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在 LTPS 制造过程中,使用自对准掩模通过离子注入来金属化有源层。当通过 TRCX 计算电容时,应用与实际工艺相同的原理。工程师可以根据真实的 3D 结构提取准确的电容,并分析有源层离子注入前后的电位分布,如下图所示。 sI*( MhU `pII-dSC% , aawtdt/ 1<bSH n9 bs_I{bCu? VMHiuBz: (a)FIB 8&dmH& ]*):2%f 0FEb[+N (b) 掺杂前后对比 {(xNC#
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