主要用于介绍如何在OptiBPM中创建一个简单的多模干涉耦合器,主要步骤如下: +<C!U' • 定义MMI耦合器的材料; Q2gq}c~ • 定义布局设定; bn5 Su=] • 创建一个MMI耦合器; p5iuYHKk? • 插入输入面; :F?C)F • 运行模拟; Lf&kv7Wj • 在OptiBPM_Analyzer中预览模拟结果。 5b*C1HS@X y)@wjH{6 1. 定义MMI耦合器的材料 GTd,n= 为了定义MMI耦合器的材料,需要进行如下操作: 77Y/!~kd 1) 通过File-New打开“初始性能对话框(Initial Properties)“ f:}
x7_Q ?caSb=f 图1.初始性能对话框
mzgfFNm^G) 2) 点击图1中的“轮廓和材料(Profiles And Materials)”以激活“轮廓设计窗口(Profile Designer)” hgq;`_;1, XL^GZ 图2.轮廓设计窗口
H:|uw 3) 右键单击图2中材料(Materials)标签下的“电介质(Dielectric)“,选择New以激活电介质材料创建窗口 ;V!D:5U
MQ2}EY*A 2^7`mES 图3.电介质材料创建窗口
@yYkti;4- 4) 在图3中窗口创建第一种电解质材料: !a\^Sk
/ − Name : Guide ?J0y| − Refractive Index (Re) : 3.3 l/5
hp. − 点击“Store”以保存创建的第一种电解质材料并关闭窗口 ]-#DB^EQ L4W5EO$ 图4.创建Guide材料
hZb_P\1X 5) 重复步骤3)和4),创建第二种电解质材料: RA 6w}:sq7 − Name : Cladding L/K(dkx − Refractive Index (Re) : 3.27 8s@3hXD& − 点击“Store”以保存创建的第一种电解质材料并关闭窗口 :ws<-Qy ccxNbU 图5.左图为创建Cladding材料,右图为材料创建成功后电解质材料标签下的显示 xmoxZW:
6) 双击Profiles标签下的Channel-Channel1,进入通道编辑窗口,构建通道: Vurqt_nb − Name : Guide_Channel }GM'.yutX − 2D profile definition: Guide ;^L(^Hx − 点击“Store”保存创建的通道并关闭通道编辑窗口,关闭Profile Designer窗口 #'`{Qv0,
vY3h3o 图6.构建通道
2. 定义布局设定 .%-8 t{dt
为了定义布局设定,需要在“初始性能对话框(Initial Properties)”窗口进行以下操作:
Hl=xW/%6y
1) 点击“默认波导(Default Waveguide)”标签 *-X[u:
− Width:2.8 53h0UL
注意:所有的波导将会使用此设定以作为默认厚度 dE3) |%
− Profile:Channel-Guide ;tf=gdX;
图7.默认波导标签下“Width”以及“Profile”设置
HzJz+ x:
L~3Pm%{@A
2) 切换到“晶圆尺寸(Wafer Dimension)”标签: >$7B
wO
− Length:5300 7tp36 TE
− Width:60 "dlVk~
图8.设置晶圆尺寸
v$9y,^p@e
0g;|y4SN=
3) 切换到“2D晶圆属性(2D Wafer Properties)”标签: E{(;@PzE
− Material:Cladding kx^/*~ex
− 点击OK以激活布局窗口 ar,7S&s