主要用于介绍如何在OptiBPM中创建一个简单的多模干涉耦合器，主要步骤如下： ZIikDi h1 • 定义MMI耦合器的材料； ?N(opggiD • 定义布局设定； )w'GnUqWz • 创建一个MMI耦合器； JWo). • 插入输入面； !+Us) 'L • 运行模拟； m
vLqccL • 在OptiBPM_Analyzer中预览模拟结果。 2L|)uCb Y!w {,\3 1. 定义MMI耦合器的材料 kl i)6R< 为了定义MMI耦合器的材料，需要进行如下操作： dId&tTMmC 1) 通过File-New打开“初始性能对话框（Initial Properties）“ j] bNOC2.L _1 kc z]]F 图1.初始性能对话框
w-?|6I}T 2) 点击图1中的“轮廓和材料（Profiles And Materials）”以激活“轮廓设计窗口（Profile Designer）” |]'0z0> 2<33BBlWA 图2.轮廓设计窗口
~#y( ]Xec2 3) 右键单击图2中材料（Materials）标签下的“电介质（Dielectric）“，选择New以激活电介质材料创建窗口 ?)L X4GY
uhO-0H ]iE) 8X 图3.电介质材料创建窗口
p~NFiZ, 4) 在图3中窗口创建第一种电解质材料： c&;Xjy − Name : Guide ^b@&O-&s − Refractive Index (Re) : 3.3 8KyF0r? − 点击“Store”以保存创建的第一种电解质材料并关闭窗口 ;/= 6~% i *2l4 图4.创建Guide材料
E
(b x/f 5) 重复步骤3）和4），创建第二种电解质材料： ? fmW'vs − Name : Cladding 8xQjJ − Refractive Index (Re) : 3.27 J'#R9NO< − 点击“Store”以保存创建的第一种电解质材料并关闭窗口 mqk tM 6 6;{E -y 图5.左图为创建Cladding材料，右图为材料创建成功后电解质材料标签下的显示 PWbi`qF)r
6) 双击Profiles标签下的Channel-Channel1，进入通道编辑窗口，构建通道： ~ w,hJ ` − Name ： Guide_Channel P[<EFj E − 2D profile definition: Guide D;QV `Z% I − 点击“Store”保存创建的通道并关闭通道编辑窗口，关闭Profile Designer窗口 _ !H8j/b nHTb~t5Ke 图6.构建通道
2. 定义布局设定 | +r5D4]e
为了定义布局设定，需要在“初始性能对话框（Initial Properties）”窗口进行以下操作： F=l. 2t*9
1) 点击“默认波导（Default Waveguide）”标签 Kb,#Ot
− Width：2.8 2"C,u V@F!
注意：所有的波导将会使用此设定以作为默认厚度 6V^KOG
− Profile：Channel-Guide z)0%gd|
图7.默认波导标签下“Width”以及“Profile”设置
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m?_@.O@]
2) 切换到“晶圆尺寸（Wafer Dimension）”标签： 1G62Qu$O
− Length：5300 PuoN<9 #
− Width：60 $1b x\
图8.设置晶圆尺寸
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DX#_0-o
3) 切换到“2D晶圆属性（2D Wafer Properties）”标签： &p6^
− Material：Cladding 9i*Xd$ G
− 点击OK以激活布局窗口 7 1inHg
图9.晶圆材料设置
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XX|wle1Kg
4) 布局窗口 HC\\w- `<
图10.默认情况下布局窗口显示
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d 0CFMy6
5) 调整显示比率，以便更好进行波导结构布局设置： n , .t~
− View-Layout Options以激活布局设置选项窗口 j3yz"-53e
− Display ratio : Z=40,点击OK，如图11所示 ygS vYMC
− 调整缩放比率为0.6 ，最终布局显示如图12所示 ct-;L' a
图11.调整Z方向和X方向的显示比率 [$P .ek<
图12.最终布局显示
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7<p? E7
3. 创建一个MMI耦合器 y_A? } 'X
为了构建一个MMI耦合器，需要进入如下操作： K}1eQS&$a
1) 在“绘图（Draw）”菜单下选择“线性波导（Linear Waveguide）”或者在波导栏 下选择线性波导 &nX,)"
2) 当鼠标指针变为十字叉时，点击布局窗口左侧，并向右侧拖拽波导后松开鼠标，以生成第一个线性波导 RRB Bz7:~
图13 .绘制第一个线性波动
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QQ：2987619807
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