主要用于介绍如何在OptiBPM中创建一个简单的多模
干涉耦合器,主要步骤如下:
PUU
"k:{ • 定义MMI耦合器的
材料;
y}\d]*5 • 定义布局设定;
%>)HAx ` • 创建一个MMI耦合器;
IasWm/ • 插入输入面;
d ynq)lf • 运行
模拟;
e$vvm bK. • 在OptiBPM_Analyzer中预览模拟结果。
=yR$^VSY 3dl#:Si 1. 定义MMI耦合器的材料 t)p . $ 为了定义MMI耦合器的材料,需要进行如下操作:
o(gEyK 1) 通过File-New打开“初始性能对话框(Initial Properties)“
/s/\5-U7q 图1.初始性能对话框
x>ZnQ6x~m]
spX*e1 2) 点击图1中的“轮廓和材料(Profiles And Materials)”以激活“轮廓设计窗口(Profile Designer)”
6_&uYA<8pE 图2.轮廓设计窗口
\dx$G?R dE_d.[! 3) 右键单击图2中材料(Materials)标签下的“电介质(Dielectric)“,选择New以激活电介质材料创建窗口
aSGZF w :l;SG=scx 图3.电介质材料创建窗口
QEC4!$L^ 6r]l8*34; 4) 在图3中窗口创建第一种电解质材料:
r;7&U<j~Z − Name : Guide
[ Q@rW5,- − Refractive Index (Re) : 3.3
+46m~" ] − 点击“Store”以保存创建的第一种电解质材料并关闭窗口
q{c/TRp7 图4.创建Guide材料
0#/N ZO ?=},%^ 5) 重复步骤3)和4),创建第二种电解质材料:
mw!EDJ;' − Name : Cladding
rL KwuZ − Refractive Index (Re) : 3.27
a,/wqX − 点击“Store”以保存创建的第一种电解质材料并关闭窗口
2[V9`r8* 图5.左图为创建Cladding材料,右图为材料创建成功后电解质材料标签下的显示 dlf nhf
pm4'2B|)g 6) 双击Profiles标签下的Channel-Channel1,进入通道编辑窗口,构建通道:
*"HA=-Z; − Name : Guide_Channel
[_X.Equ − 2D profile definition: Guide
9w:F_gr − 点击“Store”保存创建的通道并关闭通道编辑窗口,关闭Profile Designer窗口
#}lq2!f6 图6.构建通道
{F'~1qf 2. 定义布局设定 us,~<e0 为了定义布局设定,需要在“初始性能对话框(Initial Properties)”窗口进行以下操作:
O: J;zv\ 1) 点击“默认波导(Default Waveguide)”标签
bT8 ?(Iu − Width:2.8
9 aacW 注意:所有的波导将会使用此设定以作为默认厚度
B/^1uPTZ71 − Profile:Channel-Guide
&Sr7?u`k b\.l!v n0 
图7.默认波导标签下“Width”以及“Profile”设置
-*nd5(lY& 2) 切换到“晶圆尺寸(Wafer Dimension)”标签:
FSNzBN − Length:5300− Width:60
e.n*IJ_fz
D| gI3i 图8.设置晶圆尺寸
/ygC_,mx 3) 切换到“2D晶圆属性(2D Wafer Properties)”标签:− Material:Cladding
*[ww; − 点击OK以激活布局窗口
]nQC 
图9.晶圆材料设置
a*N<gId 4) 布局窗口
V|q`KOF
AnW72|=A( 图10.默认情况下布局窗口显示
scZSnCrR 5) 调整显示比率,以便更好进行波导
结构布局设置:− View-Layout Options以激活布局设置选项窗口
TNj WZ − Display ratio : Z=40,点击OK,如图11所示− 调整缩放比率为0.6 ,最终布局显示如图12所示
qJZ:\u8oO
x 3C^ S~ 图11.调整Z方向和X方向的显示比率
fnJ!~b*qo
\)/dFo\l 图12.最终布局显示
:dML+R#Ymh 3. 创建一个MMI耦合器 为了构建一个MMI耦合器,需要进入如下操作:
h4,S/n 1) 在“绘图(Draw)”菜单下选择“线性波导(Linear Waveguide)”或者在波导栏 下选择线性波导2) 当鼠标指针变为十字叉时,点击布局窗口左侧,并向右侧拖拽波导后松开鼠标,以生成第一个线性波导
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u
Gc0/*8u/ 图13 .绘制第一个线性波动
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