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在完成教程1、2和3后,你已熟悉利用OptiBPM创建项目的基本程序: ]XJpy-U • 生成材料 0fXdE ;M3 • 插入波导和输入平面 f'aUo|^? • 编辑波导和输入平面的参数 "X>Z!> • 运行仿真 ~!,'z • 选择输出数据文件 nO$(\
z) • 运行仿真 rgB`<[:b • 在OptiBPM_Analyzer中查看仿真结果和各种数值工具 5IBe;o c 3 P 教程4和之后的教程在你已掌握的操作的基础上,对仿真过程进行了简化描述。如果需要更多细节信息,可参阅之前课程中提供的操作。 8G1Tpn 5ts8o&|
本课程描述了如何创建一个MMI星型耦合器。该星型耦合器是对简单MMI耦合器(教程2:创建一个简单多模干涉星型(下文简称为MMI)耦合器)的进一步改进。它是由一个输入波导、一个MMI耦合器以及四个输出波导组成。步骤如下: {]]nQ • 定义MMI星型耦合器的材料 7zVaj"N( • 定义布局设置 so8isDC'9 • 创建MMI星形耦合器 w%VHq z$ • 运行模拟 K;_p>bI5 • 查看最大值 =YB3^Z • 绘制输出波导 *r?g&Vw$m • 为输出波导分配路径 nC qUg_{D • 在OptiBPM_Analyzer中查看仿真结果 O%tlj@? • 添加输出波导并查看新的仿真结果 t=~al8 • 在OptiBPM_Analyzer中查看新的仿真结果 UALwr>+VJ 1. 定义MMI星型耦合器的材料 {w(6Tc 要定义单向弯曲器件的材料,请执行以下步骤。 E%3WJ%A 步骤 操作 HpSgGhL'J& 1) 创建一个介电材料: ub{<m^|) 名称:guide c|:H/Y2n| 相对折射率(Re):3.3 7sC$hm] 2) 创建第二个介电材料 [O&2!x 名称: cladding zr\I1v]?1# 相对折射率(Re):3.27 L<J';#BD 3) 点击保存来存储材料 x{Gb4=?l 4) 创建以下通道: =KmjCz: 名称:channel P_z3TK 二维剖面定义材料: guide :v* _Ay 5 点击保存来存储材料。 giyKEnP tcwE.>5O 2. 定义布局设置 Ua,Lg.z 要定义布局设置,请执行以下步骤。 ]V<[W,*(5 步骤 操作 }7IS:"tu 1) 键入以下设置。 R4_4 FEo a. Waveguide属性: x5WFPY$wM 宽度:2.8 /$! /F@^ 配置文件:channel Gz+Bk5#{ b. Wafer尺寸: ^p|MkB?uM 长度:1420 Ii?<Lz 宽度:60 uPsn~>(4 c. 2D晶圆属性: u!k\W{ 材质:cladding bguhx3s 2) 点击OK,将此设置应用到布局中。 DFwkd/3" sI@m"A 3. 创建一个MMI星型耦合器 ..Zuy|?w 由于MMI星形耦合器中有四个输出通道,因此需要找到在教程2(教程2:创建一个简单的MMI耦合器)中的简单MMI耦合器所产生的四个最大强度的位置。 如教程2中所述,这个位置在MMI耦合器中的第二个波导大约1180-1210μm的地方。 \"V7O'S)& 要创建MMI星型耦合器并找到所需耦合的相关耦合器长度,请执行以下步骤。 !\}Dxt 步骤 操作 mSY;hJi 1) 绘制和编辑第一个波导 w_ kHy_) a. 起始偏移量: UkG|5P` 水平:0 m_W\jz??k 垂直:0 ]-bA{@tP. b. 终止偏移: #@;RJJZg 水平:100 [kt!\- 垂直:0 (WVN*OR? 2) 绘制和编辑第二个波导 Z WL/ AC a. 起始偏移量: \'q-Xr'}M 水平:100 hWJ\dwF 垂直:0 ^e"BY( b. 终止偏移: Gk;==~ 水平:1420 |<\o%89AM 垂直:0 sw[1T_S> c. 宽:48 6m_Y%&
3) 单击OK,应用这些设置。 'aBX>M al F*L 3=o3VGZP 4. 插入输入平面 _SY<(2s]B 要插入输入平面,请执行以下步骤。 $LRvPan` 步骤 操作 _'ltz!~ 1) 从绘制菜单中选择输入平面。 m>x.4aO1 2) 要插入输入平面,请单击布局窗口的左侧。 kUUN2 输入平面出现。 .</d$FM JE 3) 要编辑输入平面,请从编辑菜单中选择属性。 nC$f0r"z 出现“输入平面属性”对话框(参见图1)。 we4e>) 4) 确保在“全局数据”选项卡中,Z位置:偏移量,值为2.000。图1.输入平面属性对话框 0vbn!<: R56:}<Y, 5. 运行仿真 [< |