主要用于介绍如何在OptiBPM中创建一个简单的多模
干涉耦合器,主要步骤如下:
J&3;6I
& • 定义MMI耦合器的
材料;
V>['~| • 定义布局设定;
Ev^Xs6 }" • 创建一个MMI耦合器;
5Q%#Z
L/' • 插入输入面;
qb" ! • 运行
模拟;
il#rdJ1@t • 在OptiBPM_Analyzer中预览模拟结果。
W2<X 5' 2f:'~ P56 1. 定义MMI耦合器的材料 wR;l"*j 为了定义MMI耦合器的材料,需要进行如下操作:
4U6{E# 1) 通过File-New打开“初始性能对话框(Initial Properties)“
x _2]G' 图1.初始性能对话框
Q1jyetk~I >^ Y9p~ 2) 点击图1中的“轮廓和材料(Profiles And Materials)”以激活“轮廓设计窗口(Profile Designer)”
AoR`/tr, 图2.轮廓设计窗口
TuF:m"4 'P~ *cr ?A 3) 右键单击图2中材料(Materials)标签下的“电介质(Dielectric)“,选择New以激活电介质材料创建窗口
IK W!P1 Ee|@l3) 图3.电介质材料创建窗口
*,Re&N8 /C(L(X 4) 在图3中窗口创建第一种电解质材料:
Wt`D − Name : Guide
w(G(Q>GI − Refractive Index (Re) : 3.3
N!m%~},s// − 点击“Store”以保存创建的第一种电解质材料并关闭窗口
djSN{>S 图4.创建Guide材料
)T4L^^` S1B/ClKWq 5) 重复步骤3)和4),创建第二种电解质材料:
%bimcRX#W − Name : Cladding
%b*%'#iK − Refractive Index (Re) : 3.27
E$1^}RGT) − 点击“Store”以保存创建的第一种电解质材料并关闭窗口
3jI.!xD` 图5.左图为创建Cladding材料,右图为材料创建成功后电解质材料标签下的显示 NRl"!FSD;"
+p[~hM6? 6) 双击Profiles标签下的Channel-Channel1,进入通道编辑窗口,构建通道:
<N*>9S,} − Name : Guide_Channel
>ciq4H43Q| − 2D profile definition: Guide
\
bhok − 点击“Store”保存创建的通道并关闭通道编辑窗口,关闭Profile Designer窗口
srSTQ\l4 图6.构建通道
-?]ltn9! 2. 定义布局设定 (]V.#JM 为了定义布局设定,需要在“初始性能对话框(Initial Properties)”窗口进行以下操作:
$YC~02{ 1) 点击“默认波导(Default Waveguide)”标签
[a`i{(! − Width:2.8
G8&'*7Bb 注意:所有的波导将会使用此设定以作为默认厚度
c[YjGx − Profile:Channel-Guide
D!P?sq _5r SH(kUL5 
图7.默认波导标签下“Width”以及“Profile”设置
[x)e6p) 2) 切换到“晶圆尺寸(Wafer Dimension)”标签:
|H A7 C − Length:5300− Width:60
q1gf9`0
K@i*Nl 图8.设置晶圆尺寸
t,+S~Cj| 3) 切换到“2D晶圆属性(2D Wafer Properties)”标签:− Material:Cladding
nZT@d;]U9 − 点击OK以激活布局窗口
"5YdmBy 
图9.晶圆材料设置
j"V$J8)[ 4) 布局窗口
vqs~a7E-P
f8 jaMn9o 图10.默认情况下布局窗口显示
H94.E|Q\+ 5) 调整显示比率,以便更好进行波导
结构布局设置:− View-Layout Options以激活布局设置选项窗口
5;{Bdvcv − Display ratio : Z=40,点击OK,如图11所示− 调整缩放比率为0.6 ,最终布局显示如图12所示
gfYB|VyWo
_R<HC 图11.调整Z方向和X方向的显示比率
]M2<I#hF.
zfZDtKq 图12.最终布局显示
H6I #Xj 3. 创建一个MMI耦合器 为了构建一个MMI耦合器,需要进入如下操作:
X2`>@GR/> 1) 在“绘图(Draw)”菜单下选择“线性波导(Linear Waveguide)”或者在波导栏 下选择线性波导2) 当鼠标指针变为十字叉时,点击布局窗口左侧,并向右侧拖拽波导后松开鼠标,以生成第一个线性波导
P&GZe/6Y
QdTe!f| 图13 .绘制第一个线性波动
AAW7@\q. Kzb@JBIF ["F,|e{y$