主要用于介绍如何在OptiBPM中创建一个简单的多模
干涉耦合器,主要步骤如下:
{1|7N
GQ • 定义MMI耦合器的
材料;
NfF:[qwh • 定义布局设定;
l$_rA~Mo • 创建一个MMI耦合器;
mtddLd, • 插入输入面;
,
% jTXb • 运行
模拟;
Tpx,41(k • 在OptiBPM_Analyzer中预览模拟结果。
^\jX5)2{ `0|&T;7 1. 定义MMI耦合器的材料 g}QTZT8 为了定义MMI耦合器的材料,需要进行如下操作:
S=SncMO nE 1) 通过File-New打开“初始性能对话框(Initial Properties)“
$4JX#lkt 图1.初始性能对话框
:-" jKw s,H(m8#> 2) 点击图1中的“轮廓和材料(Profiles And Materials)”以激活“轮廓设计窗口(Profile Designer)”
>[4|6k|\x 图2.轮廓设计窗口
_C=[bI@ iGVb.=) 3) 右键单击图2中材料(Materials)标签下的“电介质(Dielectric)“,选择New以激活电介质材料创建窗口
Q$/F gS
>Eg .c 图3.电介质材料创建窗口
}AZx/[k
|z l zPS
RT 4) 在图3中窗口创建第一种电解质材料:
jYID44$ − Name : Guide
F{~r7y;0 − Refractive Index (Re) : 3.3
14!a)Ijl − 点击“Store”以保存创建的第一种电解质材料并关闭窗口
.eB"la|d 图4.创建Guide材料
4Xk;Qd b:cK >fh0_ 5) 重复步骤3)和4),创建第二种电解质材料:
bu]Se6%} − Name : Cladding
P Xn>x8z − Refractive Index (Re) : 3.27
9~%]|_( − 点击“Store”以保存创建的第一种电解质材料并关闭窗口
^i)Q
CDU7 图5.左图为创建Cladding材料,右图为材料创建成功后电解质材料标签下的显示 _|wY[YJ[
lv_% 6) 双击Profiles标签下的Channel-Channel1,进入通道编辑窗口,构建通道:
3l(;Pt-yI − Name : Guide_Channel
@ZR4%A"X4 − 2D profile definition: Guide
7C7(bg,7^ − 点击“Store”保存创建的通道并关闭通道编辑窗口,关闭Profile Designer窗口
@^6OV) 图6.构建通道
ieRBD6_ 2. 定义布局设定 ss@}Dt^ 为了定义布局设定,需要在“初始性能对话框(Initial Properties)”窗口进行以下操作:
4m[C-NB!g 1) 点击“默认波导(Default Waveguide)”标签
'#
IuY − Width:2.8
JX$NEq( 注意:所有的波导将会使用此设定以作为默认厚度
\If!5N − Profile:Channel-Guide
;6
6_G Sjz 5@t uo`k 
图7.默认波导标签下“Width”以及“Profile”设置
*
r4/|.l 2) 切换到“晶圆尺寸(Wafer Dimension)”标签:
9iddanQA − Length:5300− Width:60
vJAAAS
2n;;Tso" 图8.设置晶圆尺寸
CSqb)\8Oi* 3) 切换到“2D晶圆属性(2D Wafer Properties)”标签:− Material:Cladding
~EWfEHf*BJ − 点击OK以激活布局窗口
V& j.>Y 
图9.晶圆材料设置
2G}7R5``9 4) 布局窗口
D)ne *},
DEp%\sj? 图10.默认情况下布局窗口显示
p2c=;5|/Q 5) 调整显示比率,以便更好进行波导
结构布局设置:− View-Layout Options以激活布局设置选项窗口
*5_8\7d − Display ratio : Z=40,点击OK,如图11所示− 调整缩放比率为0.6 ,最终布局显示如图12所示
QDgEJ%U-
9_A0:S9Z 图11.调整Z方向和X方向的显示比率
vWi.[]
ivUsMhx>S, 图12.最终布局显示
.6 ?>t!&W 3. 创建一个MMI耦合器 为了构建一个MMI耦合器,需要进入如下操作:
#[0\=B- 1) 在“绘图(Draw)”菜单下选择“线性波导(Linear Waveguide)”或者在波导栏 下选择线性波导2) 当鼠标指针变为十字叉时,点击布局窗口左侧,并向右侧拖拽波导后松开鼠标,以生成第一个线性波导
[gh[F
NuS|X
图13 .绘制第一个线性波动
E,D:D3O nL(%&z \4 )\D40,p