在完成教程1、2和3后,你已熟悉利用OptiBPM创建项目的基本程序: H]@M00C
• 生成材料 Xy{\>}i]N
• 插入波导和输入平面 ^8S'=Bk
• 编辑波导和输入平面的参数 98u$5=Z'/
• 运行仿真 P;R`22\3
• 选择输出数据文件 BElVkb
• 运行仿真 #DMt<1#:
• 在OptiBPM_Analyzer中查看仿真结果和各种数值工具 HorFQ?8
n6T@A;_g
教程4和之后的教程在你已掌握的操作的基础上,对仿真过程进行了简化描述。如果需要更多细节信息,可参阅之前课程中提供的操作。 P$E #C:=
<u\j4<p
本课程描述了如何创建一个MMI星型耦合器。该星型耦合器是对简单MMI耦合器(教程2:创建一个简单多模干涉星型(下文简称为MMI)耦合器)的进一步改进。它是由一个输入波导、一个MMI耦合器以及四个输出波导组成。步骤如下: s53Pw>f
• 定义MMI星型耦合器的材料 KCR6@{@
• 定义布局设置 o"F=3b~:n
• 创建MMI星形耦合器 <uXZ*E
• 运行模拟 [d="94Ab
• 查看最大值 #T0uPK
;
• 绘制输出波导 o#V}l^uU=
• 为输出波导分配路径 {(r`&[
• 在OptiBPM_Analyzer中查看仿真结果 U8_<?Hd
• 添加输出波导并查看新的仿真结果 3DH}
YAUU
• 在OptiBPM_Analyzer中查看新的仿真结果 O)g\/uRy
1. 定义MMI星型耦合器的材料 .Y}~2n
要定义单向弯曲器件的材料,请执行以下步骤。 ,k}-I65M*t
步骤 操作 Ew>E]Ys
1) 创建一个介电材料: Kj|l]'
名称:guide \v(}@zcB|
相对折射率(Re):3.3 2"`R_q
2) 创建第二个介电材料 {j%'EJ5
名称: cladding ?Rlo<f:Mf
相对折射率(Re):3.27 =aM(r6 C
3) 点击保存来存储材料 ~Rx:X4|H
4) 创建以下通道: ^8p=g-U\
名称:channel \A@Mlpe&t
二维剖面定义材料: guide };5d>#NK,Y
5 点击保存来存储材料。 +Tnn'^4
.t\#>Fe
2. 定义布局设置 GAK!qLy9
要定义布局设置,请执行以下步骤。 sTx23RJ9
步骤 操作 L;d(|7BVv
1) 键入以下设置。 kWVaHZr
a. Waveguide属性: .!yXto:
宽度:2.8 ]"Y?
ZS;H
配置文件:channel Bf37/kkf(
b. Wafer尺寸: 6CoDn(+z
长度:1420 $n |)M+d
宽度:60 CmyCne
c. 2D晶圆属性: j9FG)0
材质:cladding V^9c:!aI
2) 点击OK,将此设置应用到布局中。 5U[m]W=B
(* WO<V
3. 创建一个MMI星型耦合器 7[=MgnmuC
由于MMI星形耦合器中有四个输出通道,因此需要找到在教程2(教程2:创建一个简单的MMI耦合器)中的简单MMI耦合器所产生的四个最大强度的位置。 如教程2中所述,这个位置在MMI耦合器中的第二个波导大约1180-1210μm的地方。
Gw4~
要创建MMI星型耦合器并找到所需耦合的相关耦合器长度,请执行以下步骤。 wxy.&a]
步骤 操作 Bp
#:sAG
1) 绘制和编辑第一个波导 *&7F(
a. 起始偏移量: >K<n~;ON|
水平:0 hfUN~89;
垂直:0 mQ# 0c_
b. 终止偏移: x+niY;Z E
水平:100 fO6i
垂直:0 >)E{Hs
2) 绘制和编辑第二个波导 [T|_J$
;
a. 起始偏移量: 565UxG
}
水平:100 OjVI4@E;Xe
垂直:0 ma__LWKM,
b. 终止偏移: v#yeiE4
水平:1420 tGq0f"}'J
垂直:0 OAGI|`E$/-
c. 宽:48 X@:[.eI~
3) 单击OK,应用这些设置。 z"[}Sk
HB+{vuN*L
;8!L*uMI
4. 插入输入平面 B.O &