主要用于介绍如何在OptiBPM中创建一个简单的多模干涉耦合器,主要步骤如下: poYAiq_3T • 定义MMI耦合器的材料; IKzRM|/ • 定义布局设定; .`>l.gmi& • 创建一个MMI耦合器; 0/@ X!|X • 插入输入面; /:{_| P\ • 运行模拟; *8.@aX3 • 在OptiBPM_Analyzer中预览模拟结果。 5vX8mPR_ )QCM2 1. 定义MMI耦合器的材料 l()MYuLNV 为了定义MMI耦合器的材料,需要进行如下操作: qJXsf M6 1) 通过File-New打开“初始性能对话框(Initial Properties)“ pNE\@U|4E k7|z$=zY 图1.初始性能对话框
fb.\V]K 2) 点击图1中的“轮廓和材料(Profiles And Materials)”以激活“轮廓设计窗口(Profile Designer)” W#jZRviyq! W({TC 图2.轮廓设计窗口
-F+P;S 3) 右键单击图2中材料(Materials)标签下的“电介质(Dielectric)“,选择New以激活电介质材料创建窗口 {_XrZ(y/
b}Hl$V(uD Jp3di&x 图3.电介质材料创建窗口
$W {yK+N 4) 在图3中窗口创建第一种电解质材料:
gr`Ar; − Name : Guide vo6[2.HS − Refractive Index (Re) : 3.3 Wd`
QpW − 点击“Store”以保存创建的第一种电解质材料并关闭窗口
SU%rWH d9-mWz(V+ 图4.创建Guide材料
s w.AfRQP 5) 重复步骤3)和4),创建第二种电解质材料: O(D5A?tv! − Name : Cladding 7XVzd]jH − Refractive Index (Re) : 3.27 FfxX)p1t − 点击“Store”以保存创建的第一种电解质材料并关闭窗口 &xBK\ ,d>X/kd|o 图5.左图为创建Cladding材料,右图为材料创建成功后电解质材料标签下的显示 Vvyrty
6) 双击Profiles标签下的Channel-Channel1,进入通道编辑窗口,构建通道: ?)mhJ/IT − Name : Guide_Channel jxnQG A − 2D profile definition: Guide -M:hlwha − 点击“Store”保存创建的通道并关闭通道编辑窗口,关闭Profile Designer窗口 J(EaE2 EN-H4F 图6.构建通道
2. 定义布局设定 o\]:!#r{T
为了定义布局设定,需要在“初始性能对话框(Initial Properties)”窗口进行以下操作: lQdnL.w$.4
1) 点击“默认波导(Default Waveguide)”标签 3cCK"kr
− Width:2.8 `?]rr0.}hp
注意:所有的波导将会使用此设定以作为默认厚度 OS"{"P
− Profile:Channel-Guide ^0Q=#p
图7.默认波导标签下“Width”以及“Profile”设置
JXL9Gge
oT|P1t.
2) 切换到“晶圆尺寸(Wafer Dimension)”标签: "s>fV9YyZ
− Length:5300 )ew[ Ak|
− Width:60 NDRW
图8.设置晶圆尺寸
$K?T=a;z
ke}Y2sB
3) 切换到“2D晶圆属性(2D Wafer Properties)”标签: :J Gl>V
− Material:Cladding ;v,9v;T
− 点击OK以激活布局窗口 \7,MZt
图9.晶圆材料设置
B0)`wsb_
[arTx^
4) 布局窗口 H~[LJ5x
图10.默认情况下布局窗口显示
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dNUR)X#e
5) 调整显示比率,以便更好进行波导结构布局设置: >P\h,1
− View-Layout Options以激活布局设置选项窗口 7`blGzP_
− Display ratio : Z=40,点击OK,如图11所示 6.U"_%
− 调整缩放比率为0.6 ,最终布局显示如图12所示 QGH
h;
图11.调整Z方向和X方向的显示比率 ).NcLJw_
图12.最终布局显示
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a{]g+tGH
3. 创建一个MMI耦合器 U#;51_
为了构建一个MMI耦合器,需要进入如下操作: a[1sA12
1) 在“绘图(Draw)”菜单下选择“线性波导(Linear Waveguide)”或者在波导栏 下选择线性波导 Sc&)~h}YF
2) 当鼠标指针变为十字叉时,点击布局窗口左侧,并向右侧拖拽波导后松开鼠标,以生成第一个线性波导 01LZE,.
图13 .绘制第一个线性波动
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QQ:2987619807
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