主要用于介绍如何在OptiBPM中创建一个简单的多模
干涉耦合器,主要步骤如下:
(Q}ijwj • 定义MMI耦合器的
材料;
WD1$"}R • 定义布局设定;
vPq\reKe • 创建一个MMI耦合器;
/9#jv]C: • 插入输入面;
G7{:d • 运行
模拟;
Jg6[/7*m • 在OptiBPM_Analyzer中预览模拟结果。
P@![P Ij i 58CA? 1. 定义MMI耦合器的材料 +~AI(h 为了定义MMI耦合器的材料,需要进行如下操作:
qUg4-Z4 1) 通过File-New打开“初始性能对话框(Initial Properties)“
*\+'tFT6 图1.初始性能对话框
@Oay$gP{T JKbB, 2) 点击图1中的“轮廓和材料(Profiles And Materials)”以激活“轮廓设计窗口(Profile Designer)”
Mo=-P2)>lt 图2.轮廓设计窗口
U,(+rMeY0 X~4:sJ\P= 3) 右键单击图2中材料(Materials)标签下的“电介质(Dielectric)“,选择New以激活电介质材料创建窗口
4hz,F/ I ~ZC=!|Q# 图3.电介质材料创建窗口
hiM!htc;M @_nhA/rlc 4) 在图3中窗口创建第一种电解质材料:
*9&YkVw~ − Name : Guide
Q1B!W − Refractive Index (Re) : 3.3
(R,n`x2^ − 点击“Store”以保存创建的第一种电解质材料并关闭窗口
8TvPCZ$x 图4.创建Guide材料
J#WPXE+Ds \F3t&: 5) 重复步骤3)和4),创建第二种电解质材料:
pQ\ [F − Name : Cladding
]<= t − Refractive Index (Re) : 3.27
bGa":|}F − 点击“Store”以保存创建的第一种电解质材料并关闭窗口
jO.E#Ei}~ 图5.左图为创建Cladding材料,右图为材料创建成功后电解质材料标签下的显示 r!uAofIi_
03;(v% 6) 双击Profiles标签下的Channel-Channel1,进入通道编辑窗口,构建通道:
2p ,6=8^v − Name : Guide_Channel
".Ug
A\0 − 2D profile definition: Guide
\2b9A'd> − 点击“Store”保存创建的通道并关闭通道编辑窗口,关闭Profile Designer窗口
K`<P^XJr 图6.构建通道
=@MKU 2. 定义布局设定 "YZ`g}sG 为了定义布局设定,需要在“初始性能对话框(Initial Properties)”窗口进行以下操作:
0w]?yqnE 1) 点击“默认波导(Default Waveguide)”标签
}@4*0_g"Aw − Width:2.8
5gEK$7Vp 注意:所有的波导将会使用此设定以作为默认厚度
OR{"9)I − Profile:Channel-Guide
pn|{P<b\ =ByW` 图7.默认波导标签下“Width”以及“Profile”设置
56dl;Z) 2) 切换到“晶圆尺寸(Wafer Dimension)”标签:
;0E4S − Length:5300− Width:60
~3 (>_r >6q@Tr 图8.设置晶圆尺寸
"bH ~CG:Y 3) 切换到“2D晶圆属性(2D Wafer Properties)”标签:− Material:Cladding
F6/bq/s − 点击OK以激活布局窗口
4|thDb)] 图9.晶圆材料设置
| <$O5b' 4) 布局窗口
&aOOG8l &jcr7{cD 图10.默认情况下布局窗口显示
Y8T.RS0 5) 调整显示比率,以便更好进行波导
结构布局设置:− View-Layout Options以激活布局设置选项窗口
#>'0C6Xn
− Display ratio : Z=40,点击OK,如图11所示− 调整缩放比率为0.6 ,最终布局显示如图12所示
i/Z5/(zF v\C+G[MV7 图11.调整Z方向和X方向的显示比率
}S4Fy3) {HeMdGn9 图12.最终布局显示
~Ua0pS? 3. 创建一个MMI耦合器 为了构建一个MMI耦合器,需要进入如下操作:
P/5r(l5 1) 在“绘图(Draw)”菜单下选择“线性波导(Linear Waveguide)”或者在波导栏 下选择线性波导2) 当鼠标指针变为十字叉时,点击布局窗口左侧,并向右侧拖拽波导后松开鼠标,以生成第一个线性波导
]&>)=b!, =
'[@UVH(Z 图13 .绘制第一个线性波动
O(!'V~3 QWEK;kUa@ %LyB~X