切换到宽版
  • 广告投放
  • 稿件投递
  • 繁體中文
    • 1372阅读
    • 0回复

    [分享]OptiBPM:创建一个简单的多模干涉(MMI)耦合器 [复制链接]

    上一主题 下一主题
    在线infotek
     
    发帖
    4745
    光币
    18101
    光券
    0
    只看楼主 正序阅读 楼主  发表于: 2021-05-08
    主要用于介绍如何在OptiBPM中创建一个简单的多模干涉耦合器,主要步骤如下: +<C!U'  
    • 定义MMI耦合器的材料 Q2gq}c~  
    • 定义布局设定; bn5 Su=]  
    • 创建一个MMI耦合器; p5iuYHKk?  
    • 插入输入面; :F?C)F  
    • 运行模拟 Lf&kv7Wj  
    • 在OptiBPM_Analyzer中预览模拟结果。 5b*C1HS@X  
    y)@wjH{6  
    1. 定义MMI耦合器的材料 GTd,n=  
    为了定义MMI耦合器的材料,需要进行如下操作: 77Y/!~kd  
    1) 通过File-New打开“初始性能对话框(Initial Properties)“ f:} x7_Q  
    ?caSb =f  
    图1.初始性能对话框
    mzgfFNm^G)  
    2) 点击图1中的“轮廓和材料(Profiles And Materials)”以激活“轮廓设计窗口(Profile Designer)” hgq;`_;1,  
    XL ^GZ  
    图2.轮廓设计窗口
    H:| uw  
    3) 右键单击图2中材料(Materials)标签下的“电介质(Dielectric)“,选择New以激活电介质材料创建窗口 ;V!D :5U  
    MQ2}EY*A  
    2^7`mES  
    图3.电介质材料创建窗口
    @yYkti;4-  
    4) 在图3中窗口创建第一种电解质材料: !a\^Sk /  
    − Name : Guide ? J0y|  
    − Refractive Index (Re) : 3.3 l/5 hp.  
    − 点击“Store”以保存创建的第一种电解质材料并关闭窗口 ]-# DB^EQ  
    L4W5EO$  
    图4.创建Guide材料
    hZb_P\1X  
    5) 重复步骤3)和4),创建第二种电解质材料: RA 6w}:sq7  
    − Name : Cladding L/K(dkx  
    − Refractive Index (Re) : 3.27 8s@3hXD&  
    − 点击“Store”以保存创建的第一种电解质材料并关闭窗口 :ws<-Qy  
    ccxNbU  
          
    图5.左图为创建Cladding材料,右图为材料创建成功后电解质材料标签下的显示 xmoxZW:  
    6) 双击Profiles标签下的Channel-Channel1,进入通道编辑窗口,构建通道: Vurq t_nb  
    − Name : Guide_Channel }GM'.yutX  
    − 2D profile definition: Guide ;^L(^Hx  
    − 点击“Store”保存创建的通道并关闭通道编辑窗口,关闭Profile Designer窗口 #'`{Qv0,  
    vY3h3o  
    图6.构建通道
    2. 定义布局设定 .%-8 t{dt  
    为了定义布局设定,需要在“初始性能对话框(Initial Properties)”窗口进行以下操作: Hl=xW/%6y  
    1) 点击“默认波导(Default Waveguide)”标签 *-X[u:  
    − Width:2.8 53 h0UL  
    注意:所有的波导将会使用此设定以作为默认厚度 dE3) | %  
    − Profile:Channel-Guide ;tf=gdX;  
    图7.默认波导标签下“Width”以及“Profile”设置
    HzJz+ x:  
    L~3Pm%{@A  
    2) 切换到“晶圆尺寸(Wafer Dimension)”标签: >$7B wO  
    − Length:5300 7tp36TE  
    − Width:60 "dlV k~  
    图8.设置晶圆尺寸
    v$9y,^p@e  
    0g;|y4SN=  
    3) 切换到“2D晶圆属性(2D Wafer Properties)”标签: E{(;@PzE  
    − Material:Cladding kx^/*~ex  
    − 点击OK以激活布局窗口 ar,7S&s H  
    图9.晶圆材料设置
    j>kqz>3  
    +ZV5o&V>  
    4) 布局窗口 J}t%p(mb  
    图10.默认情况下布局窗口显示
    wd6owr  
     D%Z|  
    5) 调整显示比率,以便更好进行波导结构布局设置: dh\P4  
    − View-Layout Options以激活布局设置选项窗口 ,zc(t<|-y  
    − Display ratio : Z=40,点击OK,如图11所示 |W^IlqTH  
    − 调整缩放比率为0.6 ,最终布局显示如图12所示 l,).p  
    图11.调整Z方向和X方向的显示比率 !r-F>!~  
    图12.最终布局显示
    >Q*Wi  
    B5QFK  
    3. 创建一个MMI耦合器 *zLMpL_  
    为了构建一个MMI耦合器,需要进入如下操作: 2AdDIVYC  
    1) 在“绘图(Draw)”菜单下选择“线性波导(Linear Waveguide)”或者在波导栏 下选择线性波导 Bw yx c  
    2) 当鼠标指针变为十字叉时,点击布局窗口左侧,并向右侧拖拽波导后松开鼠标,以生成第一个线性波导 y{Q {'De  
    图13 .绘制第一个线性波动
    $cg cX  
    QQ:2987619807
    "N#Y gSr  
     
    分享到