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ASML已完成设计制造1nm芯片的EUV光刻机  据称在当前台积电、三星的7nm、5nm制造中已经引入了NA=0.33的EUV曝光设备，2nm之后需要更高分辨率的曝光设备，也就是NA=0.55。好在ASML已经完成了0.55NA曝光设备的基本设计（即NXE：5000系列），预计在2022年实现商业化。 至于上文提到的尺寸为何大幅增加就是光学器件增大所致，洁净室指标也达到天花板。 阿斯麦目前在售的两款极紫外光刻机分别是TWINSCAN NXE:3400B和TWINSCAN NXE:3400C，3600D计划明年年中出货，生产效率将提升18%。 分享到：
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最新评论
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天蓝色3230 2020-11-30 22:46厉害呀，1nm
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bairuizheng 2020-12-01 00:31这么小厉害了
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tassy 2020-12-01 03:23光刻机体积将增大。
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gchen0331 2020-12-01 06:05中国追赶需要更多努力！
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tomryo 2020-12-01 07:00ASML已完成设计制造1nm芯片的EUV光刻机
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silence唯爱 2020-12-01 07:42啊，远远落后了
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likaihit 2020-12-01 08:09学习前进科技
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redplum 2020-12-01 08:09真牛逼啊
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copland 2020-12-01 08:20设计制造1nm芯片的EUV光刻机
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thorn12345 2020-12-01 08:261nm芯片的EUV光刻机