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ASML已完成设计制造1nm芯片的EUV光刻机  据称在当前台积电、三星的7nm、5nm制造中已经引入了NA=0.33的EUV曝光设备，2nm之后需要更高分辨率的曝光设备，也就是NA=0.55。好在ASML已经完成了0.55NA曝光设备的基本设计（即NXE：5000系列），预计在2022年实现商业化。 至于上文提到的尺寸为何大幅增加就是光学器件增大所致，洁净室指标也达到天花板。 阿斯麦目前在售的两款极紫外光刻机分别是TWINSCAN NXE:3400B和TWINSCAN NXE:3400C，3600D计划明年年中出货，生产效率将提升18%。 分享到：
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最新评论
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木晗楠 2020-12-01 16:28上次看都还只是几nm这么快1nm了
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fiberlaser 2020-12-01 18:20这太厉害了，洁净室，激光技术等都快要到天花板了吧
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wangjin001x 2020-12-01 19:25ASML已完成设计制造1nm芯片的EUV光刻机
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不懂想问 2020-12-01 20:11ASML已完成设计制造1nm芯片的EUV光刻机
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te67f42 2020-12-01 20:502020年11月中旬，在日本东京举办了ITF论坛。论坛上，与ASML（阿斯麦）合作研发光刻机的比利时半导体研究机构IMEC公布了3nm及以下制程的在微缩层面技术细节。
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mirrors 2020-12-01 20:56🐂🍺
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星空38 2020-12-01 20:57据称在当前台积电、三星的7nm、5nm制造中已经引入了NA=0.33的EUV曝光设备，2nm之后需要更高分辨率的曝光设备，也就是NA=0.55。好在ASML已经完成了0.55NA曝光设备的基本设计（即NXE：5000系列），预计在2022年实现商业化。
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luyk 2020-12-01 21:44时代在进步，未来可期
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谭健 2020-12-01 21:53科技在不断进步
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neikoshabo 2020-12-01 23:15厉害了！
