主要用于介绍如何在OptiBPM中创建一个简单的多模干涉耦合器,主要步骤如下: /D yig • 定义MMI耦合器的材料; SL/'UoYm< • 定义布局设定; 4sX?O4p • 创建一个MMI耦合器; >5?c93? • 插入输入面; 6`%|-o
: • 运行模拟; bxO[y<|XL • 在OptiBPM_Analyzer中预览模拟结果。 ^hr# 1 `Y+R9bd 1. 定义MMI耦合器的材料 \gK'g-)} 为了定义MMI耦合器的材料,需要进行如下操作: V|F/ynJfA 1) 通过File-New打开“初始性能对话框(Initial Properties)“ P)XR9&o': K>5bb 图1.初始性能对话框
Yakrsi/jV} 2) 点击图1中的“轮廓和材料(Profiles And Materials)”以激活“轮廓设计窗口(Profile Designer)” 1<m.Q* X\w["!B 图2.轮廓设计窗口
u~VXe 3) 右键单击图2中材料(Materials)标签下的“电介质(Dielectric)“,选择New以激活电介质材料创建窗口 *3OlWnZ?
q2OF-.rE eD3\>Y.z 图3.电介质材料创建窗口
st~l|| 4) 在图3中窗口创建第一种电解质材料: 8zcSh/ − Name : Guide Z0O0Q =e\Y − Refractive Index (Re) : 3.3 ;8f)p9vE − 点击“Store”以保存创建的第一种电解质材料并关闭窗口 t-n'I/^5 smn(q)tt 图4.创建Guide材料
]&B/rSC 5) 重复步骤3)和4),创建第二种电解质材料: t;0]d7ey' − Name : Cladding 9~2iA,xs − Refractive Index (Re) : 3.27 1(*+_TvZ − 点击“Store”以保存创建的第一种电解质材料并关闭窗口 ;CoD5F! |/c-~|% 图5.左图为创建Cladding材料,右图为材料创建成功后电解质材料标签下的显示 5\O&pz@D
6) 双击Profiles标签下的Channel-Channel1,进入通道编辑窗口,构建通道: ;Jb%2?+=! − Name : Guide_Channel k]P'D
. − 2D profile definition: Guide 44t;#6p@%> − 点击“Store”保存创建的通道并关闭通道编辑窗口,关闭Profile Designer窗口 Oiqc]4TL *b!.9p K 图6.构建通道
2. 定义布局设定 '/rU<.1
为了定义布局设定,需要在“初始性能对话框(Initial Properties)”窗口进行以下操作: 3u 7A(
1) 点击“默认波导(Default Waveguide)”标签 %KN2iNq
− Width:2.8 'vZy-qHrV
注意:所有的波导将会使用此设定以作为默认厚度 EP<{3fy
− Profile:Channel-Guide m*h O@M
图7.默认波导标签下“Width”以及“Profile”设置
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2) 切换到“晶圆尺寸(Wafer Dimension)”标签: cVarvueS
− Length:5300 (lq%4h
− Width:60 tNOOaj9mw
图8.设置晶圆尺寸
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3) 切换到“2D晶圆属性(2D Wafer Properties)”标签: ar'VoL}
− Material:Cladding }5z!FXB
− 点击OK以激活布局窗口 ACFEM9 [=
图9.晶圆材料设置
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a@9W'/?igk
4) 布局窗口 C43I(.2g
图10.默认情况下布局窗口显示
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5) 调整显示比率,以便更好进行波导结构布局设置: !Htl e %
− View-Layout Options以激活布局设置选项窗口 9x(t"VPuS
− Display ratio : Z=40,点击OK,如图11所示 KV'3\`v@LY
− 调整缩放比率为0.6 ,最终布局显示如图12所示 a3z_o)"
图11.调整Z方向和X方向的显示比率 Sht3\cJ8
图12.最终布局显示
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3. 创建一个MMI耦合器 sYSq >M
为了构建一个MMI耦合器,需要进入如下操作: Nr"GxezU+A
1) 在“绘图(Draw)”菜单下选择“线性波导(Linear Waveguide)”或者在波导栏 下选择线性波导 (y\.uPu!
2) 当鼠标指针变为十字叉时,点击布局窗口左侧,并向右侧拖拽波导后松开鼠标,以生成第一个线性波导 )(1tDQ`L>
图13 .绘制第一个线性波动
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QQ:2987619807
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