聚焦离子束显微镜FIB/SEM/EDX技术指标
聚焦离子束显微镜FIB/SEM/EDX FEI Scios 2 DualBeam技术指标
一、技术指标 1、电子束电流范围:1 pA - 400 nA; 2、电子束电压:200eV-30 keV,具有减速模式 3、电子束分辨率:0.7 nm (30 keV)、1.4 nm(1 keV) 4、大束流Sidewinder离子镜筒; 5、离子束加速电压500V-30kV(分辨率:3.0 nm); 6、离子束束流1.5pA-65nA,15孔光阑。 二、配置情况 1、GIS气体注入:Pt沉积 2、ETD SE、T1(筒内低位)、T(高位)探头 3、Nav-camTM:样品室内光学导航相机 4、AutoTEM4、Autoslice、Map for3D自动拼图、NanoBuilder纳米加工软件。 三、适用样品 半导体、金属、陶瓷材料微纳加工及观察分析,成分分析 四、检测内容 1、IC芯片电路修改 2、Cross-Section 截面分析 3、Probing Pad 4、FIB微纳加工 5、材料鉴定 6、EDX成分分析 五、设备简介 FEI Scios 2 DualBeam系统在Scios系统的基础上进行了升级,更加适用于金属、复合材料和涂层,特点是适用磁性样品、借助漂移抑制对不导电的样品可以进行操作、Trinity检测套件可同步检测材料、形态和边缘对比对度,大大提高效率、软件可以实现三维数据立方体分析金属中夹杂物大小和分布、独有的工作流模式,可以设定程序,降低操作员的难度。在超大样品仓中集成了大尺寸的五轴电动样品台,XY轴具有110mm移动范围,Z方向具有85mm升降空间。 分享到:
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