在完成教程1、2和3后,你已熟悉利用OptiBPM创建项目的基本程序: \p iz Vt
• 生成材料 6K.0dhl>`B
• 插入波导和输入平面 ]T<RC\o
• 编辑波导和输入平面的参数 4!+IsT
• 运行仿真 :EC[YAK+D
• 选择输出数据文件 -1F+,+m
• 运行仿真 j&?@:Zg v
• 在OptiBPM_Analyzer中查看仿真结果和各种数值工具 xirZ.wj W
&W y9%
教程4和之后的教程在你已掌握的操作的基础上,对仿真过程进行了简化描述。如果需要更多细节信息,可参阅之前课程中提供的操作。 cZ/VMQEr
@}e5T/{X}T
本课程描述了如何创建一个MMI星型耦合器。该星型耦合器是对简单MMI耦合器(教程2:创建一个简单多模干涉星型(下文简称为MMI)耦合器)的进一步改进。它是由一个输入波导、一个MMI耦合器以及四个输出波导组成。步骤如下: 3}?]G8iL?L
• 定义MMI星型耦合器的材料 LwCf}4u"
• 定义布局设置 1`&"U[{
• 创建MMI星形耦合器 ,3ivB8
• 运行模拟 SR'u*u!
• 查看最大值 JLxAk14lc
• 绘制输出波导
cCy*?P@
• 为输出波导分配路径 .ktyA+r8v
• 在OptiBPM_Analyzer中查看仿真结果 [tz}H&
• 添加输出波导并查看新的仿真结果 [)p>pA2GZj
• 在OptiBPM_Analyzer中查看新的仿真结果 &FzZpH
1. 定义MMI星型耦合器的材料 NHzhGg]
要定义单向弯曲器件的材料,请执行以下步骤。 (^Hpe5h&
步骤 操作 xCiq;FFR
1) 创建一个介电材料: &Sp2['a!
名称:guide $~.'Tnk)
相对折射率(Re):3.3 LYyOcb[x
2) 创建第二个介电材料 6{PlclI !
名称: cladding p{4nWeH?B
相对折射率(Re):3.27 q'[q]
3) 点击保存来存储材料 4XXuj
4) 创建以下通道: 6` @4i'.
名称:channel rOd~sa-H
二维剖面定义材料: guide iqPMCOPZ
5 点击保存来存储材料。 "_
i:
]728x["(19
2. 定义布局设置 Rz9IjL.Z
要定义布局设置,请执行以下步骤。 6#/v:;bF
步骤 操作 #Z]l4d3{T
1) 键入以下设置。 1x~dsM;q
a. Waveguide属性: %gE*x
#
宽度:2.8 gG6j>%y
配置文件:channel &!5S'J%
b. Wafer尺寸: m3E`kW|
长度:1420 hMvLx>q3)
宽度:60 "nEfk{ g
c. 2D晶圆属性: m3i+b
材质:cladding i j+)U`
2) 点击OK,将此设置应用到布局中。 Q9h;`G
7t
I[v6Y^{q
3. 创建一个MMI星型耦合器 .8EaFEd
由于MMI星形耦合器中有四个输出通道,因此需要找到在教程2(教程2:创建一个简单的MMI耦合器)中的简单MMI耦合器所产生的四个最大强度的位置。 如教程2中所述,这个位置在MMI耦合器中的第二个波导大约1180-1210μm的地方。 Tweku}D7
要创建MMI星型耦合器并找到所需耦合的相关耦合器长度,请执行以下步骤。 ruQ1Cph
步骤 操作 B6#^a
1) 绘制和编辑第一个波导 !O}^ Y
a. 起始偏移量: w[X/|O
水平:0 %DR8M\d1~H
垂直:0 2/m4|
b. 终止偏移: #XPY\n^k
水平:100 cg]>*lH
垂直:0 yTb#V"eR
2) 绘制和编辑第二个波导 6_wj,7
a. 起始偏移量: p,K]`pt=
水平:100 osdl dS
垂直:0 L&L