切换到宽版
  • 广告投放
  • 稿件投递
  • 繁體中文
    • 2532阅读
    • 0回复

    [分享]OptiBPM:创建一个简单的多模干涉(MMI)耦合器 [复制链接]

    上一主题 下一主题
    离线infotek
     
    发帖
    7060
    光币
    29445
    光券
    0
    只看楼主 倒序阅读 楼主  发表于: 2021-05-08
    主要用于介绍如何在OptiBPM中创建一个简单的多模干涉耦合器,主要步骤如下: 5SB!)F]   
    • 定义MMI耦合器的材料 k^H&IS!  
    • 定义布局设定; JJQS7,vG  
    • 创建一个MMI耦合器; 9mmkFaBQ  
    • 插入输入面; $yn7XonS  
    • 运行模拟 qsT@aSIo9  
    • 在OptiBPM_Analyzer中预览模拟结果。 cD%_+@GaU  
    '!hA!eo>J  
    1. 定义MMI耦合器的材料 Sux/='  
    为了定义MMI耦合器的材料,需要进行如下操作: CD! Aa  
    1) 通过File-New打开“初始性能对话框(Initial Properties)“ z [|:HS&  
    cko^_V&x  
    图1.初始性能对话框
    #NyfE|MKBC  
    2) 点击图1中的“轮廓和材料(Profiles And Materials)”以激活“轮廓设计窗口(Profile Designer)” |&oTxx$S  
    {py"Ob_  
    图2.轮廓设计窗口
    =,Zkg(M  
    3) 右键单击图2中材料(Materials)标签下的“电介质(Dielectric)“,选择New以激活电介质材料创建窗口 m{w'&\T  
    mfW}^mu  
    cb3Q{.-.#  
    图3.电介质材料创建窗口
    uGc0Lv4i/  
    4) 在图3中窗口创建第一种电解质材料: FUO9jX  
    − Name : Guide V+$^4Ht  
    − Refractive Index (Re) : 3.3 ^\f1zg9I  
    − 点击“Store”以保存创建的第一种电解质材料并关闭窗口 o#Viz:  
    Oxp!G7qfo  
    图4.创建Guide材料
    5r` x\  
    5) 重复步骤3)和4),创建第二种电解质材料: 2JhE`EVH  
    − Name : Cladding '8"nXuL-  
    − Refractive Index (Re) : 3.27 L%`MoTpK q  
    − 点击“Store”以保存创建的第一种电解质材料并关闭窗口 FKH_o  
    RxYC]R^78  
          
    图5.左图为创建Cladding材料,右图为材料创建成功后电解质材料标签下的显示 %Q080Ltet  
    6) 双击Profiles标签下的Channel-Channel1,进入通道编辑窗口,构建通道: 9 _b_O T  
    − Name : Guide_Channel 3sK^ (  
    − 2D profile definition: Guide fq[1|Q  
    − 点击“Store”保存创建的通道并关闭通道编辑窗口,关闭Profile Designer窗口 -`A+Qp)  
    3Fg{?C_l  
    图6.构建通道
    2. 定义布局设定 1KadT7<0}  
    为了定义布局设定,需要在“初始性能对话框(Initial Properties)”窗口进行以下操作: 4c]=kbGW  
    1) 点击“默认波导(Default Waveguide)”标签 XOoz.GSQ  
    − Width:2.8 :\]qB&  
    注意:所有的波导将会使用此设定以作为默认厚度 ;L@p|]fu  
    − Profile:Channel-Guide v&)G~cz  
    图7.默认波导标签下“Width”以及“Profile”设置
    3^,p$D<T:,  
    [9;[g~;E%m  
    2) 切换到“晶圆尺寸(Wafer Dimension)”标签: GboZ T68  
    − Length:5300 [$D%]]/,  
    − Width:60 ET[>kn^#  
    图8.设置晶圆尺寸
    iOB*K)U1  
    ^ AJ_  
    3) 切换到“2D晶圆属性(2D Wafer Properties)”标签: H oO1_{q"  
    − Material:Cladding s>I~%+V.?:  
    − 点击OK以激活布局窗口 Y M,UM>  
    图9.晶圆材料设置
    lyzM?lK-  
    HLX  #RQ  
    4) 布局窗口 w y&yK*w  
    图10.默认情况下布局窗口显示
    _&RGhA  
    '[vC C'  
    5) 调整显示比率,以便更好进行波导结构布局设置: NpH:5hi  
    − View-Layout Options以激活布局设置选项窗口 4jw q$G  
    − Display ratio : Z=40,点击OK,如图11所示 lxfv'A  
    − 调整缩放比率为0.6 ,最终布局显示如图12所示 Rjn%<R2nW  
    图11.调整Z方向和X方向的显示比率 Ww0dU_  
    图12.最终布局显示
    :0kKw=p1R  
    wWVB'MRXB,  
    3. 创建一个MMI耦合器 xQ! Va  
    为了构建一个MMI耦合器,需要进入如下操作: MP p    
    1) 在“绘图(Draw)”菜单下选择“线性波导(Linear Waveguide)”或者在波导栏 下选择线性波导 `4,]Mr1b  
    2) 当鼠标指针变为十字叉时,点击布局窗口左侧,并向右侧拖拽波导后松开鼠标,以生成第一个线性波导 5Y>fVq{U?;  
    图13 .绘制第一个线性波动
    OyQ[}w3o|  
    QQ:2987619807
    }\QXPU{UVd  
     
    分享到