FEI Scios 2 DualBeam应用介绍

发布:探针台 2020-04-26 15:00 阅读:1697
@ RBwT  
聚焦离子束显微镜FIB/SEM/EDX FEI Scios 2 DualBeam技术指标 7*"LW  
技术指标 e|yuPd  
1、电子束电流范围:1 pA - 400 nA; X&Lt?e,&  
2、电子束电压:200eV-30 keV,具有减速模式 zUqDX{I8  
3、电子束分辨率:0.7 nm (30 keV)、1.4 nm(1 keV) `,d7_#9'  
4、大束流Sidewinder离子镜筒; u`|fmVI  
5、离子束加速电压500V-30kV(分辨率:3.0 nm); j]&{ @Y  
6、离子束束流1.5pA-65nA,15孔光阑。 Q~_x%KN/`  
oD\+ 5[x  
配置情况 _AYF'o-Cm  
1、GIS气体注入:Pt沉积 sc60:IxgI  
2ETD SE、T1(筒内低位)、T(高位)探头 E76:}(  
3Nav-camTM:样品室内光学导航相机 _y UFe&  
4AutoTEM4、Autoslice、Map for3D自动拼图、NanoBuilder纳米加工软件 m@~x*+Iz  
)zo ;r!eP  
适用样品 cC.DBYV+-  
半导体、金属、陶瓷材料微纳加工及观察分析,成分分析 }DaYO\:yK*  
.SN]hLV5  
检测内容 9#!tzDOtD  
1IC芯片电路修改 {eUfwPAa3  
2Cross-Section 截面分析 +)S X  
3Probing Pad ,RQ-w2j?  
4FIB微纳加工 aK'r=NU  
5材料鉴定 SZvsJ)  
6EDX成分分析 N{g=Pf?I}  
`l#g`~L  
设备简介 J~.kb k  
FEI Scios 2 DualBeam系统在Scios系统的基础上进行了升级,更加适用于金属、复合材料和涂层,特点是适用磁性样品、借助漂移抑制对不导电的样品可以进行操作、Trinity检测套件可同步检测材料、形态和边缘对比对度,大大提高效率、软件可以实现三维数据立方体分析金属中夹杂物大小和分布、独有的工作流模式,可以设定程序,降低操作员的难度。在超大样品仓中集成了大尺寸的五轴电动样品台,XY轴具有110mm移动范围,Z方向具有85mm升降空间。 Ji q[VeLe  
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