主要用于介绍如何在OptiBPM中创建一个简单的多模
干涉耦合器，主要步骤如下：
Vj!rT
<@ • 定义MMI耦合器的
材料；
99EXo+g • 定义布局设定；
v0 Ir#B,[H • 创建一个MMI耦合器；
:5yV.7 • 插入输入面；
ayBRWT0 • 运行
模拟；
<A.W 8b7D • 在OptiBPM_Analyzer中预览模拟结果。
Y+qQI MZ .6~`Ubr}E 1. 定义MMI耦合器的材料 OD=!&LM 为了定义MMI耦合器的材料，需要进行如下操作：
m~'? /!! 1) 通过File-New打开“初始性能对话框（Initial Properties）“
_Zc%z@} 图1.初始性能对话框
,Os? f:Y6 W~Z<1[ 2) 点击图1中的“轮廓和材料（Profiles And Materials）”以激活“轮廓设计窗口（Profile Designer）”
J/A[45OD 图2.轮廓设计窗口
{5|("0[F |*mL1#bB 3) 右键单击图2中材料（Materials）标签下的“电介质（Dielectric）“，选择New以激活电介质材料创建窗口
:3$}^uzIq T% R:NQf 图3.电介质材料创建窗口
aV1lJ ;0 p#KW$OQ]8 4) 在图3中窗口创建第一种电解质材料：
H7[6yh − Name : Guide
Q 7 bq
− Refractive Index (Re) : 3.3
Q# ?wXX47 − 点击“Store”以保存创建的第一种电解质材料并关闭窗口
aJqeD'\> 图4.创建Guide材料
C}5M;|%3) ~ np,_yI 5) 重复步骤3）和4），创建第二种电解质材料：
rNl.7O9b − Name : Cladding
26n^Dy>} − Refractive Index (Re) : 3.27
/VHi > − 点击“Store”以保存创建的第一种电解质材料并关闭窗口
19q{6X`x 图5.左图为创建Cladding材料，右图为材料创建成功后电解质材料标签下的显示 De_ C F8
rx :z#"?I 6) 双击Profiles标签下的Channel-Channel1，进入通道编辑窗口，构建通道：
m ceG!@t − Name ： Guide_Channel
@$eT~ C − 2D profile definition: Guide
[hRU&z;W − 点击“Store”保存创建的通道并关闭通道编辑窗口，关闭Profile Designer窗口
xdy^ ^3" 图6.构建通道
9F;S+)H4 2. 定义布局设定 z{]?h cY 为了定义布局设定，需要在“初始性能对话框（Initial Properties）”窗口进行以下操作：
$ex!!rqN| 1) 点击“默认波导（Default Waveguide）”标签
iGXBqUQ: − Width：2.8
b.2J]6G
注意：所有的波导将会使用此设定以作为默认厚度
DDd|T;8 − Profile：Channel-Guide
]=F8p 2w? 6yAA~;*5' 
图7.默认波导标签下“Width”以及“Profile”设置
nF)uTk 2) 切换到“晶圆尺寸（Wafer Dimension）”标签：
W2wpcc − Length：5300− Width：60
_w ]4~V9 
1f (DU4h 图8.设置晶圆尺寸
N6Z{BLZ 3) 切换到“2D晶圆属性（2D Wafer Properties）”标签：− Material：Cladding
s4T}Bs r − 点击OK以激活布局窗口
RD<75]**{ 
图9.晶圆材料设置
8n? kZY$, 4) 布局窗口
P(om fD4 
[{&jr]w`| 图10.默认情况下布局窗口显示
G.U 5) 4_^ 5) 调整显示比率，以便更好进行波导
结构布局设置：− View-Layout Options以激活布局设置选项窗口
`&$B3)Eb − Display ratio : Z=40,点击OK，如图11所示− 调整缩放比率为0.6 ，最终布局显示如图12所示
{fSf q&o 
m W`oq 图11.调整Z方向和X方向的显示比率
@\Js8[wS9@ 
]qw0V
图12.最终布局显示
K \Eo z]? 3. 创建一个MMI耦合器 为了构建一个MMI耦合器，需要进入如下操作：
XT@Mzo49z\ 1) 在“绘图（Draw）”菜单下选择“线性波导（Linear Waveguide）”或者在波导栏 下选择线性波导2) 当鼠标指针变为十字叉时，点击布局窗口左侧，并向右侧拖拽波导后松开鼠标，以生成第一个线性波导
#-cTc&$O; 
DHfB@/q# 图13 .绘制第一个线性波动
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