帖子
勋章
关注
任务
SiC在半导体中的好处 因此碳化硅功率半导体在普通硅半导体中脱颖而出，在电子电力、光电子以及微波通讯等领域均有着广阔的应用前景。 电力行业是SiC功率半导体的重要市场之一，特别是由于其在大功率应用场合中仍然有较低的功耗。以SiC为代表的第三代半导体具有禁带宽、热导率高，击穿场强高，饱和电子漂移速率高，化学性能稳定，硬度高，抗磨损，高键和高能量以及抗辐射等优点，可广泛用于制造高温，高频，高功率，抗辐射，大功率和高密集集成电子器件。 用SiC制造的组件包括二极管，各种晶体管类型（例如MOSFET，JFET和IGBT）和栅极截止晶闸管，通过使用这样的基本构建块，可以创建更小，更轻，效率极高的电源模块，用于将电源切换到负载或从负载切换电源以及进行转换。用SiC衬底开发的电力电子器件可用在输变电、风力发电、太阳能、混合动力汽车等电力电子领域，降低电力损失，减少发热量，高温工作，提高效率，增加可靠性。 早期用例，特斯拉已经将意法半导体的基于SiC MOSFET的功率模块集成到Model 3逆变器中。Model 3具有一个主逆变器，该逆变器需要24个电源模块，每个电源模块均基于两个碳化硅MOSFET管芯，每辆汽车总共有48个SiC MOSFET管芯。这些MOSFET由位于意大利卡塔尼亚的意法半导体晶圆厂制造。 早在2014年5月，丰田汽车宣布通过使用SiC功率半导体，将混合动力汽车的燃油效率提高10％（在日本国土交通省的JC08测试周期下），并减少了汽车的使用。与仅含Si功率半导体的当前PCU相比，功率控制单元（PCU）的尺寸缩小了80％。但由于SiC晶圆（基板）不足，丰田还未采用。 在光电子领域，SiC材料具有与GaN晶格失配小、热导率高、器件尺寸小、抗静电能力强、可靠性高等优点，是GaN系外延材料的理想衬底，由于其良好的热导率，解决了功率型GaN-LED器件的散热问题，特别适合制备大功率的半导体照明用LED，这样大大提高了出光效率，又能有效的降低能耗。 在微波通讯领域，SiC作为一种宽带隙的半导体材料，同时还具有较宽的工作频带，（0~400GHz），加之其优异的高温特性，高击穿电场，高热导率和电子饱和速率等特性，在微波通讯领域也占有一席之地。实现了通讯器件的高效能，高机动，高波段和小型化的，特别是在X波段以上的T/R组件，5G通讯基站中的应用备受关注。 业内人士指出，电动汽车行业是SiC应用前景zui广阔的行业，SiC技术带来的电池使用效率显著提升以及电驱动装置重量和体积的缩小正是电动汽车技术zui需要的。而就目前来看，工业电源行业是SiC普及和应用率较高的行业，使用碳化硅产品可以显著提升工业领域的电能利用效率。 那么碳化硅半导体有不利之处吗？就目前而言，成本是将SiC技术引入更广泛的电气和电力产品中的少数明显缺点之一。SiC半导体的价格可能是普通硅IGBT的五倍。但回顾过去十年，可以清晰的看到碳化硅市场一直在快速增长，这也得益于碳化硅材料端技术的发展，材料成本的不断降低。因此各大公司都在大力拥抱SiC半导体，国内企业和投资者也在大力推动SiC产业的发展。 国内SiC产业动作频频 在全国“大基金”的带动下，在过去的一年中，全国半导体总投资达到700多亿元，其中SiC材料相关项目涉及65亿。三安光电、中科钢研、天通股份、比亚迪等企业已经开始在SiC衬底片项目进行布局。据业内从业人士透露，近几年，国内的碳化硅市场增速非常快，在节能减排政策的大背景下，越来越多的国内客户开始使用碳化硅器件来替代传统硅器件方案，国内电源领域的标杆企业也都在大规模使用碳化硅器件。 为此，国内SiC产业阵容不断扩大。相比于硅技术，国内碳化硅技术的发展更令人欣慰，毕竟国内外碳化硅技术的起跑线是相对接近的。可以看到无论是前端的衬底和外延，还是后端的器件和模组，国内都涌现了一批优秀的甚至在全球市场都有一席之地的企业，整个产业链已经接近实现全国产替代。 在衬底领域，我国有山东天岳、天科合达、河北同光、世纪金光、中电集团2所等；外延片领域有东莞天域、瀚天天成、世纪金光；在SiC功率器件研发制造方面，国内IDM企业有杨杰电子、基本半导体、苏州能讯高能半导体、株洲中车时代、中电科55所、中电科13所、泰科天润、世纪金光，Fabless有上海瞻芯、瑞能半导体，Foundry有三安光电；在模组方面，有嘉兴斯达、河南森源、常州武进科华、中车时代电气。  进入2020年来，企业和投资者关于SiC的动作不断。3月12日，合肥市人民政府发布指出，世纪金光6英寸碳化硅项目落户合肥，大基金持股10.55%。合肥产投资本管理的语音基金作为领投方参与了世纪金光C轮融资。世纪金光成立于2010年，致力于第三代宽禁带半导体功能材料和功率器件研发与生产。近几年来，世纪金光创新性地解决了高纯碳化硅粉料提纯技术、6英寸碳化硅单晶制备技术、碳化硅SBD、MOSFET材料、结构及工艺设计技术等，已完成从碳化硅材料生产、功率元器件和模块制备到行业应用开发与解决方案提供等关键领域的全面布局，是国内第一家拥有SiC全产业链技术的半导体公司。 今年2月份，全国zui大生产规模的碳化硅产业基地在山西正式投产。中国电科（山西）碳化硅材料产业基地一期项目共有300台设备。山西烁科晶体有限公司总经理李斌介绍：“该碳化硅产业基地一期的300台设备，一个月能生产1200块碳化硅单晶，单块的估值在10万元左右，1200块就是一个多亿。”这个1000亩的产业园将串联起山西转型综改示范区上下游十多个产业，带动山西半导体产业集群迅速发展，实现中国碳化硅的完全自主供应。 还有也是在2月，比亚迪公布旗下中大型轿车汉EV首次应用自研“高性能碳化硅MOSFET电机控制模块”，助其0-100km/h加速仅需3.9秒！这个成绩刷新了之前由全新唐DM创造的4.3秒纪录，让汉EV成为比亚迪量产车家族的新加速冠军。其电机控制器首次使用了比亚迪自主研发并制造的高性能碳化硅MOSFET控制模块，碳化硅模块能够降低内阻，增加电控系统的过流能力，让电机将功率与扭矩发挥到极致，大幅提升了电机的性能表现。 再往前时间段，2019年11月26日，露笑科技与中科钢研、国宏中宇在北京签署了《中科钢研节能科技有限公司与国宏中宇科技发展有限公司与露笑科技股份有限公司碳化硅项目战略合作协议》。这次三方进行共同合作，重点依托中科钢研及国宏中宇在碳化硅晶体材料生长工艺技术方面已经取得的与持续产出的研发成果，结合露笑科技的真空晶体生长设备设计技术及丰富的装备制造技术与经验，共同研发适用于中科钢研工艺技术要求的4英寸、6英寸、8英寸乃至更大尺寸级别的碳化硅长晶设备，目前首批2台套升华法碳化硅长晶炉已经完成设备性能验收交付使用，经过优化后的碳化硅长晶炉设备将应用于国宏中宇主导的碳化硅产业化项目中。 2019年8月，华为旗下的哈勃科技投资有限公司投资了国内领先的第三代半导体材料公司山东天岳，持股达10％。山东天岳公司成立于 2011 年 12 月，公司自主开发了全新的高纯半绝缘衬底材料，目前量产产品以 4 英寸为主，此外其 4H 导电型碳化硅衬底材料产品主要有 2 英寸、3 英寸、4 英寸及 6 英寸。山东天岳还独立自主开发了 6 英寸 N 型碳化硅衬底材料。公司已经实现宽禁带半导体碳化硅材料产业化，技术水平达到国际领先。 另外，基本半导体用于电动汽车逆变器、对标特斯拉Model 3所采用器件的车规级全碳化硅MOSFET模块已完成工程样品开发，将联合国内主流车厂开展测试。 分享到：
|
