封装形式大全70种类芯片封装类型 1、BGA(ball grid array 球形触点陈列,表面贴装型封装之一。在印刷基板的背面按陈列方式制作出球形凸点用 以 代替引脚,在印刷基板的正面装配 LSI 芯片,然后用模压树脂或灌封方法进行密封。也 称为凸 点陈列载体(PAC)。引脚可超过 200,是多引脚 LSI 用的一种封装。 封装本体也可做得比 QFP(四侧引脚扁平封装)小。例如,引脚中心距为 1.5mm 的 360 引脚 BGA 仅为 31mm 见方;而引脚中心距为 0.5mm 的 304 引脚 QFP 为 40mm 见方。而且 BGA 不 用担心 QFP 那样的引脚变形问题。 该封装是美国 Motorola 公司开发的,首先在便携式电话等设备中被采用,今后在美国有可能在个人计算机中普及。最初,BGA 的引脚(凸点)中心距为 1.5mm,引脚数为 225。现在 也有 一些 LSI 厂家正在开发 500 引脚的 BGA。 BGA 的问题是回流焊后的外观检查。现在尚不清楚是否有效的外观检查方法。有的认为 , 由于焊接的中心距较大,连接可以看作是稳定的,只能通过功能检查来处理。 美国 Motorola 公司把用模压树脂密封的封装称为 OMPAC,而把灌封方法密封的封装称为GPAC(见 OMPAC 和 GPAC)。 2、BQFP(quad flat package with bumper) 带缓冲垫的四侧引脚扁平封装。QFP 封装之一,在封装本体的四个角设置突起(缓冲垫) 以 防止在运送过程中引脚发生弯曲变形。美国半导体厂家主要在微处理器和 ASIC 等电路中 采用 此封装。引脚中心距 0.635mm,引脚数从 84 到 196 左右(见 QFP)。 3、碰焊 PGA(butt joint pin grid array) 表面贴装型PGA 的别称(见表面贴装型 PGA)。 4、C-(ceramic) 表示陶瓷封装的记号。例如,CDIP 表示的是陶瓷 DIP。是在实际中经常使用的记号。 5、Cerdip 用玻璃密封的陶瓷双列直插式封装,用于 ECL RAM,DSP(数字信号处理器)等电路。带有 玻璃窗口的 Cerdip 用于紫外线擦除型 EPROM 以及内部带有 EPROM 的微机电路等。引脚中 心 距 2.54mm,引脚数从 8 到 42。在日本,此封装表示为 DIP-G(G 即玻璃密封的意思)。 Cerquad 表面贴装型封装之一,即用下密封的陶瓷 QFP,用于封装 DSP 等的逻辑 LSI 电路。带有窗 口的 Cerquad 用于封装 EPROM 电路。散热性比塑料 QFP 好,在自然空冷条件下可容许 1. 5~ 2W 的功率。但封装成本比塑料 QFP 高 3~5 倍。引脚中心距有 1.27mm、0.8mm、0.65mm、 0.5mm、 0.4mm 等多种规格。引脚数从 32 到 368。 CLCC(ceramic leaded chip carrier) 带引脚的陶瓷芯片载体,表面贴装型封装之一,引脚从封装的四个侧面引出,呈丁字形 。 带有窗口的用于封装紫外线擦除型 EPROM 以及带有 EPROM 的微机电路等。此封装也称为 QFJ、QFJ-G(见 QFJ)。 COB(chip on board) 板上芯片封装,是裸芯片贴装技术之一,半导体芯片交接贴装在印刷线路板上,芯片与 基 板的电气连接用引线缝合方法实现,芯片与基板的电气连接用引线缝合方法实现,并用 树脂覆 盖以确保可靠性。虽然 COB 是最简单的裸芯片贴装技术,但它的封装密度远不如 TAB 和 倒片 焊技术。 DFP(dual flat package) 双侧引脚扁平封装。是 SOP 的别称(见 SOP)。以前曾有此称法,现在已基本上不用。 DIC(dual in-line ceramic package) 陶瓷 DIP(含玻璃密封)的别称(见 DIP) DIL(dual in-line) DIP 的别称(见 DIP)。欧洲半导体厂家多用此名称。 DIP(dual in-line package) 双列直插式封装。插装型封装之一,引脚从封装两侧引出,封装材料有塑料和陶瓷两种 。 DIP 是最普及的插装型封装,应用范围包括标准逻辑 IC,存贮器 LSI,微机电路等。 引脚中心距2.54mm,引脚数从 6 到 64。封装宽度通常为 15.2mm。有的把宽度为 7.52mm 和 10.16mm 的封装分别称为 skinny DIP 和 slim DIP(窄体型 DIP)。但多数情况下并不加 区分, 只简单地统称为 DIP。另外,用低熔点玻璃密封的陶瓷 DIP 也称为 cerdip(见 cerdip)。 DSO(dual small out-lint) 双侧引脚小外形封装。SOP 的别称(见 SOP)。部分半导体厂家采用此名称。 DICP(dual tape carrier package) 双侧引脚带载封装。TCP(带载封装)之一。引脚制作在绝缘带上并从封装两侧引出。由于 利 用的是 TAB(自动带载焊接)技术,封装外形非常薄。常用于液晶显示驱动 LSI,但多数为 定制品。 另外,0.5mm 厚的存储器 LSI 簿形封装正处于开发阶段。在日本,按照 EIAJ(日本电子机 械工 业)会标准规定,将 DICP 命名为 DTP。 DIP(dual tape carrier package) 同上。日本电子机械工业会标准对 DTCP 的命名(见 DTCP) FP(flat package) 扁平封装。表面贴装型封装之一。QFP 或 SOP(见 QFP 和 SOP)的别称。部分半导体厂家采 用此名称。 flip-chip 倒焊芯片。裸芯片封装技术之一,在 LSI 芯片的电极区制作好金属凸点,然后把金属凸 点 与印刷基板上的电极区进行压焊连接。封装的占有面积基本上与芯片尺寸相同。是所有 封装技 术中体积最小、最薄的一种。 但如果基板的热膨胀系数与 LSI 芯片不同,就会在接合处产生反应,从而影响连接的可 靠 性。因此必须用树脂来加固 LSI 芯片,并使用热膨胀系数基本相同的基板材料。 18、FQFP(fine pitch quad flat package) 小引脚中心距 QFP。通常指引脚中心距小于 0.65mm 的 QFP(见 QFP)。部分导导体厂家采 用此名称。 19、CPAC(globe top pad array carrier) 美国 Motorola 公司对 BGA 的别称(见 BGA)。 20、CQFP(quad fiat package with guard ring) 带保护环的四侧引脚扁平封装。塑料 QFP 之一,引脚用树脂保护环掩蔽,以防止弯曲变 形。 在把 LSI 组装在印刷基板上之前,从保护环处切断引脚并使其成为海鸥翼状(L 形状)。 这种封装 在美国 Motorola 公司已批量生产。引脚中心距 0.5mm,引脚数最多为 208 左右。 芯片失效分析实验室介绍,能够依据国际、国内和行业标准实施检测工作,开展从底层芯片到实际产品,从物理到逻辑全面的检测工作,提供芯片预处理、侧信道攻击、光攻击、侵入式攻击、环境、电压毛刺攻击、电磁注入、放射线注入、物理安全、逻辑安全、功能、兼容性和多点激光注入等安全检测服务,同时可开展模拟重现智能产品失效的现象,找出失效原因的失效分析检测服务,主要包括点针工作站(Probe Station)、反应离子刻蚀(RIE)、微漏电侦测系统(EMMI)、X-Ray检测,缺陷切割观察系统(FIB系统)等 21、H-(with heat sink) 表示带散热器的标记。例如,HSOP 表示带散热器的 SOP。 22、pin grid array(surface mount type) 表面贴装型 PGA。通常 PGA 为插装型封装,引脚长约 3.4mm。表面贴装型 PGA 在封装的 底面有陈列状的引脚,其长度从 1.5mm 到 2.0mm。贴装采用与印刷基板碰焊的方法,因而 也称 为碰焊 PGA。因为引脚中心距只有 1.27mm,比插装型 PGA 小一半,所以封装本体可制作得 不 怎么大,而引脚数比插装型多(250~528),是大规模逻辑 LSI 用的封装。封装的基材有 多层陶 瓷基板和玻璃环氧树脂印刷基数。以多层陶瓷基材制作封装已经实用化。 23、JLCC(J-leaded chip carrier) J形引脚芯片载体。指带窗口 CLCC 和带窗口的陶瓷 QFJ 的别称(见 CLCC 和 QFJ)。部分半 导体厂家采用的名称。 24、LCC(Leadless chip carrier) 无引脚芯片载体。指陶瓷基板的四个侧面只有电极接触而无引脚的表面贴装型封装。是 高 速和高频 IC 用封装,也称为陶瓷 QFN 或 QFN-C(见 QFN)。 25、LGA(land grid array) 触点陈列封装。即在底面制作有阵列状态坦电极触点的封装。装配时插入插座即可。现 已 实用的有 227 触点(1.27mm 中心距)和 447 触点(2.54mm 中心距)的陶瓷 LGA,应用于高速 逻辑 LSI 电路。 LGA 与 QFP 相比,能够以比较小的封装容纳更多的输入输出引脚。另外,由于引线的阻 抗 小,对于高速 LSI 是很适用的。但由于插座制作复杂,成本高,现在基本上不怎么使用 。预计 今后对其需求会有所增加。 26、LOC(lead on chip) 芯片上引线封装。LSI 封装技术之一,引线框架的前端处于芯片上方的一种结构,芯片 的 中心附近制作有凸焊点,用引线缝合进行电气连接。与原来把引线框架布置在芯片侧面 附近的 结构相比,在相同大小的封装中容纳的芯片达 1mm 左右宽度。 27、LQFP(low profile quad flat package) 薄型 QFP。指封装本体厚度为 1.4mm 的 QFP,是日本电子机械工业会根据制定的新 QFP 外形规格所用的名称。 28、L-QUAD 陶瓷 QFP 之一。封装基板用氮化铝,基导热率比氧化铝高 7~8 倍,具有较好的散热性。 封装的框架用氧化铝,芯片用灌封法密封,从而抑制了成本。是为逻辑 LSI 开发的一种 封装, 在自然空冷条件下可容许 W3 的功率。现已开发出了 208 引脚(0.5mm 中心距)和 160 引脚 (0.65mm 中心距)的 LSI 逻辑用封装,并于 1993 年 10 月开始投入批量生产。 29、MCM(multi-chip module) 多芯片组件。将多块半导体裸芯片组装在一块布线基板上的一种封装。根据基板材料可 分 为 MCM-L,MCM-C 和 MCM-D 三大类。 MCM-L 是使用通常的玻璃环氧树脂多层印刷基板的组件。布线密度不怎么高,成本较低 。 MCM-C 是用厚膜技术形成多层布线,以陶瓷(氧化铝或玻璃陶瓷)作为基板的组件,与使 用多层陶瓷基板的厚膜混合 IC 类似。两者无明显差别。布线密度高于 MCM-L。 MCM-D 是用薄膜技术形成多层布线,以陶瓷(氧化铝或氮化铝)或 Si、Al 作为基板的组 件。 布线密谋在三种组件中是最高的,但成本也高。 30、MFP(mini flat package) 小形扁平封装。塑料 SOP 或 SSOP 的别称(见 SOP 和 SSOP)。部分半导体厂家采用的名称。 31、MQFP(metric quad flat package) 按照 JEDEC(美国联合电子设备委员会)标准对 QFP 进行的一种分类。指引脚中心距为 0.65mm、本体厚度为 3.8mm~2.0mm 的标准 QFP(见 QFP)。 32、MQUAD(metal quad) 美国 Olin 公司开发的一种 QFP 封装。基板与封盖均采用铝材,用粘合剂密封。在自然空 冷 条件下可容许 2.5W~2.8W 的功率。日本新光电气工业公司于 1993 年获得特许开始生产 。 33、MSP(mini square package) QFI 的别称(见 QFI),在开发初期多称为 MSP。QFI 是日本电子机械工业会规定的名称。 OPMAC(over molded pad array carrier) 模压树脂密封凸点陈列载体。美国 Motorola 公司对模压树脂密封 BGA 采用的名称(见 BGA)。 35、P-(plastic) 表示塑料封装的记号。如 PDIP 表示塑料 DIP。 36、PAC(pad array carrier) 凸点陈列载体,BGA 的别称(见 BGA)。 37、PCLP(printed circuit board leadless package) 印刷电路板无引线封装。日本富士通公司对塑料 QFN(塑料 LCC)采用的名称(见 QFN)。引脚中心距有 0.55mm 和 0.4mm 两种规格。目前正处于开发阶段。 38、PFPF(plastic flat package) |