主要用于介绍如何在OptiBPM中创建一个简单的多模
干涉耦合器，主要步骤如下：
E;'{qp • 定义MMI耦合器的
材料；
PBE i"`i • 定义布局设定；
u#y)+A2&! • 创建一个MMI耦合器；
CK|AXz+EN • 插入输入面；
cH :&S=>h • 运行
模拟；
-`z%<)!Y • 在OptiBPM_Analyzer中预览模拟结果。
Fo%`X[ ? `(P71T 1. 定义MMI耦合器的材料 Uugq.'> 为了定义MMI耦合器的材料，需要进行如下操作：
:J x%K 1) 通过File-New打开“初始性能对话框（Initial Properties）“
{ ] 0T 图1.初始性能对话框
<4@8T7
|)0 Ta 9~ 2) 点击图1中的“轮廓和材料（Profiles And Materials）”以激活“轮廓设计窗口（Profile Designer）”
;l0% yg/} 图2.轮廓设计窗口
#D?w,<_8, lua c 3) 右键单击图2中材料（Materials）标签下的“电介质（Dielectric）“，选择New以激活电介质材料创建窗口
7Lj:m.0O^ ]c|JxgU 图3.电介质材料创建窗口
s`[V{1m , I 0 x;rP 4) 在图3中窗口创建第一种电解质材料：
` l'QAIo − Name : Guide
t,0}}9%? − Refractive Index (Re) : 3.3
''! j:49 − 点击“Store”以保存创建的第一种电解质材料并关闭窗口
(Nd)$Oq[4 图4.创建Guide材料
+ !nf?5; vgg)f~ 5) 重复步骤3）和4），创建第二种电解质材料：
=`N 0 − Name : Cladding
ePaC8sd0 − Refractive Index (Re) : 3.27
<pKOFN%m − 点击“Store”以保存创建的第一种电解质材料并关闭窗口
55] MRv 图5.左图为创建Cladding材料，右图为材料创建成功后电解质材料标签下的显示 ' gD./|Z0
,VUOsNN4\ 6) 双击Profiles标签下的Channel-Channel1，进入通道编辑窗口，构建通道：
jeA2y jAC − Name ： Guide_Channel
>f-RzQ k − 2D profile definition: Guide
/n$R-Q − 点击“Store”保存创建的通道并关闭通道编辑窗口，关闭Profile Designer窗口
on5\rY<I:@ 图6.构建通道
gX n `! 2. 定义布局设定 $ rbr&TJ 为了定义布局设定，需要在“初始性能对话框（Initial Properties）”窗口进行以下操作：
KiE'O{Y 1) 点击“默认波导（Default Waveguide）”标签
v6! `H − Width：2.8
Hv :~)h$ 注意：所有的波导将会使用此设定以作为默认厚度
)Wt&*WMFXl − Profile：Channel-Guide
8NE[L#k `j hbKgR[ 
图7.默认波导标签下“Width”以及“Profile”设置
10r!p: D 2) 切换到“晶圆尺寸（Wafer Dimension）”标签：
K)Z~ iBRM − Length：5300− Width：60
Ro<5 c_k 
i*&b@.7N 图8.设置晶圆尺寸
FLkZ Z\ 3) 切换到“2D晶圆属性（2D Wafer Properties）”标签：− Material：Cladding
<Zfh5AM − 点击OK以激活布局窗口
OH]45bd
&7 
图9.晶圆材料设置
i\.(6hf+ 4) 布局窗口
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)MoHY 图10.默认情况下布局窗口显示
/1.Z=@ 7 5) 调整显示比率，以便更好进行波导
结构布局设置：− View-Layout Options以激活布局设置选项窗口
1sJz`+\ − Display ratio : Z=40,点击OK，如图11所示− 调整缩放比率为0.6 ，最终布局显示如图12所示
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>>y\idg&: 图11.调整Z方向和X方向的显示比率
]ERAt^$0 
W4( 图12.最终布局显示
d}Y#l}!E6 3. 创建一个MMI耦合器 为了构建一个MMI耦合器，需要进入如下操作：
<RH%F hT 1) 在“绘图（Draw）”菜单下选择“线性波导（Linear Waveguide）”或者在波导栏 下选择线性波导2) 当鼠标指针变为十字叉时，点击布局窗口左侧，并向右侧拖拽波导后松开鼠标，以生成第一个线性波导
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5UK}AkEe&x 图13 .绘制第一个线性波动
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