主要用于介绍如何在OptiBPM中创建一个简单的多模干涉耦合器，主要步骤如下： 7#R)+ • 定义MMI耦合器的材料； IE`3I#v • 定义布局设定； XPX?+W=mv • 创建一个MMI耦合器； r @4A% ql< • 插入输入面； y|6n:<o • 运行模拟； ddfGR/1X • 在OptiBPM_Analyzer中预览模拟结果。 D5lQ0_IeW irAXXg 1. 定义MMI耦合器的材料 cW:y^(X ii 为了定义MMI耦合器的材料，需要进行如下操作： >9{?&#]x 1) 通过File-New打开“初始性能对话框（Initial Properties）“ -{\(s=% ; ;,7Jon2 图1.初始性能对话框
*D?_,s 2) 点击图1中的“轮廓和材料（Profiles And Materials）”以激活“轮廓设计窗口（Profile Designer）” A9.TRKb=8 qPQIcJ 图2.轮廓设计窗口
#dZs[R7h 3) 右键单击图2中材料（Materials）标签下的“电介质（Dielectric）“，选择New以激活电介质材料创建窗口 .^wpf S
`9^tuR, CVfV 图3.电介质材料创建窗口
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/j 4) 在图3中窗口创建第一种电解质材料： j}^w :W76 − Name : Guide %y RGN − Refractive Index (Re) : 3.3 ?@ oF@AEx= − 点击“Store”以保存创建的第一种电解质材料并关闭窗口 2`4m"D tA z V&l^. 图4.创建Guide材料
V'i-pn2gyu 5) 重复步骤3）和4），创建第二种电解质材料： gK rUv0&F − Name : Cladding .?45:Ey~g − Refractive Index (Re) : 3.27 TF8#I28AD − 点击“Store”以保存创建的第一种电解质材料并关闭窗口 %+~\I\)1
]= ~dyi 图5.左图为创建Cladding材料，右图为材料创建成功后电解质材料标签下的显示 ab6I*DbF
6) 双击Profiles标签下的Channel-Channel1，进入通道编辑窗口，构建通道： [|Qzx w9 − Name ： Guide_Channel wo@ T @Ve~ − 2D profile definition: Guide Pu3oQD ldV − 点击“Store”保存创建的通道并关闭通道编辑窗口，关闭Profile Designer窗口 Hm2Y%
4i% &*v\t\]
图6.构建通道
2. 定义布局设定 DG;7+ 2U
为了定义布局设定，需要在“初始性能对话框（Initial Properties）”窗口进行以下操作： 8%9 C<+.R
1) 点击“默认波导（Default Waveguide）”标签 O%EA ,5U.
− Width：2.8 o !tC{"g
注意：所有的波导将会使用此设定以作为默认厚度 j .q}OK
− Profile：Channel-Guide u9!
?
图7.默认波导标签下“Width”以及“Profile”设置
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$XF$ n#ua
2) 切换到“晶圆尺寸（Wafer Dimension）”标签： (7R?T}
− Length：5300 @su<h\)
− Width：60 iXMJ1\!q\|
图8.设置晶圆尺寸
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yNvAT>H
3) 切换到“2D晶圆属性（2D Wafer Properties）”标签： L2XhrLK.|
− Material：Cladding uVEJV |^/
− 点击OK以激活布局窗口 \|,| )
图9.晶圆材料设置
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U,#~9
4) 布局窗口 ;5tOQ&p%v
图10.默认情况下布局窗口显示
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11oNlgY&
5) 调整显示比率，以便更好进行波导结构布局设置： L8`v
− View-Layout Options以激活布局设置选项窗口 ,:t,$ A
− Display ratio : Z=40,点击OK，如图11所示 ^^b'tP1>
− 调整缩放比率为0.6 ，最终布局显示如图12所示 ~Gfytn9x.;
图11.调整Z方向和X方向的显示比率 Lwl1ta-
图12.最终布局显示
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G[k3`
3. 创建一个MMI耦合器 E{\CE1*
为了构建一个MMI耦合器，需要进入如下操作： `Z;Z ^c
1) 在“绘图（Draw）”菜单下选择“线性波导（Linear Waveguide）”或者在波导栏 下选择线性波导 VVeJe"!t
2) 当鼠标指针变为十字叉时，点击布局窗口左侧，并向右侧拖拽波导后松开鼠标，以生成第一个线性波导 h3@tZL#g
图13 .绘制第一个线性波动
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QQ：2987619807
FOk&z!xYKd
