主要用于介绍如何在OptiBPM中创建一个简单的多模
干涉耦合器，主要步骤如下：
|E @G sw • 定义MMI耦合器的
材料；
9[5NnRv$P • 定义布局设定；
R = HN>(U • 创建一个MMI耦合器；
@t`| w.]ml • 插入输入面；
z.23i^Q • 运行
模拟；
GV)#>PL • 在OptiBPM_Analyzer中预览模拟结果。
[:$j<}UmB [ d<|Cde 1. 定义MMI耦合器的材料 ,
6\i 为了定义MMI耦合器的材料，需要进行如下操作：
FVLXq0<Cj 1) 通过File-New打开“初始性能对话框（Initial Properties）“
YlOYgr^ 图1.初始性能对话框
g92M\5
x9 M0o=bYI 2) 点击图1中的“轮廓和材料（Profiles And Materials）”以激活“轮廓设计窗口（Profile Designer）”
(omdmT%D 图2.轮廓设计窗口
9\TvX!)h _ J&u{ 3) 右键单击图2中材料（Materials）标签下的“电介质（Dielectric）“，选择New以激活电介质材料创建窗口
q ,d]i/T rBs7,h 图3.电介质材料创建窗口
pPCxa#OV E=g D{1,? 4) 在图3中窗口创建第一种电解质材料：
S6 }_Z − Name : Guide
sAk~`(:4! − Refractive Index (Re) : 3.3
s9'g'O5 − 点击“Store”以保存创建的第一种电解质材料并关闭窗口
fT._Os?i 图4.创建Guide材料
EH3jzE3N (d993~|h 5) 重复步骤3）和4），创建第二种电解质材料：
;~z>GJox − Name : Cladding
-a3+C,I8g − Refractive Index (Re) : 3.27
P;KbS~ SlC − 点击“Store”以保存创建的第一种电解质材料并关闭窗口
h0n0Dc{4 图5.左图为创建Cladding材料，右图为材料创建成功后电解质材料标签下的显示 W_8 FzXA
?>q=Nf^ Q. 6) 双击Profiles标签下的Channel-Channel1，进入通道编辑窗口，构建通道：
8!>uC&bE8 − Name ： Guide_Channel
2bX !-h − 2D profile definition: Guide
&m8B%9w − 点击“Store”保存创建的通道并关闭通道编辑窗口，关闭Profile Designer窗口
D]y6*Ha 图6.构建通道
bXq,iX 2. 定义布局设定 9Y HSL[ 为了定义布局设定，需要在“初始性能对话框（Initial Properties）”窗口进行以下操作：
EN.yU!N.4 1) 点击“默认波导（Default Waveguide）”标签
UkN C|#l) − Width：2.8
H?40yu2m5 注意：所有的波导将会使用此设定以作为默认厚度
hl}#bZ8] − Profile：Channel-Guide
?O4Dhu i[3$Wi$ 
图7.默认波导标签下“Width”以及“Profile”设置
%9mB4Fc6b) 2) 切换到“晶圆尺寸（Wafer Dimension）”标签：
0x^$q?
\A − Length：5300− Width：60
Vu`dEv L? 
TOMvJ>bF 图8.设置晶圆尺寸
b{s E#m%r 3) 切换到“2D晶圆属性（2D Wafer Properties）”标签：− Material：Cladding
E\m?0]W| − 点击OK以激活布局窗口
.NjdkHYR 
图9.晶圆材料设置
m)_1->K 4) 布局窗口
\<lV), 
`H/HLCt 图10.默认情况下布局窗口显示
Zy*} C,Z 5) 调整显示比率，以便更好进行波导
结构布局设置：− View-Layout Options以激活布局设置选项窗口
+\Q6Onqr − Display ratio : Z=40,点击OK，如图11所示− 调整缩放比率为0.6 ，最终布局显示如图12所示
O-T/H-J` 
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(4 图11.调整Z方向和X方向的显示比率
i e.cTTOI 
8" 8{Nf-" 图12.最终布局显示
4Hzbb# 3. 创建一个MMI耦合器 为了构建一个MMI耦合器，需要进入如下操作：
}sJ% InL 1) 在“绘图（Draw）”菜单下选择“线性波导（Linear Waveguide）”或者在波导栏 下选择线性波导2) 当鼠标指针变为十字叉时，点击布局窗口左侧，并向右侧拖拽波导后松开鼠标，以生成第一个线性波导
"r"]NyM 
m}uF&|5 图13 .绘制第一个线性波动
aqzvT5*8% ;SC|VcbyH y_ $^Po
