主要用于介绍如何在OptiBPM中创建一个简单的多模
干涉耦合器,主要步骤如下:
YwbRzY-#F • 定义MMI耦合器的
材料;
"7w~0?} • 定义布局设定;
8|-j]
• 创建一个MMI耦合器;
XwZ~pY ~ • 插入输入面;
$q"/q*ys • 运行
模拟;
Lg;b17 • 在OptiBPM_Analyzer中预览模拟结果。
UxGr+q 0n FEPMO 1. 定义MMI耦合器的材料 P4\{be>e 为了定义MMI耦合器的材料,需要进行如下操作:
8LI
aN} 1) 通过File-New打开“初始性能对话框(Initial Properties)“
7g* "AEk 图1.初始性能对话框
R04%;p:k# g431+O0K1 2) 点击图1中的“轮廓和材料(Profiles And Materials)”以激活“轮廓设计窗口(Profile Designer)”
8vk*", 图2.轮廓设计窗口
2&e2/KEWR 2yB@)?V/ 3) 右键单击图2中材料(Materials)标签下的“电介质(Dielectric)“,选择New以激活电介质材料创建窗口
DGs=.U-=e Vxr_2Kra 图3.电介质材料创建窗口
>e
g8zN 2#srecIz-! 4) 在图3中窗口创建第一种电解质材料:
.o27uB. − Name : Guide
:Dh\ − Refractive Index (Re) : 3.3
y v$@i A − 点击“Store”以保存创建的第一种电解质材料并关闭窗口
eT(/D/jan 图4.创建Guide材料
^#6"d+lp Lip(r3 5) 重复步骤3)和4),创建第二种电解质材料:
{Df97n%h; − Name : Cladding
;)6LX- − Refractive Index (Re) : 3.27
#NoY}* − 点击“Store”以保存创建的第一种电解质材料并关闭窗口
3SI~?&HU!/ 图5.左图为创建Cladding材料,右图为材料创建成功后电解质材料标签下的显示 "mbjS(-eg
5l(8{,NDt 6) 双击Profiles标签下的Channel-Channel1,进入通道编辑窗口,构建通道:
)2nx5" − Name : Guide_Channel
$uPM.mPFE − 2D profile definition: Guide
P#8+GN+bF − 点击“Store”保存创建的通道并关闭通道编辑窗口,关闭Profile Designer窗口
2qA"emUM 图6.构建通道
?{)s dJe 2. 定义布局设定 ;^[VqFpeS 为了定义布局设定,需要在“初始性能对话框(Initial Properties)”窗口进行以下操作:
8\AyKw 1) 点击“默认波导(Default Waveguide)”标签
|D@/4B1P − Width:2.8
~PTqR2x 注意:所有的波导将会使用此设定以作为默认厚度
+#B4Z'nT − Profile:Channel-Guide
m'!smSx8 tRUGgf` 
图7.默认波导标签下“Width”以及“Profile”设置
GlVb |O" 2) 切换到“晶圆尺寸(Wafer Dimension)”标签:
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