存储器常见问题解答
存储器常见问题解答 1. 谈一谈存储器封装格局?大陆封装企业机会有多大?哪家技术更有优势? A:NOR Flash最常用的像so8、so16或者wson的话,大陆封装企业还是比较多的。据我所知,像紫光宏茂、天水华天都可以做,so16这种NOR的封装应该说不存在特别的技术门槛。我们看到有一些需要WLP-CSP的,这部分的封装基本上需要在晶圆上做,当然大陆也有一些封装厂,也可以作WLP-CSP,据我所知,天水华天就可以做。 DRAM的封装测试,我们看到基本上还是以台湾的企业为主,特别是在测试这一块,因为测试一方面比较贵,另一方面台湾在DRAM的封测上比较有经验,相对大陆来说,封装的产品质量和可靠性都好一些。 MCT的话,现在也有一些产能是在大陆封装的,但是比较多的BGA封装是在韩国和台湾做的。大陆也有一些公司做部分SIP的封装。 2. 存储器国产替代市场空间有多大?哪些龙头可以脱颖而出? A:在中低容量的存储器方面,包括NOR Flash、SSE NAND,我个人认为在国产替代这方面已经做得足够好。我们可以看到兆易创新、武汉新芯和上海东芯,他们都有NOR Flash,兆易创新和上海东芯也有SSE NAND的研发和委外制造,主要是用的中芯国际(北京)的工厂。所以我认为在NOR Flash、SSE NAND这部分的进口替代,应该说基本上已经完成了。我们跟赛普拉斯、美光的NOR Flash,跟旺宏和华邦的SSE NAND相比,差距有可能是在产品的稳定性方面。 3D NAND Flash上面,主要用在智能手机和固态硬盘,长江存储目前在量产64层的3D NAND,在研发128层的3D NAND,这些和三星、海力士、美光、东芝的差距还是比较大的。我认为差距一方面是在技术层面上,因为我们还是要落后于国外的,另外一方面还是在良率和可靠性上,我觉得还是有一定的差距。 DRAM上面,紫光国芯和兆易创新现在也在积极进入,但是基本上还是在做一些比较劣质的市场,比如说DDR3,主流的DDR4甚至DDR5,我们与三星、海力士、美光还是有很大的差距,像他们基本上已经进入了20纳米以下的量产阶段。大陆的话DRAM部分就我知道的像合肥长鑫,还在做19纳米和17纳米的产品设计,应该说离量产还是有一定距离的。 所以我个人认为在存储器国产替代方面,我们中低容量应该已经做得不错了,我们现在欠缺的是大容量。主流的3D NAND和DRAM产品,我们还是需要花很多时间去追赶的。 3. 周期的先行指标有哪些? A:NOR Flash的周期指标,我一般是看价格和growth margin的。因为从历史上来看,NOR Flash的周期是比较长的,一般来说以三到四年为一个周期,产生的原因其实也跟供应商有关。如果在某一段时间内市场持续看好,那就会有供应商不断增加产能。但是随着产能的增加之后,市场的ASP会受到一定的影响,因为每家供应商增加出来的产能必须要销售给客户,这样的话就会形成竞争,甚至是恶劣的竞争。比如有些时间我们可以看到,NOR Flash的供应商都是亏本销售的,但是这种亏本的销售手段不能持续太久,等到一定的时间之后,就会有供应商退出这种所谓的流血竞争。产能缩减之后,整个产业链就是趋向健康,这个时候我们可以看到ASP在往上升,等到上升到一定阶段的时候,又会有新的供应商加入供应链,周而复始。 整体来说,我个人会去看市场上各个容量的价格,以及关注那些存储器上市公司的毛利,特别是专注于NOR Flash、SSE NAND的存储公司。从上次波段来看, 2016年Q4整个行业的存储器毛利大概在25%左右,随着价格的上涨,基本上可以到40%甚至45%,然后一路再往下滑,又回到了30%以下。如果大家可以看旺宏财报的话,这个周期还是比较明显的。 4. 怎么看长江存储?产品竞争力怎么样?Xtacking技术有优势吗? |





