主要用于介绍如何在OptiBPM中创建一个简单的多模
干涉耦合器,主要步骤如下:
yaWY>sB • 定义MMI耦合器的
材料;
unbIfl= • 定义布局设定;
WpnP^gmX • 创建一个MMI耦合器;
k#8`996P • 插入输入面;
|GsMLY:0 • 运行
模拟;
G#6Z@|kVw • 在OptiBPM_Analyzer中预览模拟结果。
-!li,&,A1 IXR'JZ?fH 1. 定义MMI耦合器的材料 \+l_H4\`K 为了定义MMI耦合器的材料,需要进行如下操作:
cx&\oP 1) 通过File-New打开“初始性能对话框(Initial Properties)“
E'(nJ 图1.初始性能对话框
s@y;b0$gk t+]1D@h v 2) 点击图1中的“轮廓和材料(Profiles And Materials)”以激活“轮廓设计窗口(Profile Designer)”
#:/27 图2.轮廓设计窗口
#Er"i :eJJL,v 3) 右键单击图2中材料(Materials)标签下的“电介质(Dielectric)“,选择New以激活电介质材料创建窗口
A,=>
|&* HJ0;BD.] 图3.电介质材料创建窗口
!y'>sAf ?K:.Pa 4) 在图3中窗口创建第一种电解质材料:
k_zn>aR$F − Name : Guide
`YE=B{q − Refractive Index (Re) : 3.3
vNl)ltzJF − 点击“Store”以保存创建的第一种电解质材料并关闭窗口
-o{ x
;:4 图4.创建Guide材料
#d/T7c# ?TK`s Gy 5) 重复步骤3)和4),创建第二种电解质材料:
&/)B d% − Name : Cladding
}Q ]-Y : − Refractive Index (Re) : 3.27
op9vz[o#4 − 点击“Store”以保存创建的第一种电解质材料并关闭窗口
=l${p*ABQ 图5.左图为创建Cladding材料,右图为材料创建成功后电解质材料标签下的显示 wAX;)PLg
Fu5Y<*x 6) 双击Profiles标签下的Channel-Channel1,进入通道编辑窗口,构建通道:
g0}jE%) − Name : Guide_Channel
lcjOBu − 2D profile definition: Guide
7DoU7I\u − 点击“Store”保存创建的通道并关闭通道编辑窗口,关闭Profile Designer窗口
*n7=m=%) 图6.构建通道
J:&.[ 2. 定义布局设定 ]7yxXg 为了定义布局设定,需要在“初始性能对话框(Initial Properties)”窗口进行以下操作:
l}/&6hI+d 1) 点击“默认波导(Default Waveguide)”标签
D_ ~;!^ − Width:2.8
N}ND()bf 注意:所有的波导将会使用此设定以作为默认厚度
W83PMiN"T- − Profile:Channel-Guide
}Bsh!3D<. gTOx|bx 
图7.默认波导标签下“Width”以及“Profile”设置
H-v[ShE 2) 切换到“晶圆尺寸(Wafer Dimension)”标签:
B7|%N=S%/ − Length:5300− Width:60
#W3H;'~/5
``$$yS~d}; 图8.设置晶圆尺寸
WG,1%=M@ 3) 切换到“2D晶圆属性(2D Wafer Properties)”标签:− Material:Cladding
@U1|?~M%s − 点击OK以激活布局窗口
[6JDS;MIN 
图9.晶圆材料设置
[)GRP 4) 布局窗口
Jvsy
6R
D M+MBK
图10.默认情况下布局窗口显示
e!gNd>b { 5) 调整显示比率,以便更好进行波导
结构布局设置:− View-Layout Options以激活布局设置选项窗口
r^<,f[yH − Display ratio : Z=40,点击OK,如图11所示− 调整缩放比率为0.6 ,最终布局显示如图12所示
SG|AJ9
ecoI-@CAI 图11.调整Z方向和X方向的显示比率
bn8maYUZ
Y;huTZ 图12.最终布局显示
/ Wjc\n$' 3. 创建一个MMI耦合器 为了构建一个MMI耦合器,需要进入如下操作:
{k-_+#W" 1) 在“绘图(Draw)”菜单下选择“线性波导(Linear Waveguide)”或者在波导栏 下选择线性波导2) 当鼠标指针变为十字叉时,点击布局窗口左侧,并向右侧拖拽波导后松开鼠标,以生成第一个线性波导
UIU:^g0
yUpN`; 图13 .绘制第一个线性波动
X{,mj"(w "RK"Pn+ -Fn/=