聚焦离子束显微镜FIB/SEM/EDX技术指标
聚焦离子束显微镜FIB/SEM/EDX FEI Scios 2 DualBeam技术指标 一、技术指标 1、电子束电流范围:1 pA - 400 nA; 2、电子束电压:200eV-30 keV,具有减速模式 3、电子束分辨率:0.7 nm (30 keV)、1.4 nm(1 keV) 4、大束流Sidewinder离子镜筒; 5、离子束加速电压500V-30kV(分辨率:3.0 nm); 6、离子束束流1.5pA-65nA,15孔光阑。 二、配置情况 1、GIS气体注入:Pt沉积 2、ETD SE、T1(筒内低位)、T(高位)探头 3、Nav-camTM:样品室内光学导航相机 4、AutoTEM4、Autoslice、Map for3D自动拼图、NanoBuilder纳米加工软件。 三、适用样品 半导体、金属、陶瓷材料微纳加工及观察分析,成分分析 四、检测内容 |




