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中科院科研团队发明出太赫兹宽带可调吸收器 太赫兹吸收器在太赫兹电磁屏蔽、太赫兹成像和太赫兹热敏探测等领域应用前景广泛，引起学界关注。瞄准未来关键领域的应用，要求吸收器有较高的吸收率和较大的带宽、具备主动可调功能。为实现太赫兹宽带可调强吸收，材料研发与器件结构设计具有重要意义。 研究人员选用强关联电子氧化物作为功能层，采用多层介电结构设计与光控方法（图a），实现了这一关联电子器件在宽波段范围的太赫兹光谱性能可调。所选用的关联电子材料二氧化钒在绝缘体-金属相变前后，电导率、介电常数和光学性质会发生变化；这种相变可被温度、光和电场调控，因此，其是太赫兹可调谐器件较好的候选材料。研究人员利用光控方法，在多层器件中实现了大于74%的调制深度（图b）；在特定激光能量条件下，可实现宽带零反射与接近180°的太赫兹相移（图c）。通过测试分析，研究人员明确了这种主动太赫兹波谱性能调控的物理起源。  （a）研究团队选用强关联电子氧化物作为功能层，采用多层介电结构设计与光控方法；（b）通过光控的方法在多层器件中实现了大于74%的调制深度 ；（c）在特定激光能量条件下，可以实现宽带零反射与接近180°的太赫兹相移 相关研究成果发表在ACS Applied Materials & Interfaces上，研究工作得到国家重点研发计划、国家自然科学基金、中科院前沿科学重点研究项目、强磁场安徽省实验室方向基金的支持。 论文链接：https://pubs.acs.org/doi/10.1021/acsami.0c15297 分享到：
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