主要用于介绍如何在OptiBPM中创建一个简单的多模
干涉耦合器,主要步骤如下:
<1x u&Z7 • 定义MMI耦合器的
材料;
[{&OcEf • 定义布局设定;
L7xiq{t`Y • 创建一个MMI耦合器;
B(eiRr3 • 插入输入面;
=dQF}-{! • 运行
模拟;
**1=|aa: • 在OptiBPM_Analyzer中预览模拟结果。
!Bg^-F:N 5*90t{# 1. 定义MMI耦合器的材料 Y(T$k9%}+ 为了定义MMI耦合器的材料,需要进行如下操作:
,LLx&jS 1) 通过File-New打开“初始性能对话框(Initial Properties)“
#BH]`A J 图1.初始性能对话框
|A0U3$S= <9$Pl%: 2) 点击图1中的“轮廓和材料(Profiles And Materials)”以激活“轮廓设计窗口(Profile Designer)”
9>&p:+D 图2.轮廓设计窗口
ggfCfn dg+"G|nr 3) 右键单击图2中材料(Materials)标签下的“电介质(Dielectric)“,选择New以激活电介质材料创建窗口
o{hZjn- vYo~36 图3.电介质材料创建窗口
c0X1})q$ Zba<|C 4) 在图3中窗口创建第一种电解质材料:
W+s3rS2 − Name : Guide
L$, Kdpj − Refractive Index (Re) : 3.3
889^P`Q5 − 点击“Store”以保存创建的第一种电解质材料并关闭窗口
<5h}\5#<j 图4.创建Guide材料
ox";%|PP1 oJE<}~_k 5) 重复步骤3)和4),创建第二种电解质材料:
#a]\3X − Name : Cladding
*rV{(%\m − Refractive Index (Re) : 3.27
G#E8xA"{/ − 点击“Store”以保存创建的第一种电解质材料并关闭窗口
!SLfAFcS 图5.左图为创建Cladding材料,右图为材料创建成功后电解质材料标签下的显示 ,Vz-w;oDn
;xai JJK{ 6) 双击Profiles标签下的Channel-Channel1,进入通道编辑窗口,构建通道:
<p`
F/p- − Name : Guide_Channel
Z`%^?My − 2D profile definition: Guide
<<@F{B7h − 点击“Store”保存创建的通道并关闭通道编辑窗口,关闭Profile Designer窗口
ys7Tq+ 图6.构建通道
V-63 2. 定义布局设定 - xyY6bxL 为了定义布局设定,需要在“初始性能对话框(Initial Properties)”窗口进行以下操作:
w`=XoYQl~* 1) 点击“默认波导(Default Waveguide)”标签
]\ZmK0q<: − Width:2.8
gS|6,A9 注意:所有的波导将会使用此设定以作为默认厚度
"b)EH/s − Profile:Channel-Guide
RH$YM
`cZ 3_{rXtT)' 
图7.默认波导标签下“Width”以及“Profile”设置
YWk+}y}^d 2) 切换到“晶圆尺寸(Wafer Dimension)”标签:
6J-=6t| − Length:5300− Width:60
*d 4A3|
l @E
{K| 图8.设置晶圆尺寸
c;#gvE 3) 切换到“2D晶圆属性(2D Wafer Properties)”标签:− Material:Cladding
6mxzE3?G − 点击OK以激活布局窗口
(H]NL 
图9.晶圆材料设置
.`&k` 4) 布局窗口
@FRas00)|
>LVGNicQ 图10.默认情况下布局窗口显示
ArT@BqWd 5) 调整显示比率,以便更好进行波导
结构布局设置:− View-Layout Options以激活布局设置选项窗口
=C7<I − Display ratio : Z=40,点击OK,如图11所示− 调整缩放比率为0.6 ,最终布局显示如图12所示
\34:]NM
*A0d0M]cg 图11.调整Z方向和X方向的显示比率
gmiLjI
, $cpm=1 图12.最终布局显示
'_91(~P 3. 创建一个MMI耦合器 为了构建一个MMI耦合器,需要进入如下操作:
+7y#c20 1) 在“绘图(Draw)”菜单下选择“线性波导(Linear Waveguide)”或者在波导栏 下选择线性波导2) 当鼠标指针变为十字叉时,点击布局窗口左侧,并向右侧拖拽波导后松开鼠标,以生成第一个线性波导
5n e&6
nHLMF7\ 图13 .绘制第一个线性波动
Jgq#m~M6 ~svea>Fmr )]zsAw`/