主要用于介绍如何在OptiBPM中创建一个简单的多模
干涉耦合器，主要步骤如下：
O5?Eb • 定义MMI耦合器的
材料；
;$Jvqq|T • 定义布局设定；
iE`aGoA • 创建一个MMI耦合器；
F)w83[5_d • 插入输入面；
?0a 0 R • 运行
模拟；
t_dg$K B • 在OptiBPM_Analyzer中预览模拟结果。
Zv\b`Cf } S@)bl 1. 定义MMI耦合器的材料 v], DBw9 为了定义MMI耦合器的材料，需要进行如下操作：
Fm':sd)'X 1) 通过File-New打开“初始性能对话框（Initial Properties）“
QR'g*Bro 图1.初始性能对话框
h)vTu%J: .
6dT5x8u 2) 点击图1中的“轮廓和材料（Profiles And Materials）”以激活“轮廓设计窗口（Profile Designer）”
;I'/.gW;{ 图2.轮廓设计窗口
]Dg0@Y B_2>Y t" 3) 右键单击图2中材料（Materials）标签下的“电介质（Dielectric）“，选择New以激活电介质材料创建窗口
nW_ PEIr-qs%D 图3.电介质材料创建窗口
eb\`)MI/ 9A(K_ d-!H 4) 在图3中窗口创建第一种电解质材料：
|lwN!KVQ, − Name : Guide
cx(F,?SbS − Refractive Index (Re) : 3.3
""^BW Re D − 点击“Store”以保存创建的第一种电解质材料并关闭窗口
55b |zf 图4.创建Guide材料
e~;) -Z #>B1 $(@ 5) 重复步骤3）和4），创建第二种电解质材料：
=_J<thp − Name : Cladding
rC `s;w − Refractive Index (Re) : 3.27
) `7+o9& − 点击“Store”以保存创建的第一种电解质材料并关闭窗口
{{%8|+B 图5.左图为创建Cladding材料，右图为材料创建成功后电解质材料标签下的显示 \#,# _
{VG[m@ 6) 双击Profiles标签下的Channel-Channel1，进入通道编辑窗口，构建通道：
86F+N _>Z − Name ： Guide_Channel
jgw'MpQm{ − 2D profile definition: Guide
*AR<DXE L − 点击“Store”保存创建的通道并关闭通道编辑窗口，关闭Profile Designer窗口
em !R9J. 图6.构建通道
^X %4@,AE 2. 定义布局设定 'a?.X _t 为了定义布局设定，需要在“初始性能对话框（Initial Properties）”窗口进行以下操作：
> C&<dO# i 1) 点击“默认波导（Default Waveguide）”标签
G3^]Ww u − Width：2.8
mm<iT59 注意：所有的波导将会使用此设定以作为默认厚度
u>6/_^iq − Profile：Channel-Guide
1>x@1Mo+K -xIhN?r) 
图7.默认波导标签下“Width”以及“Profile”设置
kQl cT"R 2) 切换到“晶圆尺寸（Wafer Dimension）”标签：
_hL4@ C − Length：5300− Width：60
,nRwwFd. 
HCkqh4 图8.设置晶圆尺寸
L)Ar{*xC 3) 切换到“2D晶圆属性（2D Wafer Properties）”标签：− Material：Cladding
v^_]W 3K − 点击OK以激活布局窗口
bk9~63tN+> 
图9.晶圆材料设置
-f|^}j? 4) 布局窗口
"sX?wTag 
jI<WzvhYG 图10.默认情况下布局窗口显示
'/gwC7*-& 5) 调整显示比率，以便更好进行波导
结构布局设置：− View-Layout Options以激活布局设置选项窗口
6 Ok=q:; − Display ratio : Z=40,点击OK，如图11所示− 调整缩放比率为0.6 ，最终布局显示如图12所示
T KL(97)< 
k:)u7A + 图11.调整Z方向和X方向的显示比率
:42;c:8 5 
y"L`bl A9} 图12.最终布局显示
`4$Qv'X* 3. 创建一个MMI耦合器 为了构建一个MMI耦合器，需要进入如下操作：
A<CXd t+t 1) 在“绘图（Draw）”菜单下选择“线性波导（Linear Waveguide）”或者在波导栏 下选择线性波导2) 当鼠标指针变为十字叉时，点击布局窗口左侧，并向右侧拖拽波导后松开鼠标，以生成第一个线性波导
<O)X89dFM 
Fd,+(i D 图13 .绘制第一个线性波动
MGyB8( &~A*(+S T1!Gr! =
