主要用于介绍如何在OptiBPM中创建一个简单的多模干涉耦合器,主要步骤如下: 4[K6 ZDBU • 定义MMI耦合器的材料; jiLt *>I • 定义布局设定; 97VS
xhr • 创建一个MMI耦合器; Za1VJ5- • 插入输入面; H=_k|#/ • 运行模拟; {s[,CUL0 • 在OptiBPM_Analyzer中预览模拟结果。 /909ED+)>9 b#_u.vP 1. 定义MMI耦合器的材料 K_BF=C.k 为了定义MMI耦合器的材料,需要进行如下操作: m?<5-"hz 1) 通过File-New打开“初始性能对话框(Initial Properties)“ ]N1gzHaS ZRoOdo94 图1.初始性能对话框
,SoqVboRl 2) 点击图1中的“轮廓和材料(Profiles And Materials)”以激活“轮廓设计窗口(Profile Designer)” (t-JGye> J<7nOB}OD 图2.轮廓设计窗口
'FGf#l< 3) 右键单击图2中材料(Materials)标签下的“电介质(Dielectric)“,选择New以激活电介质材料创建窗口 $:0?"?o);
}m-+EUEo9 VXu1Y xY 图3.电介质材料创建窗口
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iM6q<Ht 4) 在图3中窗口创建第一种电解质材料: BO-=X
78f@ − Name : Guide mybjcsV4
− Refractive Index (Re) : 3.3 OW8"7*irT − 点击“Store”以保存创建的第一种电解质材料并关闭窗口 [+4--#&{ .tRWL! 图4.创建Guide材料
{@`Z`h"N 5) 重复步骤3)和4),创建第二种电解质材料: w]VdIS − Name : Cladding :jljM(\ − Refractive Index (Re) : 3.27 Klk[h − 点击“Store”以保存创建的第一种电解质材料并关闭窗口 O8WLulo YW)&IA2 图5.左图为创建Cladding材料,右图为材料创建成功后电解质材料标签下的显示 )I9W a*I
6) 双击Profiles标签下的Channel-Channel1,进入通道编辑窗口,构建通道: 28PT19& − Name : Guide_Channel C<\O;-nHH − 2D profile definition: Guide L\H,cimN − 点击“Store”保存创建的通道并关闭通道编辑窗口,关闭Profile Designer窗口 Q:!.YSB '-m )fWf 图6.构建通道
2. 定义布局设定 *ZA.O
为了定义布局设定,需要在“初始性能对话框(Initial Properties)”窗口进行以下操作: IH0qx_;P&
1) 点击“默认波导(Default Waveguide)”标签 [#6Eax,j
− Width:2.8 vOYG&)Jm
注意:所有的波导将会使用此设定以作为默认厚度 M `bEnu
− Profile:Channel-Guide @-Js)zcl q
图7.默认波导标签下“Width”以及“Profile”设置
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c_^-`7g
2) 切换到“晶圆尺寸(Wafer Dimension)”标签: w6[uM%fHG
− Length:5300 {(!j6|jK
− Width:60 q!+m,
!M
图8.设置晶圆尺寸
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H_Cn1l
SB'$?Kh
3) 切换到“2D晶圆属性(2D Wafer Properties)”标签: Gdf*x<T1
− Material:Cladding K\]ey;Bd
− 点击OK以激活布局窗口 i@}/KT
图9.晶圆材料设置
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-Am~CM
4) 布局窗口 I`e|[k2
图10.默认情况下布局窗口显示
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5) 调整显示比率,以便更好进行波导结构布局设置: {qHf%y&[
− View-Layout Options以激活布局设置选项窗口 kmXaLt2Z
− Display ratio : Z=40,点击OK,如图11所示 N\OeWjA F
− 调整缩放比率为0.6 ,最终布局显示如图12所示 jP9)utEm6
图11.调整Z方向和X方向的显示比率 H,H=y},
图12.最终布局显示
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A<zSh}eh6
3. 创建一个MMI耦合器 OK}+:Y
为了构建一个MMI耦合器,需要进入如下操作: ;8
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1) 在“绘图(Draw)”菜单下选择“线性波导(Linear Waveguide)”或者在波导栏 下选择线性波导 ,U#$Qb 12
2) 当鼠标指针变为十字叉时,点击布局窗口左侧,并向右侧拖拽波导后松开鼠标,以生成第一个线性波导 c`(] j
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图13 .绘制第一个线性波动
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QQ:2987619807
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