主要用于介绍如何在OptiBPM中创建一个简单的多模
干涉耦合器,主要步骤如下:
H5x7)1Ir| • 定义MMI耦合器的
材料;
4T(d9y • 定义布局设定;
ih".y3 • 创建一个MMI耦合器;
@!fUp
b • 插入输入面;
JE-*o"& • 运行
模拟;
mG\QF0h • 在OptiBPM_Analyzer中预览模拟结果。
/S]RP>cQ MSQ^ovph 1. 定义MMI耦合器的材料 P-Y_$Nv0g 为了定义MMI耦合器的材料,需要进行如下操作:
]6^<VC`5D 1) 通过File-New打开“初始性能对话框(Initial Properties)“
?I6rW JcQ6 图1.初始性能对话框
"jum*<QZz H_$?b 2) 点击图1中的“轮廓和材料(Profiles And Materials)”以激活“轮廓设计窗口(Profile Designer)”
S4_/%~? 图2.轮廓设计窗口
aNEah cZxY,UvYa 3) 右键单击图2中材料(Materials)标签下的“电介质(Dielectric)“,选择New以激活电介质材料创建窗口
lf7bx}P* '_G\_h}5 图3.电介质材料创建窗口
#
-luE X?'cl]1? 4) 在图3中窗口创建第一种电解质材料:
_J!^iJ − Name : Guide
(L*GU 7m; − Refractive Index (Re) : 3.3
?"9h-g3`x} − 点击“Store”以保存创建的第一种电解质材料并关闭窗口
am]M2+,2Ip 图4.创建Guide材料
{1OxJn1hd C12UZE; 5) 重复步骤3)和4),创建第二种电解质材料:
eZPeyYX − Name : Cladding
gQ{ #C' − Refractive Index (Re) : 3.27
.U0Gm_c0 − 点击“Store”以保存创建的第一种电解质材料并关闭窗口
pr#%VM[':R 图5.左图为创建Cladding材料,右图为材料创建成功后电解质材料标签下的显示 JPqd}:u3
r&
a[? 6) 双击Profiles标签下的Channel-Channel1,进入通道编辑窗口,构建通道:
VhkM{O − Name : Guide_Channel
<l5i%? − 2D profile definition: Guide
+=8wZ] − 点击“Store”保存创建的通道并关闭通道编辑窗口,关闭Profile Designer窗口
>4X2uNbZS 图6.构建通道
k\ #; 2. 定义布局设定 58s-RO6 为了定义布局设定,需要在“初始性能对话框(Initial Properties)”窗口进行以下操作:
cb9-~*1 1) 点击“默认波导(Default Waveguide)”标签
UUV5uDe>i − Width:2.8
d. vNiq,` 注意:所有的波导将会使用此设定以作为默认厚度
M(I%y0 − Profile:Channel-Guide
4$KDf;m@ *2X~NJCt 
图7.默认波导标签下“Width”以及“Profile”设置
!Ap5Uwd 2) 切换到“晶圆尺寸(Wafer Dimension)”标签:
UN.;w3`Oc − Length:5300− Width:60
,-e}Xw9
OS,!`8cw 图8.设置晶圆尺寸
,>-D xS 3) 切换到“2D晶圆属性(2D Wafer Properties)”标签:− Material:Cladding
AabQ)23R2 − 点击OK以激活布局窗口
4?+K
` 
图9.晶圆材料设置
A O:F*%Q u 4) 布局窗口
_Z0 .c@0
srv4kodj 图10.默认情况下布局窗口显示
@njNP^'Kx 5) 调整显示比率,以便更好进行波导
结构布局设置:− View-Layout Options以激活布局设置选项窗口
Z`tmuu − Display ratio : Z=40,点击OK,如图11所示− 调整缩放比率为0.6 ,最终布局显示如图12所示
oPmz$]_Z
YcobK#c 图11.调整Z方向和X方向的显示比率
Km(i}:6"
J 4gtm"2) 图12.最终布局显示
j?N<40z 3. 创建一个MMI耦合器 为了构建一个MMI耦合器,需要进入如下操作:
'."_TEIF 1) 在“绘图(Draw)”菜单下选择“线性波导(Linear Waveguide)”或者在波导栏 下选择线性波导2) 当鼠标指针变为十字叉时,点击布局窗口左侧,并向右侧拖拽波导后松开鼠标,以生成第一个线性波导
xfb .Z(
Nnh\FaI 图13 .绘制第一个线性波动
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