主要用于介绍如何在OptiBPM中创建一个简单的多模
干涉耦合器，主要步骤如下：
.+}o'rU • 定义MMI耦合器的
材料；
IQe[ CcM • 定义布局设定；
i0Q
_f!j • 创建一个MMI耦合器；
jSp&mD*xv • 插入输入面；
=@=R)C4f* • 运行
模拟；
M mH_gR • 在OptiBPM_Analyzer中预览模拟结果。
_PUm
Pom. Cnci%e o 1. 定义MMI耦合器的材料 j%jd@z ]@ 为了定义MMI耦合器的材料，需要进行如下操作：
i03}f%JnuO 1) 通过File-New打开“初始性能对话框（Initial Properties）“
FNCLGAiZ 图1.初始性能对话框
`yX+NRi(s O) %kl 2) 点击图1中的“轮廓和材料（Profiles And Materials）”以激活“轮廓设计窗口（Profile Designer）”
e.|RC 图2.轮廓设计窗口
7u5\# |yL KG mc*Jwy 3) 右键单击图2中材料（Materials）标签下的“电介质（Dielectric）“，选择New以激活电介质材料创建窗口
5|G3t`$pa nvo1+W (% 图3.电介质材料创建窗口
p6*a1^lU6 gzCMJ<3!D 4) 在图3中窗口创建第一种电解质材料：
$1zeY6 O − Name : Guide
U4l*;od − Refractive Index (Re) : 3.3
=z1o}ga=EA − 点击“Store”以保存创建的第一种电解质材料并关闭窗口
9$V_=Bo 图4.创建Guide材料
}9udo,RWu 124L3AG 5) 重复步骤3）和4），创建第二种电解质材料：
" IkF/ − Name : Cladding
[=ak>>8 − Refractive Index (Re) : 3.27
_JJKbi − 点击“Store”以保存创建的第一种电解质材料并关闭窗口
I5 yd )72 图5.左图为创建Cladding材料，右图为材料创建成功后电解质材料标签下的显示 s/vOxGc
R|J>8AL}BY 6) 双击Profiles标签下的Channel-Channel1，进入通道编辑窗口，构建通道：
C=aj & − Name ： Guide_Channel
3k*:B~1 − 2D profile definition: Guide
+ M
O5'z − 点击“Store”保存创建的通道并关闭通道编辑窗口，关闭Profile Designer窗口
=>}.W:= 图6.构建通道
^Z4q1i) JO 2. 定义布局设定 k-cIb@+" 为了定义布局设定，需要在“初始性能对话框（Initial Properties）”窗口进行以下操作：
4 Re@ QOZ 1) 点击“默认波导（Default Waveguide）”标签
%>9+1lUhV − Width：2.8
Y:!/4GF 注意：所有的波导将会使用此设定以作为默认厚度
T ~~[a|bLa − Profile：Channel-Guide
1;:t~Y N!Wq}#&l 
图7.默认波导标签下“Width”以及“Profile”设置
j)tC r Py 2) 切换到“晶圆尺寸（Wafer Dimension）”标签：
"K+ N f − Length：5300− Width：60
? WQ d 
Hl2f`GZ
图8.设置晶圆尺寸
U]! .~ji3
3) 切换到“2D晶圆属性（2D Wafer Properties）”标签：− Material：Cladding
x"l lX − 点击OK以激活布局窗口
N[x@j)w-` 
图9.晶圆材料设置
RTgA[O4J 4) 布局窗口
J={OOj 
Bw]L2=d 图10.默认情况下布局窗口显示
O`[iz/7m 5) 调整显示比率，以便更好进行波导
结构布局设置：− View-Layout Options以激活布局设置选项窗口
@6YBK+" − Display ratio : Z=40,点击OK，如图11所示− 调整缩放比率为0.6 ，最终布局显示如图12所示
mj~N]cxB 
Y = g>r]2 图11.调整Z方向和X方向的显示比率
|IX` ( 
^0x.'G? 图12.最终布局显示
/pIb@:Y1? 3. 创建一个MMI耦合器 为了构建一个MMI耦合器，需要进入如下操作：
ICl_ eb 1) 在“绘图（Draw）”菜单下选择“线性波导（Linear Waveguide）”或者在波导栏 下选择线性波导2) 当鼠标指针变为十字叉时，点击布局窗口左侧，并向右侧拖拽波导后松开鼠标，以生成第一个线性波导
N?=qEX|R 
x<*IF,o 图13 .绘制第一个线性波动
*pb:9JKi `b.o&t$L b1+hr(kMRM
