主要用于介绍如何在OptiBPM中创建一个简单的多模干涉耦合器,主要步骤如下: u>K(m))5W3 • 定义MMI耦合器的材料; DJ!<:9FD • 定义布局设定; ++d%D9*V< • 创建一个MMI耦合器; .$rt>u,8< • 插入输入面; cl'#nLPz; • 运行模拟; =B/Ac0Y • 在OptiBPM_Analyzer中预览模拟结果。 c9
&LKJ6 ; xz}]@]Ar 1. 定义MMI耦合器的材料 8F;r$i2 为了定义MMI耦合器的材料,需要进行如下操作: Jtv~n 1) 通过File-New打开“初始性能对话框(Initial Properties)“ tn\PxT Wf}x"* 图1.初始性能对话框
}OJ,<!v2pc 2) 点击图1中的“轮廓和材料(Profiles And Materials)”以激活“轮廓设计窗口(Profile Designer)” =Qf. pO10L`| 图2.轮廓设计窗口
_
Cu," 3) 右键单击图2中材料(Materials)标签下的“电介质(Dielectric)“,选择New以激活电介质材料创建窗口 B=R9K3f
O 8\wH _[kZ:# 图3.电介质材料创建窗口
K,$Ro@! 4) 在图3中窗口创建第一种电解质材料: _'.YC<; − Name : Guide zG|#__=T − Refractive Index (Re) : 3.3 fl4z'8P"( − 点击“Store”以保存创建的第一种电解质材料并关闭窗口 #\{j/{VZ B<
6E' 图4.创建Guide材料
Vt[Kr 5) 重复步骤3)和4),创建第二种电解质材料: !e0OGf − Name : Cladding /&eF,4 − Refractive Index (Re) : 3.27 5?yc*mOZ − 点击“Store”以保存创建的第一种电解质材料并关闭窗口 S+LS!b jkrv2 `" 图5.左图为创建Cladding材料,右图为材料创建成功后电解质材料标签下的显示 .Z2zv*
6) 双击Profiles标签下的Channel-Channel1,进入通道编辑窗口,构建通道: Z7Gl^4zn − Name : Guide_Channel B.T|e,g26 − 2D profile definition: Guide gWK N C − 点击“Store”保存创建的通道并关闭通道编辑窗口,关闭Profile Designer窗口 ~R$Ko(N ^]_5oFRIj 图6.构建通道
2. 定义布局设定 PIthv[F
为了定义布局设定,需要在“初始性能对话框(Initial Properties)”窗口进行以下操作: vr$zYdV>
1) 点击“默认波导(Default Waveguide)”标签 ,Qw\w,
− Width:2.8 iDdmr32E
注意:所有的波导将会使用此设定以作为默认厚度 Di^7@}kQS
− Profile:Channel-Guide 0\X'a}8Bu
图7.默认波导标签下“Width”以及“Profile”设置
'y?
HF@NJ
-:P`Rln
2) 切换到“晶圆尺寸(Wafer Dimension)”标签: L*'3f~@Q
− Length:5300 -:jC.}
Y
− Width:60 w<o#/J9
图8.设置晶圆尺寸
m`Dn R`+
+'!4kwT R
3) 切换到“2D晶圆属性(2D Wafer Properties)”标签: f:K3 P[|
− Material:Cladding ;/-X;!a>
− 点击OK以激活布局窗口 8va&*J?
2
图9.晶圆材料设置
_ITA $#
q_gsYb
4) 布局窗口
L>PPAI
图10.默认情况下布局窗口显示
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OM1pyt
5) 调整显示比率,以便更好进行波导结构布局设置: x#0B
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− View-Layout Options以激活布局设置选项窗口 ZBf9Upg
− Display ratio : Z=40,点击OK,如图11所示 `BGU
− 调整缩放比率为0.6 ,最终布局显示如图12所示 M .J
图11.调整Z方向和X方向的显示比率 km[PbC
图12.最终布局显示
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}8\"oA6
3. 创建一个MMI耦合器 L[LgQ7esQ
为了构建一个MMI耦合器,需要进入如下操作: =#Qm D=
1) 在“绘图(Draw)”菜单下选择“线性波导(Linear Waveguide)”或者在波导栏 下选择线性波导 Q&;d7A.@
2) 当鼠标指针变为十字叉时,点击布局窗口左侧,并向右侧拖拽波导后松开鼠标,以生成第一个线性波导 8>(DQ"h
图13 .绘制第一个线性波动
~p'DPg4
QQ:2987619807
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