主要用于介绍如何在OptiBPM中创建一个简单的多模
干涉耦合器,主要步骤如下:
M9 2~iM • 定义MMI耦合器的
材料;
iQ]c
k- • 定义布局设定;
)[M<72 • 创建一个MMI耦合器;
iq^L~RW5e • 插入输入面;
CF}Nom) • 运行
模拟;
@X6#$ex • 在OptiBPM_Analyzer中预览模拟结果。
'G3OZj8 \(>$mtS: 1. 定义MMI耦合器的材料 a]wcA 为了定义MMI耦合器的材料,需要进行如下操作:
k>0cTBY& 1) 通过File-New打开“初始性能对话框(Initial Properties)“
rIFC#Jd/ 图1.初始性能对话框
^<
/vbF ^qus `6 2) 点击图1中的“轮廓和材料(Profiles And Materials)”以激活“轮廓设计窗口(Profile Designer)”
<]e;tF)+ 图2.轮廓设计窗口
ma-Y' &9lc\Y4PY 3) 右键单击图2中材料(Materials)标签下的“电介质(Dielectric)“,选择New以激活电介质材料创建窗口
rLw[y$2 yxP ?O@( 图3.电介质材料创建窗口
dYqDL<se/I X.AOp 4) 在图3中窗口创建第一种电解质材料:
(&]15 FJ$1 − Name : Guide
Ah>krE0t − Refractive Index (Re) : 3.3
qQ
DFg` − 点击“Store”以保存创建的第一种电解质材料并关闭窗口
wCTR-pL^ 图4.创建Guide材料
7}1Kafs
1707 5) 重复步骤3)和4),创建第二种电解质材料:
9MzkG87J − Name : Cladding
CG>2,pP, − Refractive Index (Re) : 3.27
'lRHdD}s − 点击“Store”以保存创建的第一种电解质材料并关闭窗口
^R'!\m|FR 图5.左图为创建Cladding材料,右图为材料创建成功后电解质材料标签下的显示 +e]b,9.sR
.sR&9FH 6) 双击Profiles标签下的Channel-Channel1,进入通道编辑窗口,构建通道:
:*Ggz| − Name : Guide_Channel
Lr\ B − 2D profile definition: Guide
MW[ 4^ − 点击“Store”保存创建的通道并关闭通道编辑窗口,关闭Profile Designer窗口
>)A 图6.构建通道
re7\nZ<\| 2. 定义布局设定 B*iz+"H 为了定义布局设定,需要在“初始性能对话框(Initial Properties)”窗口进行以下操作:
gcCYXPZp 1) 点击“默认波导(Default Waveguide)”标签
^%X\ }>< − Width:2.8
~M^7qO 注意:所有的波导将会使用此设定以作为默认厚度
rH:X/i;D − Profile:Channel-Guide
O/^w!
:z' z%dlajYm: 
图7.默认波导标签下“Width”以及“Profile”设置
e(\S,@VN2 2) 切换到“晶圆尺寸(Wafer Dimension)”标签:
taEMr> / − Length:5300− Width:60
fG$.DvJuK
}7z+ 图8.设置晶圆尺寸
f$W}d0(F; 3) 切换到“2D晶圆属性(2D Wafer Properties)”标签:− Material:Cladding
5)v^
cR?& − 点击OK以激活布局窗口
K ':pU1 
图9.晶圆材料设置
WblV`"~e 4) 布局窗口
%dU'$)
KC-aLq/ 图10.默认情况下布局窗口显示
D&m"~wI 5) 调整显示比率,以便更好进行波导
结构布局设置:− View-Layout Options以激活布局设置选项窗口
U(]5U^ − Display ratio : Z=40,点击OK,如图11所示− 调整缩放比率为0.6 ,最终布局显示如图12所示
}Z?[Ut
Jc?ssm\% 图11.调整Z方向和X方向的显示比率
{]Iu">*
<r`Jn49 图12.最终布局显示
842+KLS 3. 创建一个MMI耦合器 为了构建一个MMI耦合器,需要进入如下操作:
l<:E+lU 1) 在“绘图(Draw)”菜单下选择“线性波导(Linear Waveguide)”或者在波导栏 下选择线性波导2) 当鼠标指针变为十字叉时,点击布局窗口左侧,并向右侧拖拽波导后松开鼠标,以生成第一个线性波导
RF2XJJ
/aa;M*Qp 图13 .绘制第一个线性波动
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