俄罗斯宣布研发X射线光刻机
光刻机是半导体行业的明珠,美国希望在这个领域牢牢掌握主动权,因此对中俄等均进行严格的限制和制裁,中国一直没有最先进的EUV光刻机,最近格科微引进的先进ArF光刻机也只是DUV的一种。而在俄乌冲突之际,昨天,美国更是对俄罗斯最大的芯片企业Mikron进行全方位制裁。近日,有消息称:俄罗斯将研发当前全球最先进的EUV光刻机,或许比ASML的EUV光刻机性能更先进。请看详情。 投资6.7亿卢布 据报道,俄罗斯莫斯科电子技术学院 (MIET)承接了贸工部开发制造芯片的光刻机项目,该项目由俄罗斯政府首期投资6.7亿卢布资金(约合5100万元人民币)。研发的光刻机计划达到EUV级别,但技术原理完全不同,是基于同步加速器和/或等离子体源”的无掩模X射线光刻机。 广告“MIET已经在无掩模EUV光刻领域取得了进展,包括与国内其他科研机构和科学家团体联合开展的研究。该项目还将涉及 Zelenograd 公司 ESTO 和 Zelenograd 同步加速器,现在是国家研究中心库尔恰托夫研究所的技术储存综合体 (TNK) Zelenograd。 “基于在该国运行和发射的同步加速器,特别是在 TNK Zelenograd 的同步加速器以及国内等离子源的基础上,创造技术和设备,将使处理具有设计标准的半导体晶片成为可能28 nm、16 nm 及以下,”声明说。招标文件包含这项研究工作(研发)的要求。“无掩模X射线纳米光刻技术和正在开发的设备在国内和世界上都没有类似物。” 工贸部与 MIET 签订的合同价格为 6.7 亿卢布。 “我们谈论的是长期的研发工作,从好的方面来说,这应该在 15 年前就开始了,”关于这个项目的 Stimulus 杂志出版物的作者 Alexander Mechanik说。” 俄罗斯光刻机技术 目前,EUV光刻机全球只有ASML公司能够研发、生产,但它的技术限制也很多,俄罗斯计划开发全新的EUV光刻机,使用的将是X射线技术,不需要光掩模就能生产芯片。 光刻机的架构及技术很复杂,不过决定光刻机分辨率的主要因素就是三点,分别是常数K、光源波长及物镜的数值孔径,波长越短,分辨率就越高,现在的EUV光刻机使用的是极紫外光EUV,波长13.5nm,可以用于制造7nm及以下的先进工艺工艺。 技术优势 X射线光刻机使用的是X射线,波长介于0.01nm到10nm之间,比EUV极紫外光还要短,因此光刻分辨率要高很多。 此外,X射线光刻机相比现在的EUV光刻机还有一个优势,那就是不需要光掩模版,可以直写光刻,这也节省了一大笔费用。 正因为有这么两个特点,俄罗斯要研发的X射线光刻机优势很大,甚至被当地的媒体宣传为全球都没有的光刻机,ASML也做不到。 从相关资料来看,全球确实没有能达到规模量产的X射线光刻机,不过这种技术并不是现在才有,不仅美国、欧洲研究过,国内也有科研机构做了X射线光刻机,只是生产芯片的效率跟ASML的光刻机不能比的,只适合特定场景。 不过俄罗斯在X射线及等离子之类的技术上有着深厚的基础。 莫斯科电子技术学院 国立研究型大学“莫斯科电子技术学院”(俄语:Национальный исследовательский университет «Московский институт электронной техники»),简称莫电子(МИЭТ,MIET),是俄罗斯的一所国立研究型高等院校,1965年建校。特色学科为微电子学、信息技术和计算机工程。 MIET 开展的研究和开发领域由大学的专业培训领域有: 电子学和纳米电子学 无线电工程 材料科学与技术、纳米材料 技术领域安全 信息学和计算机工程 技术系统中的控制 信息安全 生物技术系统和技术 信息通信技术和通信系统 微纳米系统技术 电子手段的设计与技术 应用信息学 软件工程 管理 学院共有学生6500多人,其中研究生250多人、副博士(按照欧美及中国学制为Phd学位)270人、博士5人。 1965年12月9日,根据前苏联高等教育部命令正式成立。 1966年,莫斯科矿业学院教授列昂尼德·叶尔绍夫被委任为代理校长。同年9月,招收了第一批学生。 1974年,雕塑家恩斯特·涅兹韦斯特内伊对主楼图书馆的外墙进行了装饰。 1984年,获授劳动红旗勋章。1992年苏联解体后,获得俄罗斯国立高等院校的地位。 2010年4月,通过俄罗斯教育科技部的“国家研究型大学”标准化考核。 2011年,更名为现在的“莫斯科电子技术学院”。 据官方介绍: |