FEI Scios 2 DualBeam应用介绍

s-_D,$ |  
聚焦离子束显微镜FIB/SEM/EDX FEI Scios 2 DualBeam技术指标 {nbT$3=Zt  
一、技术指标 qa-FLUkIk!  
1、电子束电流范围：1 pA - 400 nA； 1_<x%>zG  
2、电子束电压：200eV-30 keV，具有减速模式 A*eVz]i,k&  
3、电子束分辨率：0.7 nm (30 keV)、1.4 nm(1 keV) KW(a@X  
4、大束流Sidewinder离子镜筒； o]~\u{o#.  
5、离子束加速电压500V-30kV（分辨率：3.0 nm）； Km;}xke6  
6、离子束束流1.5pA-65nA，15孔光阑。 r|=1{Nx  
a3>/B$pE  
二、配置情况 !(rAI  
1、GIS气体注入：Pt沉积 &s='$a;4  
2、ETD SE、T1（筒内低位）、T（高位）探头 z7ik/>d?  
3、Nav-camTM：样品室内光学导航相机 |)+ SG>-  
4、AutoTEM4、Autoslice、Map for3D自动拼图、NanoBuilder纳米加工软件。 P+0'
^:J  
%\v8FCb  
三、适用样品 !+Xul_XG  
半导体、金属、陶瓷材料微纳加工及观察分析，成分分析 \4L ur  
X>Vc4n<}  
四、检测内容 V2ih/mh   
1、IC芯片电路修改 HiA E9  
2、Cross-Section 截面分析 755,=U8'wi  
3、Probing Pad '< U&8?S  
4、FIB微纳加工 RkE)2q[5  
5、材料鉴定 !1G KpL  
6、EDX成分分析 g#=<;X2  
?1D!%jfi  
五、设备简介 |gA@WV-%  
FEI Scios 2 DualBeam系统在Scios系统的基础上进行了升级，更加适用于金属、复合材料和涂层，特点是适用磁性样品、借助漂移抑制对不导电的样品可以进行操作、Trinity检测套件可同步检测材料、形态和边缘对比对度，大大提高效率、软件可以实现三维数据立方体分析金属中夹杂物大小和分布、独有的工作流模式，可以设定程序，降低操作员的难度。在超大样品仓中集成了大尺寸的五轴电动样品台，XY轴具有110mm移动范围，Z方向具有85mm升降空间。 F#gA2VCm