主要用于介绍如何在OptiBPM中创建一个简单的多模
干涉耦合器,主要步骤如下:
b24NL'jm • 定义MMI耦合器的
材料;
jl;kcGE • 定义布局设定;
NvQY7C • 创建一个MMI耦合器;
CP c" • 插入输入面;
6V.awg, • 运行
模拟;
*37LN • 在OptiBPM_Analyzer中预览模拟结果。
7JxE|G S4#A#a2J 1. 定义MMI耦合器的材料 ipx@pNW;" 为了定义MMI耦合器的材料,需要进行如下操作:
VQ1?Db(_2 1) 通过File-New打开“初始性能对话框(Initial Properties)“
~a|^?7@p 图1.初始性能对话框
9\AEyaJFZ @ChN_gd3! 2) 点击图1中的“轮廓和材料(Profiles And Materials)”以激活“轮廓设计窗口(Profile Designer)”
^Nd|+} 图2.轮廓设计窗口
NmH}"ndv+ l-DGy# h+z 3) 右键单击图2中材料(Materials)标签下的“电介质(Dielectric)“,选择New以激活电介质材料创建窗口
U@o2gjGN DBu)xr}7A 图3.电介质材料创建窗口
Zp/qs
z(] I
ybl;u 4) 在图3中窗口创建第一种电解质材料:
e8~62O^ − Name : Guide
<7vI h0 − Refractive Index (Re) : 3.3
ki[;ZmQqY − 点击“Store”以保存创建的第一种电解质材料并关闭窗口
y8<lp+ 图4.创建Guide材料
E[SV*1) 3EbnZb 5) 重复步骤3)和4),创建第二种电解质材料:
0C7thl{Dms − Name : Cladding
DBj;P|L_ − Refractive Index (Re) : 3.27
(hhdbf − 点击“Store”以保存创建的第一种电解质材料并关闭窗口
|% M{kA- 图5.左图为创建Cladding材料,右图为材料创建成功后电解质材料标签下的显示 k7z(Gbzu
[JX}1%NA 6) 双击Profiles标签下的Channel-Channel1,进入通道编辑窗口,构建通道:
Ff)~clIK ' − Name : Guide_Channel
N}8HK^n* − 2D profile definition: Guide
*eJhd w* − 点击“Store”保存创建的通道并关闭通道编辑窗口,关闭Profile Designer窗口
V\iIvBpWg 图6.构建通道
jyY ^iQ.2 2. 定义布局设定 Ez7V>FN X 为了定义布局设定,需要在“初始性能对话框(Initial Properties)”窗口进行以下操作:
~|aeKtCs(. 1) 点击“默认波导(Default Waveguide)”标签
9J-!o]f .b − Width:2.8
*3w/`R<\ 注意:所有的波导将会使用此设定以作为默认厚度
_0DXQS\ − Profile:Channel-Guide
9G`FY:(K eHF(,JI 
图7.默认波导标签下“Width”以及“Profile”设置
b6LC$"t0 2) 切换到“晶圆尺寸(Wafer Dimension)”标签:
~aauW? − Length:5300− Width:60
q5?rp|7D
e 5WdK 图8.设置晶圆尺寸
Q70**qm 3) 切换到“2D晶圆属性(2D Wafer Properties)”标签:− Material:Cladding
+LQs.* − 点击OK以激活布局窗口
eI/\I:G{f 
图9.晶圆材料设置
;y?D1o^r8W 4) 布局窗口
C$AIP\j-
)
a0V8L+v( 图10.默认情况下布局窗口显示
ijZydn 5) 调整显示比率,以便更好进行波导
结构布局设置:− View-Layout Options以激活布局设置选项窗口
c{]r{FAx9o − Display ratio : Z=40,点击OK,如图11所示− 调整缩放比率为0.6 ,最终布局显示如图12所示
T>%uRK$
Ru
vG1" 图11.调整Z方向和X方向的显示比率
_Cv[`e.
dCoi>PO 图12.最终布局显示
NE;(.. 3. 创建一个MMI耦合器 为了构建一个MMI耦合器,需要进入如下操作:
a.Rp#}f 1) 在“绘图(Draw)”菜单下选择“线性波导(Linear Waveguide)”或者在波导栏 下选择线性波导2) 当鼠标指针变为十字叉时,点击布局窗口左侧,并向右侧拖拽波导后松开鼠标,以生成第一个线性波导
ZZ]OR;8
yVmtsQ-}a 图13 .绘制第一个线性波动
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