主要用于介绍如何在OptiBPM中创建一个简单的多模
干涉耦合器，主要步骤如下：
Nz-&MS • 定义MMI耦合器的
材料；
#5 uOx (> • 定义布局设定；
#<x m. • 创建一个MMI耦合器；
[nh>vqum • 插入输入面；
/x *3}oI • 运行
模拟；
E{vbO/|kf • 在OptiBPM_Analyzer中预览模拟结果。
8{ I|$*nB rvM {M/4 1. 定义MMI耦合器的材料 %a7$QF] 为了定义MMI耦合器的材料，需要进行如下操作：
^B^9KEjTz 1) 通过File-New打开“初始性能对话框（Initial Properties）“
# f\rt
图1.初始性能对话框
[# iz/q~} N$tGQ@
2) 点击图1中的“轮廓和材料（Profiles And Materials）”以激活“轮廓设计窗口（Profile Designer）”
cZ3v=ke^ 图2.轮廓设计窗口
ia?
c0xL 2fS:-
8N 3) 右键单击图2中材料（Materials）标签下的“电介质（Dielectric）“，选择New以激活电介质材料创建窗口
Iu6
fN2lLn9/u 图3.电介质材料创建窗口
5:?! =<= cz$2R 4) 在图3中窗口创建第一种电解质材料：
),!qTjD − Name : Guide
(;,sc$H] − Refractive Index (Re) : 3.3
Y4YJJYvD − 点击“Store”以保存创建的第一种电解质材料并关闭窗口
}-`4D Hgq 图4.创建Guide材料
{.]7!ISl5 !n%j)`0M 5) 重复步骤3）和4），创建第二种电解质材料：
W%Fv p;\` − Name : Cladding
K)P%;X − Refractive Index (Re) : 3.27
HbIF^LeY|R − 点击“Store”以保存创建的第一种电解质材料并关闭窗口
R@2X3s: 图5.左图为创建Cladding材料，右图为材料创建成功后电解质材料标签下的显示 %}T6]S)%u
"Y.y:Vv; 6) 双击Profiles标签下的Channel-Channel1，进入通道编辑窗口，构建通道：
jiC>d@~y − Name ： Guide_Channel
]_$[8#kg − 2D profile definition: Guide
V~ _>U} − 点击“Store”保存创建的通道并关闭通道编辑窗口，关闭Profile Designer窗口
e #q}F>/ L 图6.构建通道
"wc<B4" 2. 定义布局设定 -n;}n:w L 为了定义布局设定，需要在“初始性能对话框（Initial Properties）”窗口进行以下操作：
E(|>Ddv B& 1) 点击“默认波导（Default Waveguide）”标签
S8gs-gL#Og − Width：2.8
6w7 7YTJ 注意：所有的波导将会使用此设定以作为默认厚度
eV~goj − Profile：Channel-Guide
i@'dH3-kO
t$ *0{w
E 
图7.默认波导标签下“Width”以及“Profile”设置
T^q
0'#/ 2) 切换到“晶圆尺寸（Wafer Dimension）”标签：
sR8"3b<qA − Length：5300− Width：60
A %-6`> 
54qFfN8O 图8.设置晶圆尺寸
b`_Q8 J 3) 切换到“2D晶圆属性（2D Wafer Properties）”标签：− Material：Cladding
zBH2@d3W − 点击OK以激活布局窗口
XX~,>Q}H= 
图9.晶圆材料设置
LgYq.>Nl9 4) 布局窗口
%XTI-B/K 
: @&/kyGH 图10.默认情况下布局窗口显示
Q@H V- (A 5) 调整显示比率，以便更好进行波导
结构布局设置：− View-Layout Options以激活布局设置选项窗口
g,Y/M3>( − Display ratio : Z=40,点击OK，如图11所示− 调整缩放比率为0.6 ，最终布局显示如图12所示
B erwI
7!= 
g=I})s:CTp 图11.调整Z方向和X方向的显示比率
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L%5% T;0'~ 图12.最终布局显示
et+0FF
, 3. 创建一个MMI耦合器 为了构建一个MMI耦合器，需要进入如下操作：
W PDyu.QD 1) 在“绘图（Draw）”菜单下选择“线性波导（Linear Waveguide）”或者在波导栏 下选择线性波导2) 当鼠标指针变为十字叉时，点击布局窗口左侧，并向右侧拖拽波导后松开鼠标，以生成第一个线性波导
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ctV,Q3'Z 图13 .绘制第一个线性波动
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