主要用于介绍如何在OptiBPM中创建一个简单的多模
干涉耦合器,主要步骤如下:
M_)T=s * • 定义MMI耦合器的
材料;
:6iq{XV^ • 定义布局设定;
#7"5Y_0- • 创建一个MMI耦合器;
Bq8<FZr#! • 插入输入面;
iW$i%`> • 运行
模拟;
^Wz{su2 • 在OptiBPM_Analyzer中预览模拟结果。
ZSb+92g{L$ V$D
d 7 1. 定义MMI耦合器的材料 O]!DNN 为了定义MMI耦合器的材料,需要进行如下操作:
>n\Q[W 1) 通过File-New打开“初始性能对话框(Initial Properties)“
CI{TgL:l 图1.初始性能对话框
? D'-{/<4 (ajX;/ 2) 点击图1中的“轮廓和材料(Profiles And Materials)”以激活“轮廓设计窗口(Profile Designer)”
x;aZ& 图2.轮廓设计窗口
\hc9Rk 4"=pcHNV 3) 右键单击图2中材料(Materials)标签下的“电介质(Dielectric)“,选择New以激活电介质材料创建窗口
B
~GyS" '|r!yAO6 图3.电介质材料创建窗口
\MPy"uC svgi!= 4) 在图3中窗口创建第一种电解质材料:
v1rGq − Name : Guide
q=(wK& − Refractive Index (Re) : 3.3
C`K/ai{4 − 点击“Store”以保存创建的第一种电解质材料并关闭窗口
j. cH,Y 图4.创建Guide材料
5G[^ah<Tg GMI>$$< 5) 重复步骤3)和4),创建第二种电解质材料:
|u=57II#xK − Name : Cladding
dGN*K}5 − Refractive Index (Re) : 3.27
`Y9@ ?s Q − 点击“Store”以保存创建的第一种电解质材料并关闭窗口
|Dli6KN 图5.左图为创建Cladding材料,右图为材料创建成功后电解质材料标签下的显示 9r}}m0
K~G^jAk+ 6) 双击Profiles标签下的Channel-Channel1,进入通道编辑窗口,构建通道:
JH9CN − Name : Guide_Channel
tO$M[P=b − 2D profile definition: Guide
!;oBvE7Kh − 点击“Store”保存创建的通道并关闭通道编辑窗口,关闭Profile Designer窗口
o*VQH`G*|g 图6.构建通道
[c~zO+x 2. 定义布局设定 35et+9 为了定义布局设定,需要在“初始性能对话框(Initial Properties)”窗口进行以下操作:
9m>_qWaA 1) 点击“默认波导(Default Waveguide)”标签
s3S73fNOk − Width:2.8
ymu# u 注意:所有的波导将会使用此设定以作为默认厚度
SY.V_O$l} − Profile:Channel-Guide
y6\#{
|ESe=G 
图7.默认波导标签下“Width”以及“Profile”设置
'UCL?$ 2) 切换到“晶圆尺寸(Wafer Dimension)”标签:
EY(4<;) − Length:5300− Width:60
>d|W>|8e
=s<QN*zJB0 图8.设置晶圆尺寸
IFe[3mB5 3) 切换到“2D晶圆属性(2D Wafer Properties)”标签:− Material:Cladding
_1QNO#X − 点击OK以激活布局窗口
bcg)K`'N 
图9.晶圆材料设置
kQtl&{;k? 4) 布局窗口
IAQ=d4V&
eyOAG4QTV 图10.默认情况下布局窗口显示
yuWrU<Kw 5) 调整显示比率,以便更好进行波导
结构布局设置:− View-Layout Options以激活布局设置选项窗口
Q&7Qht:ea: − Display ratio : Z=40,点击OK,如图11所示− 调整缩放比率为0.6 ,最终布局显示如图12所示
iZF{9@
Y|bGd_j 图11.调整Z方向和X方向的显示比率
~V4|DN[I
5NK:94&JE 图12.最终布局显示
3/D fsv 3. 创建一个MMI耦合器 为了构建一个MMI耦合器,需要进入如下操作:
e5Z\v0 1) 在“绘图(Draw)”菜单下选择“线性波导(Linear Waveguide)”或者在波导栏 下选择线性波导2) 当鼠标指针变为十字叉时,点击布局窗口左侧,并向右侧拖拽波导后松开鼠标,以生成第一个线性波导
p w8'+FX
9dAsXEWh 图13 .绘制第一个线性波动
i "xq SLf= dBkB9nz 1Y_fX