在完成教程1、2和3后,你已熟悉利用OptiBPM创建项目的基本程序: V'Z&>6Z
• 生成材料 iKF$J3a\2f
• 插入波导和输入平面 x#:BE
• 编辑波导和输入平面的参数 M8#*zCp{5
• 运行仿真 StdS$XW
• 选择输出数据文件 4(Cd
• 运行仿真
/.| A
• 在OptiBPM_Analyzer中查看仿真结果和各种数值工具 [B"dH-r7
OZ>)sL
教程4和之后的教程在你已掌握的操作的基础上,对仿真过程进行了简化描述。如果需要更多细节信息,可参阅之前课程中提供的操作。 )O2Nlk~l&
j*eUF-J1
本课程描述了如何创建一个MMI星型耦合器。该星型耦合器是对简单MMI耦合器(教程2:创建一个简单多模干涉星型(下文简称为MMI)耦合器)的进一步改进。它是由一个输入波导、一个MMI耦合器以及四个输出波导组成。步骤如下: wZo.ynXT
• 定义MMI星型耦合器的材料 )DGz`->
• 定义布局设置 !sfXq"F
• 创建MMI星形耦合器 nL":0!DTRD
• 运行模拟 L=
:d!UF
• 查看最大值 ~$&:NB1~q
• 绘制输出波导 \ifK~?
• 为输出波导分配路径 B0b[p*gIl
• 在OptiBPM_Analyzer中查看仿真结果 "W &:j:o
• 添加输出波导并查看新的仿真结果 |b$>68:
• 在OptiBPM_Analyzer中查看新的仿真结果 WNn[L=f
1. 定义MMI星型耦合器的材料 XSm"I[.g
要定义单向弯曲器件的材料,请执行以下步骤。 3wN?|N
步骤 操作 ;0w ^ud
1) 创建一个介电材料: T}L^CU0
名称:guide E-yT
相对折射率(Re):3.3 i}/e}s<-6
2) 创建第二个介电材料 C%}]"0Q1
名称: cladding YGq=8p7.R
相对折射率(Re):3.27 _KB{J7bs<a
3) 点击保存来存储材料 93W
4) 创建以下通道: P+)qE6\
名称:channel W>5vRwx00
二维剖面定义材料: guide AW,v
5 点击保存来存储材料。 [%j?.N
^CZCZ,v
2. 定义布局设置 c;:">NR
要定义布局设置,请执行以下步骤。 (O)\#%,@R
步骤 操作 gk!E$NyE
1) 键入以下设置。 v229H<
a. Waveguide属性: jOUK]>ox:
宽度:2.8 ./'~];&
配置文件:channel ==QWwPpA
b. Wafer尺寸: [[R7~.;
长度:1420 ?S (im
宽度:60 7d&DrI@~
c. 2D晶圆属性: Ds%9cp*6
材质:cladding R)0N0gH
2) 点击OK,将此设置应用到布局中。 A6Ghj{~
o&(wg(Rv
3. 创建一个MMI星型耦合器 YBb)/ZghY
由于MMI星形耦合器中有四个输出通道,因此需要找到在教程2(教程2:创建一个简单的MMI耦合器)中的简单MMI耦合器所产生的四个最大强度的位置。 如教程2中所述,这个位置在MMI耦合器中的第二个波导大约1180-1210μm的地方。 z$JX'(<Z7
要创建MMI星型耦合器并找到所需耦合的相关耦合器长度,请执行以下步骤。 wP[xmO-%
步骤 操作 :83,[;GO2
1) 绘制和编辑第一个波导 2\^G['9
a. 起始偏移量: Vy-28icZ`
水平:0 /b{o3, #.M
垂直:0 &&[zT/]P
b. 终止偏移: *IC^IC:
水平:100 O^5UB~
垂直:0 T4mv%zzS
2) 绘制和编辑第二个波导 >^a$
a. 起始偏移量: 1EVfowIl
水平:100 y|$R`P
垂直:0 0,HqE='w
b. 终止偏移: 7ftR4
水平:1420 Pm4e8b
垂直:0 S_J,[#&
c. 宽:48 t/}L36@+
3) 单击OK,应用这些设置。 \tY"BC4.
>lrhHU
{m[s<A(
4. 插入输入平面 4SgF,ac3r
要插入输入平面,请执行以下步骤。 B$rTwR"(-
步骤 操作 }91*4@B7
1) 从绘制菜单中选择输入平面。 O|QUNr9
2) 要插入输入平面,请单击布局窗口的左侧。 [ `7%sn]$
输入平面出现。 11@]d]v ,
3) 要编辑输入平面,请从编辑菜单中选择属性。 8p&kL