主要用于介绍如何在OptiBPM中创建一个简单的多模
干涉耦合器,主要步骤如下:
2Uf}gG) • 定义MMI耦合器的
材料;
5B[kZ?> • 定义布局设定;
2;@#i*\Y • 创建一个MMI耦合器;
#C+""qm • 插入输入面;
6Q&R,"!$p • 运行
模拟;
2TN+ (B#Z! • 在OptiBPM_Analyzer中预览模拟结果。
2k,!P6fgl fmDU 1. 定义MMI耦合器的材料 n3, ?klK 为了定义MMI耦合器的材料,需要进行如下操作:
:NL.#!>/ 1) 通过File-New打开“初始性能对话框(Initial Properties)“
6~Y-bn"%D5 图1.初始性能对话框
gl/n*s#r_ zG_e= 2) 点击图1中的“轮廓和材料(Profiles And Materials)”以激活“轮廓设计窗口(Profile Designer)”
t_@xzt10y 图2.轮廓设计窗口
0*66m:C2
WH F>J 3) 右键单击图2中材料(Materials)标签下的“电介质(Dielectric)“,选择New以激活电介质材料创建窗口
$:I~y|
!1 gf`uC0 图3.电介质材料创建窗口
|k~\E|^ $gsn@P>" 4) 在图3中窗口创建第一种电解质材料:
B_w;2ZuA − Name : Guide
&j}\ZD − Refractive Index (Re) : 3.3
R v61*F4 − 点击“Store”以保存创建的第一种电解质材料并关闭窗口
B;A^5~b 图4.创建Guide材料
5gP#V
K 38IVSK_ 5) 重复步骤3)和4),创建第二种电解质材料:
bXoj/zek − Name : Cladding
v~>^c1: − Refractive Index (Re) : 3.27
[4:_6vd7X − 点击“Store”以保存创建的第一种电解质材料并关闭窗口
\BC|`)0h 图5.左图为创建Cladding材料,右图为材料创建成功后电解质材料标签下的显示 vpOn0([hS
k>
I;mEV 6) 双击Profiles标签下的Channel-Channel1,进入通道编辑窗口,构建通道:
&:g5+([<