主要步骤如下:
qU1^ K • 定义MMI耦合器的
材料;
m#(tBfH[ • 定义布局设定;
y.LJ5K$&a • 创建一个MMI耦合器;
q hPvU(
, • 插入输入面;
4G%!t`?q • 运行
模拟;
"?lm`3W" • 在OptiBPM_Analyzer中预览模拟结果。
A-"}aCmik M99gDN 1. 定义MMI耦合器的材料 jmAQ!y|W. 为了定义MMI耦合器的材料,需要进行如下操作:
~4Gs\U:!Q 1) 通过File-New打开“初始性能对话框(Initial Properties)“
gyI(O>e 图1.初始性能对话框
!"dbK'jb^ (j%d{y4 2) 点击图1中的“轮廓和材料(Profiles And Materials)”以激活“轮廓设计窗口(Profile Designer)”
1xJc[q 图2.轮廓设计窗口
iE|qU_2Y UI*^$7z1 + 3) 右键单击图2中材料(Materials)标签下的“电介质(Dielectric)“,选择New以激活电介质材料创建窗口
Au6*hv3: sp0j2<$a 图3.电介质材料创建窗口
qXGAlCq@ 9 pGND]tIi 4) 在图3中窗口创建第一种电解质材料:
+!I7(gL − Name : Guide
@R|Gz/ − Refractive Index (Re) : 3.3
Y{ho[% − 点击“Store”以保存创建的第一种电解质材料并关闭窗口
NdS6j'%B@7 图4.创建Guide材料
cdDMV%V h9McC 3 5) 重复步骤3)和4),创建第二种电解质材料:
3q>6gaTv − Name : Cladding
nC3U%*l − Refractive Index (Re) : 3.27
vu%:0p`K − 点击“Store”以保存创建的第一种电解质材料并关闭窗口
PC_#kz 图5.左图为创建Cladding材料,右图为材料创建成功后电解质材料标签下的显示 GnE%C2L-
ERW>G{+ 6) 双击Profiles标签下的Channel-Channel1,进入通道编辑窗口,构建通道:
z|Hc=AU8y − Name : Guide_Channel
LWB"}#vt − 2D profile definition: Guide
\;?=h − 点击“Store”保存创建的通道并关闭通道编辑窗口,关闭Profile Designer窗口
CWVCYm@!kz 图6.构建通道
w>IYrSaa> 2. 定义布局设定 brkR,(#L3 为了定义布局设定,需要在“初始性能对话框(Initial Properties)”窗口进行以下操作:
ICD(#m 1) 点击“默认波导(Default Waveguide)”标签
>+[uV^2[ − Width:2.8
Ty"OJ 注意:所有的波导将会使用此设定以作为默认厚度
!9!kb − Profile:Channel-Guide
Y2
&N#~l* TU&t 1_6 
图7.默认波导标签下“Width”以及“Profile”设置
1@nGD<,. 2) 切换到“晶圆尺寸(Wafer Dimension)”标签:
# $:ddOY − Length:5300− Width:60
8?GS :+
,KlTitJl\+ 图8.设置晶圆尺寸
h^P>,dy0 3) 切换到“2D晶圆属性(2D Wafer Properties)”标签:− Material:Cladding
74 c1i − 点击OK以激活布局窗口
9})!~r;| 
图9.晶圆材料设置
];waK2'2 4) 布局窗口
JM#jg-z,~
?-g=Rfpag 图10.默认情况下布局窗口显示
K_iy^|0)5] 5) 调整显示比率,以便更好进行波导
结构布局设置:− View-Layout Options以激活布局设置选项窗口
:\@WY − Display ratio : Z=40,点击OK,如图11所示− 调整缩放比率为0.6 ,最终布局显示如图12所示
lD!o4ZAo
iQczvn)"m 图11.调整Z方向和X方向的显示比率
G4Zs(:a
T/
CI?sn 图12.最终布局显示
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.~Psw# 3. 创建一个MMI耦合器 为了构建一个MMI耦合器,需要进入如下操作:
Jy'ge4]3 1) 在“绘图(Draw)”菜单下选择“线性波导(Linear Waveguide)”或者在波导栏 下选择线性波导2) 当鼠标指针变为十字叉时,点击布局窗口左侧,并向右侧拖拽波导后松开鼠标,以生成第一个线性波导
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H( `^1 图13 .绘制第一个线性波动
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