主要用于介绍如何在OptiBPM中创建一个简单的多模干涉耦合器,主要步骤如下: 5SB!)F] • 定义MMI耦合器的材料; k^H&IS! • 定义布局设定; JJQS7,vG • 创建一个MMI耦合器; 9mmkFaBQ • 插入输入面; $yn7XonS • 运行模拟; qsT@aSIo9 • 在OptiBPM_Analyzer中预览模拟结果。 cD%_+@GaU '!hA!eo>J 1. 定义MMI耦合器的材料 Sux/=' 为了定义MMI耦合器的材料,需要进行如下操作: CD!Aa 1) 通过File-New打开“初始性能对话框(Initial Properties)“ z [|:HS& cko^_V&x 图1.初始性能对话框
#NyfE|MKBC 2) 点击图1中的“轮廓和材料(Profiles And Materials)”以激活“轮廓设计窗口(Profile Designer)” |&oTxx$S {py"Ob_ 图2.轮廓设计窗口
=,Zkg(M 3) 右键单击图2中材料(Materials)标签下的“电介质(Dielectric)“,选择New以激活电介质材料创建窗口 m{w'&\T
mf W}^mu cb3Q{.-.# 图3.电介质材料创建窗口
uGc0Lv4i/ 4) 在图3中窗口创建第一种电解质材料: FUO 9jX − Name : Guide V+$^4Ht − Refractive Index (Re) : 3.3 ^\f1zg9I − 点击“Store”以保存创建的第一种电解质材料并关闭窗口 o#Viz: Oxp!G7qfo 图4.创建Guide材料
5r` x\ 5) 重复步骤3)和4),创建第二种电解质材料: 2JhE`EVH − Name : Cladding '8"nXuL- − Refractive Index (Re) : 3.27 L%`MoTpKq − 点击“Store”以保存创建的第一种电解质材料并关闭窗口 FKH_o RxYC]R^78 图5.左图为创建Cladding材料,右图为材料创建成功后电解质材料标签下的显示 %Q080Ltet
6) 双击Profiles标签下的Channel-Channel1,进入通道编辑窗口,构建通道: 9_b_O T − Name : Guide_Channel 3sK^
( − 2D profile definition: Guide fq[1 |Q − 点击“Store”保存创建的通道并关闭通道编辑窗口,关闭Profile Designer窗口 -`A+Qp) 3Fg{?C_l 图6.构建通道
2. 定义布局设定 1KadT7<0}
为了定义布局设定,需要在“初始性能对话框(Initial Properties)”窗口进行以下操作: 4c]=kb GW
1) 点击“默认波导(Default Waveguide)”标签 XOoz.GSQ
− Width:2.8 :\]qB&
注意:所有的波导将会使用此设定以作为默认厚度 ;L@p|]fu
− Profile:Channel-Guide v&)G~cz
图7.默认波导标签下“Width”以及“Profile”设置
3^,p$D<T:,
[9;[g~;E%m
2) 切换到“晶圆尺寸(Wafer Dimension)”标签: GboZ T68
− Length:5300 [$D%]]/,
− Width:60 ET[>kn^#
图8.设置晶圆尺寸
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^
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3) 切换到“2D晶圆属性(2D Wafer Properties)”标签: HoO1_{q"
− Material:Cladding s>I~%+V.?:
− 点击OK以激活布局窗口 YM,UM>
图9.晶圆材料设置
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HLX#RQ
4) 布局窗口 w
y&yK*w
图10.默认情况下布局窗口显示
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5) 调整显示比率,以便更好进行波导结构布局设置: NpH:5hi
− View-Layout Options以激活布局设置选项窗口 4jw q$G
− Display ratio : Z=40,点击OK,如图11所示 lxfv'A
− 调整缩放比率为0.6 ,最终布局显示如图12所示 Rjn%<R2nW
图11.调整Z方向和X方向的显示比率 Ww0dU _
图12.最终布局显示
:0kKw=p1R
wWVB'MRXB,
3. 创建一个MMI耦合器 xQ!
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为了构建一个MMI耦合器,需要进入如下操作: MP
p
1) 在“绘图(Draw)”菜单下选择“线性波导(Linear Waveguide)”或者在波导栏 下选择线性波导 `4,]Mr1b
2) 当鼠标指针变为十字叉时,点击布局窗口左侧,并向右侧拖拽波导后松开鼠标,以生成第一个线性波导 5Y>fVq{U?;
图13 .绘制第一个线性波动
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QQ:2987619807
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