主要用于介绍如何在OptiBPM中创建一个简单的多模
干涉耦合器,主要步骤如下:
yD1*^~ loJ • 定义MMI耦合器的
材料;
hD<z^j+ • 定义布局设定;
]&/jvA=\l, • 创建一个MMI耦合器;
};o R x) • 插入输入面;
3\=8tg p • 运行
模拟;
O#O~A| • 在OptiBPM_Analyzer中预览模拟结果。
IX7d[nm39 n_Um)GI> 1. 定义MMI耦合器的材料 C,2IET 为了定义MMI耦合器的材料,需要进行如下操作:
I.x0$ac7 1) 通过File-New打开“初始性能对话框(Initial Properties)“
vCH>Fj"7 图1.初始性能对话框
-D:J$d
6R< RB/[(4 2) 点击图1中的“轮廓和材料(Profiles And Materials)”以激活“轮廓设计窗口(Profile Designer)”
*XH?|SV 图2.轮廓设计窗口
4L!{U@' Jr17pu(t 3) 右键单击图2中材料(Materials)标签下的“电介质(Dielectric)“,选择New以激活电介质材料创建窗口
aS~k.^N KXw
\N! 图3.电介质材料创建窗口
tB(Q-c mf}?z21vD 4) 在图3中窗口创建第一种电解质材料:
nr&G4t+%Hv − Name : Guide
czMLvPXRx − Refractive Index (Re) : 3.3
P]Gsc − 点击“Store”以保存创建的第一种电解质材料并关闭窗口
9k 7|B>LT 图4.创建Guide材料
}i[i{lKj DP;B*s4{U 5) 重复步骤3)和4),创建第二种电解质材料:
Slv}6at5 − Name : Cladding
hNx`=D9[7 − Refractive Index (Re) : 3.27
J=zZGd% − 点击“Store”以保存创建的第一种电解质材料并关闭窗口
$Z{ fKr 图5.左图为创建Cladding材料,右图为材料创建成功后电解质材料标签下的显示 ?\vJ8H[bD
CKh-+8j 6) 双击Profiles标签下的Channel-Channel1,进入通道编辑窗口,构建通道:
;uoH+`pf − Name : Guide_Channel
)%^ oR5W − 2D profile definition: Guide
I*lq0& − 点击“Store”保存创建的通道并关闭通道编辑窗口,关闭Profile Designer窗口
~ S-x-cZ 图6.构建通道
QJ"Bd`wc 2. 定义布局设定 2A`EFk7_X 为了定义布局设定,需要在“初始性能对话框(Initial Properties)”窗口进行以下操作:
U +mx@C_ 1) 点击“默认波导(Default Waveguide)”标签
{xM%3 − Width:2.8
6 Dg[b 注意:所有的波导将会使用此设定以作为默认厚度
)3)L − Profile:Channel-Guide
m7M*)N8 8l='H l 
图7.默认波导标签下“Width”以及“Profile”设置
d+&V^qLJ 2) 切换到“晶圆尺寸(Wafer Dimension)”标签:
|;D[Al5AMc − Length:5300− Width:60
"r"Y9KODm
hJd#Gc~*M 图8.设置晶圆尺寸
sXhtn'<v 3) 切换到“2D晶圆属性(2D Wafer Properties)”标签:− Material:Cladding
}Bc6:a − 点击OK以激活布局窗口
Wb4sfP_ 
图9.晶圆材料设置
m%Ef]({I 4) 布局窗口
.7)A8R7Wt
!/jx4w~R 图10.默认情况下布局窗口显示
4&y_+ 5) 调整显示比率,以便更好进行波导
结构布局设置:− View-Layout Options以激活布局设置选项窗口
l,v:[N − Display ratio : Z=40,点击OK,如图11所示− 调整缩放比率为0.6 ,最终布局显示如图12所示
JWn9&WK
&0>{mq}p,: 图11.调整Z方向和X方向的显示比率
|xf%1(Rl@
5n9F\T5 图12.最终布局显示
Upv2s:wa}z 3. 创建一个MMI耦合器 为了构建一个MMI耦合器,需要进入如下操作:
P%/+?(? 1) 在“绘图(Draw)”菜单下选择“线性波导(Linear Waveguide)”或者在波导栏 下选择线性波导2) 当鼠标指针变为十字叉时,点击布局窗口左侧,并向右侧拖拽波导后松开鼠标,以生成第一个线性波导
CiMy_`H
iOJgZuP 图13 .绘制第一个线性波动
Tl=vgs1 _puQX@i @EZXPU