主要用于介绍如何在OptiBPM中创建一个简单的多模
干涉耦合器,主要步骤如下:
$_ &Lp\ • 定义MMI耦合器的
材料;
U"SH
fI: • 定义布局设定;
3c%dErch • 创建一个MMI耦合器;
DL*/hbG • 插入输入面;
\:7G1_o • 运行
模拟;
gAFu • 在OptiBPM_Analyzer中预览模拟结果。
/"Z6\T9 QYS 1.k 1. 定义MMI耦合器的材料 aRt`IcZYz 为了定义MMI耦合器的材料,需要进行如下操作:
wWh)yfPh8H 1) 通过File-New打开“初始性能对话框(Initial Properties)“
6!QY)H^j9, 图1.初始性能对话框
G6*P]< !L|}/u3v 2) 点击图1中的“轮廓和材料(Profiles And Materials)”以激活“轮廓设计窗口(Profile Designer)”
}KEL{VUX 图2.轮廓设计窗口
hN#A3FFo L #L3heb&9 3) 右键单击图2中材料(Materials)标签下的“电介质(Dielectric)“,选择New以激活电介质材料创建窗口
S)n+E\c 6ct'O**k*& 图3.电介质材料创建窗口
U3oMY{{EJ
_klT 4) 在图3中窗口创建第一种电解质材料:
sWG_MEbu − Name : Guide
V"A*k^} − Refractive Index (Re) : 3.3
CC,f*I − 点击“Store”以保存创建的第一种电解质材料并关闭窗口
f+WN=-F\ 图4.创建Guide材料
GC#s;X Exu5|0AAE 5) 重复步骤3)和4),创建第二种电解质材料:
YA?46[: − Name : Cladding
ktEdbALK − Refractive Index (Re) : 3.27
_NwB7@ e − 点击“Store”以保存创建的第一种电解质材料并关闭窗口
[B2g{8{! 图5.左图为创建Cladding材料,右图为材料创建成功后电解质材料标签下的显示 yJ0q)x sS
^8z~`he=_J 6) 双击Profiles标签下的Channel-Channel1,进入通道编辑窗口,构建通道:
"t
^yM`$5[ − Name : Guide_Channel
$2><4~T;|A − 2D profile definition: Guide
I1Jhvyd?$ − 点击“Store”保存创建的通道并关闭通道编辑窗口,关闭Profile Designer窗口
+N3f{-{"Yo 图6.构建通道
u`ezQvrcy 2. 定义布局设定 _ Vo35kA 为了定义布局设定,需要在“初始性能对话框(Initial Properties)”窗口进行以下操作:
^!FLi7X 1) 点击“默认波导(Default Waveguide)”标签
t[|aM-F&> − Width:2.8
L-,C5^ 注意:所有的波导将会使用此设定以作为默认厚度
>508-)' − Profile:Channel-Guide
eBN!!Y:7 VhfMj| 
图7.默认波导标签下“Width”以及“Profile”设置
H1fKe=$1 2) 切换到“晶圆尺寸(Wafer Dimension)”标签:
R= co2 5 − Length:5300− Width:60
ua8Burl7
I@M3u/7 图8.设置晶圆尺寸
S.! n35 3) 切换到“2D晶圆属性(2D Wafer Properties)”标签:− Material:Cladding
mne?r3d − 点击OK以激活布局窗口
kGkfLY6B 
图9.晶圆材料设置
==ZL0 ][ 4) 布局窗口
BYKONZu
Y9w^F_relL 图10.默认情况下布局窗口显示
?c6`p3p3L 5) 调整显示比率,以便更好进行波导
结构布局设置:− View-Layout Options以激活布局设置选项窗口
U;qGUqI − Display ratio : Z=40,点击OK,如图11所示− 调整缩放比率为0.6 ,最终布局显示如图12所示
]Jum(1Bo
2 {I(A2 图11.调整Z方向和X方向的显示比率
Z`jSpgWR
sI OT6L^7 图12.最终布局显示
eKv{N\E 3. 创建一个MMI耦合器 为了构建一个MMI耦合器,需要进入如下操作:
71I: P|.> 1) 在“绘图(Draw)”菜单下选择“线性波导(Linear Waveguide)”或者在波导栏 下选择线性波导2) 当鼠标指针变为十字叉时,点击布局窗口左侧,并向右侧拖拽波导后松开鼠标,以生成第一个线性波导
TGSkJ 1Lx
B]lM69Hz 图13 .绘制第一个线性波动
2zlBrjk; {kdS t1 u|Tg*B