主要用于介绍如何在OptiBPM中创建一个简单的多模
干涉耦合器，主要步骤如下：
]rX ?n • 定义MMI耦合器的
材料；
U~B}vt • 定义布局设定；
,h(f\h(9 • 创建一个MMI耦合器；
)z c8bS • 插入输入面；
MF`k~)bDV • 运行
模拟；
p tcH>wM! • 在OptiBPM_Analyzer中预览模拟结果。
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Q%k (, 1. 定义MMI耦合器的材料 HV .|Eh_7 为了定义MMI耦合器的材料，需要进行如下操作：
tx&U "] 1) 通过File-New打开“初始性能对话框（Initial Properties）“
Mpl,}Q!c 图1.初始性能对话框
\q d)l .T$9Q Ar5 2) 点击图1中的“轮廓和材料（Profiles And Materials）”以激活“轮廓设计窗口（Profile Designer）”
9{^B
Tc
图2.轮廓设计窗口
(.nJT"& XX5(/# 3) 右键单击图2中材料（Materials）标签下的“电介质（Dielectric）“，选择New以激活电介质材料创建窗口
'N5r2JL[w VL!kX``^F 图3.电介质材料创建窗口
hb8@br \z2hXT@D 4) 在图3中窗口创建第一种电解质材料：
s:Ql] (/B# − Name : Guide
d# ?* 62 − Refractive Index (Re) : 3.3
}${ZI − 点击“Store”以保存创建的第一种电解质材料并关闭窗口
bHH}x"d[x 图4.创建Guide材料
PG~m-W+ XJ1nh E 5) 重复步骤3）和4），创建第二种电解质材料：
4.kkxQR7r − Name : Cladding
K| J#/ − Refractive Index (Re) : 3.27
nF[eb{GR` − 点击“Store”以保存创建的第一种电解质材料并关闭窗口
5J2p^$s 图5.左图为创建Cladding材料，右图为材料创建成功后电解质材料标签下的显示 zB7dCw
r-"`Abev 6) 双击Profiles标签下的Channel-Channel1，进入通道编辑窗口，构建通道：
m4.V$U,H] − Name ： Guide_Channel
xXh]z | − 2D profile definition: Guide
3z. >b − 点击“Store”保存创建的通道并关闭通道编辑窗口，关闭Profile Designer窗口
l0bT_?LhK 图6.构建通道
:Y?08/V 2. 定义布局设定 ~~E=E;9 为了定义布局设定，需要在“初始性能对话框（Initial Properties）”窗口进行以下操作：
[x() ^{;2 1) 点击“默认波导（Default Waveguide）”标签
^@w1Z{: − Width：2.8
|0 pB BDw 注意：所有的波导将会使用此设定以作为默认厚度
NU\t3JaR − Profile：Channel-Guide
}sNZQ89V*v W)P_t"'@L 
图7.默认波导标签下“Width”以及“Profile”设置
Hx/Vm`pRyX 2) 切换到“晶圆尺寸（Wafer Dimension）”标签：
yaGVY*M0 − Length：5300− Width：60
2{tJ '3 
a}]@ o" 图8.设置晶圆尺寸
`2~Ea_Z 3) 切换到“2D晶圆属性（2D Wafer Properties）”标签：− Material：Cladding
[0
f6uIF − 点击OK以激活布局窗口
DG9;6"HBX 
图9.晶圆材料设置
Q-%=ZW Z 4) 布局窗口
N P(?[W 
V1V 4 <Zj 图10.默认情况下布局窗口显示
}pZnWK+ 5) 调整显示比率，以便更好进行波导
结构布局设置：− View-Layout Options以激活布局设置选项窗口
rca"q[, − Display ratio : Z=40,点击OK，如图11所示− 调整缩放比率为0.6 ，最终布局显示如图12所示
g/Nj|: 3 
cmLu T/oV 图11.调整Z方向和X方向的显示比率
TKydOw@P" 
o;P ;=< 图12.最终布局显示
ng6p# F,3 3. 创建一个MMI耦合器 为了构建一个MMI耦合器，需要进入如下操作：
Y##P9^zH1 1) 在“绘图（Draw）”菜单下选择“线性波导（Linear Waveguide）”或者在波导栏 下选择线性波导2) 当鼠标指针变为十字叉时，点击布局窗口左侧，并向右侧拖拽波导后松开鼠标，以生成第一个线性波导
-Af`AX 
v2 z/|sG 图13 .绘制第一个线性波动
^/YAokj MX_a]$\ :n qk"=nAJX
