主要用于介绍如何在OptiBPM中创建一个简单的多模
干涉耦合器,主要步骤如下:
fOJyY[ • 定义MMI耦合器的
材料;
e#wn;wo? • 定义布局设定;
&Lw| t_y • 创建一个MMI耦合器;
@;0Ep0[ • 插入输入面;
JF7T1T • 运行
模拟;
8c9_=8vw • 在OptiBPM_Analyzer中预览模拟结果。
FD<~?- 8Y9mB#X 1. 定义MMI耦合器的材料 Z+?j8(:n 为了定义MMI耦合器的材料,需要进行如下操作:
G4i&:0 1) 通过File-New打开“初始性能对话框(Initial Properties)“
M@8(h= 图1.初始性能对话框
S(Pal/-" tua+R_" 2) 点击图1中的“轮廓和材料(Profiles And Materials)”以激活“轮廓设计窗口(Profile Designer)”
{9)f~EbM! 图2.轮廓设计窗口
(.c?)_G, wcO+P7g 3) 右键单击图2中材料(Materials)标签下的“电介质(Dielectric)“,选择New以激活电介质材料创建窗口
3eB2=_V` y&
)z\8 图3.电介质材料创建窗口
{XVSHUtw Ul=`]@]] 4) 在图3中窗口创建第一种电解质材料:
Y4_i=}\*vf − Name : Guide
^^Ius ] − Refractive Index (Re) : 3.3
vq{:=:5'P − 点击“Store”以保存创建的第一种电解质材料并关闭窗口
ZA!vxQ?P, 图4.创建Guide材料
((y+FJH U+K_eEI0_I 5) 重复步骤3)和4),创建第二种电解质材料:
. &e,8 − Name : Cladding
NM4 n − Refractive Index (Re) : 3.27
dCHU* 7DS − 点击“Store”以保存创建的第一种电解质材料并关闭窗口
u!Z&c7kPI 图5.左图为创建Cladding材料,右图为材料创建成功后电解质材料标签下的显示 h41v}5!-
0<Y)yNsV 6) 双击Profiles标签下的Channel-Channel1,进入通道编辑窗口,构建通道:
w4OVfTlN − Name : Guide_Channel
~"-wSAm − 2D profile definition: Guide
*"#>Ov> − 点击“Store”保存创建的通道并关闭通道编辑窗口,关闭Profile Designer窗口
%spR7J\"/ 图6.构建通道
{f!m m3'2v 2. 定义布局设定 AOTI&v 为了定义布局设定,需要在“初始性能对话框(Initial Properties)”窗口进行以下操作:
-Xj+7}4 1) 点击“默认波导(Default Waveguide)”标签
A`@we − Width:2.8
9+L!
A 注意:所有的波导将会使用此设定以作为默认厚度
}, ]W/ − Profile:Channel-Guide
B *:6U+I !u^(<.xJ

图7.默认波导标签下“Width”以及“Profile”设置
0q/g:"|j 2) 切换到“晶圆尺寸(Wafer Dimension)”标签:
?Z;knX\?J − Length:5300− Width:60
*P_TG"^{W
$,
=n 图8.设置晶圆尺寸
k -SUp8}g 3) 切换到“2D晶圆属性(2D Wafer Properties)”标签:− Material:Cladding
MZ{)`7acR\ − 点击OK以激活布局窗口
IlwY5i L 
图9.晶圆材料设置
L<E`~\C' 4) 布局窗口
SO}Hc;Q1`
3&}wfK]X 图10.默认情况下布局窗口显示
q*
m%Fv 5) 调整显示比率,以便更好进行波导
结构布局设置:− View-Layout Options以激活布局设置选项窗口
0n1y$*I4 − Display ratio : Z=40,点击OK,如图11所示− 调整缩放比率为0.6 ,最终布局显示如图12所示
0s4%22
2LgRgY{Bl 图11.调整Z方向和X方向的显示比率
r+) A)a,
kcQ
|Zg 图12.最终布局显示
E;h#3
B9 3. 创建一个MMI耦合器 为了构建一个MMI耦合器,需要进入如下操作:
%N!Y}$y 1) 在“绘图(Draw)”菜单下选择“线性波导(Linear Waveguide)”或者在波导栏 下选择线性波导2) 当鼠标指针变为十字叉时,点击布局窗口左侧,并向右侧拖拽波导后松开鼠标,以生成第一个线性波导
=Y89X6
)9Jt550( 图13 .绘制第一个线性波动
QtRKmry{ A }dl@ qD%Jf4.0j