主要用于介绍如何在OptiBPM中创建一个简单的多模
干涉耦合器,主要步骤如下:
Iuu<2#gb8" • 定义MMI耦合器的
材料;
.Y u<% • 定义布局设定;
W(&Go'9e" • 创建一个MMI耦合器;
'<?v:pb9 • 插入输入面;
#JL&]Z+X6 • 运行
模拟;
:$M9XZ~\ • 在OptiBPM_Analyzer中预览模拟结果。
9<t9a
f\.> vLv|SqD 1. 定义MMI耦合器的材料 nc3ltT,R 为了定义MMI耦合器的材料,需要进行如下操作:
VQy9Y 1) 通过File-New打开“初始性能对话框(Initial Properties)“
;#Jq$v)D 图1.初始性能对话框
Gg=aK~q6 #MhNdH# 2) 点击图1中的“轮廓和材料(Profiles And Materials)”以激活“轮廓设计窗口(Profile Designer)”
@4/~~ 图2.轮廓设计窗口
aPD?Bh>JU $z2xZqe 3) 右键单击图2中材料(Materials)标签下的“电介质(Dielectric)“,选择New以激活电介质材料创建窗口
.N5hV3 n0+g]|a
AF 图3.电介质材料创建窗口
6[+\CS7Lt bU;}!iVc] 4) 在图3中窗口创建第一种电解质材料:
c!\.[2n − Name : Guide
6CcB-@n4 − Refractive Index (Re) : 3.3
K/f>f; c − 点击“Store”以保存创建的第一种电解质材料并关闭窗口
?(5o@Xq 图4.创建Guide材料
qZ8|B D'7A2 f 5) 重复步骤3)和4),创建第二种电解质材料:
tJUVw= − Name : Cladding
=@xN(]( − Refractive Index (Re) : 3.27
9GMH*=3[= − 点击“Store”以保存创建的第一种电解质材料并关闭窗口
%^a]J"Ydi8 图5.左图为创建Cladding材料,右图为材料创建成功后电解质材料标签下的显示 DC?21[60
"XGD:>Q. 6) 双击Profiles标签下的Channel-Channel1,进入通道编辑窗口,构建通道:
h]kn%?fpmB − Name : Guide_Channel
42b. 7E − 2D profile definition: Guide
"bD+/\ z − 点击“Store”保存创建的通道并关闭通道编辑窗口,关闭Profile Designer窗口
"%{,T 图6.构建通道
RDUT3H6~ 2. 定义布局设定 E|HSwTHe 为了定义布局设定,需要在“初始性能对话框(Initial Properties)”窗口进行以下操作:
5~@?>)TBv 1) 点击“默认波导(Default Waveguide)”标签
vC)"*wYB{ − Width:2.8
p//T7rs 注意:所有的波导将会使用此设定以作为默认厚度
lo cW_/ − Profile:Channel-Guide
! 9d_Gf- ~gu=x&{ 
图7.默认波导标签下“Width”以及“Profile”设置
u|(Ux~O
2) 切换到“晶圆尺寸(Wafer Dimension)”标签:
J+{Ou rWt − Length:5300− Width:60
lbQ6
a
ooTc/QEYi 图8.设置晶圆尺寸
`+roQX.p 3) 切换到“2D晶圆属性(2D Wafer Properties)”标签:− Material:Cladding
/3J z3 − 点击OK以激活布局窗口
Yuwc$Qp) 
图9.晶圆材料设置
O4m(Er@a 4) 布局窗口
"/Y<G
mbF(tSy 图10.默认情况下布局窗口显示
1)$%Jr 5) 调整显示比率,以便更好进行波导
结构布局设置:− View-Layout Options以激活布局设置选项窗口
MQwIPjk8 − Display ratio : Z=40,点击OK,如图11所示− 调整缩放比率为0.6 ,最终布局显示如图12所示
J"diFz+20
ec`bz "1 图11.调整Z方向和X方向的显示比率
JDkCUN 5
znt)]>f# 图12.最终布局显示
~V @;(_T 3. 创建一个MMI耦合器 为了构建一个MMI耦合器,需要进入如下操作:
0yn[L3x7 1) 在“绘图(Draw)”菜单下选择“线性波导(Linear Waveguide)”或者在波导栏 下选择线性波导2) 当鼠标指针变为十字叉时,点击布局窗口左侧,并向右侧拖拽波导后松开鼠标,以生成第一个线性波导
J5O.*&
p= {Jf}v 图13 .绘制第一个线性波动
W0Ktw6 24//21m fi=0{