MLCC失效分析方法

发布:探针台 2020-03-19 13:56 阅读:2056
MLCC失效分析方法 E7eVg*Cvi  
MLCC失效原因 `f'q/  
在产品正常使用情况下,失效的根本原因是MLCC 外部或内部存在如开裂、孔洞、分层等各种微观缺陷。这些缺陷直接影响到MLCC产品的电性能、可靠性,给产品质量带来严重的隐患。 j=AJs<  
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外部因素:裂纹 Ro1' L1:  
1.温度冲击裂纹(Thermal Crack) fBLd5  
主要由于器件在焊接特别是波峰焊时承受温度冲击所致,不当返修也是导致温度冲击裂纹的重要原因。 8&UuwZ6i-  
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2. 机械应力裂纹(Flex Crack) xRY5[=97  
MLCC的特点是能够承受较大的压应力,但抵抗弯曲能力比较差。器件组装过程中任何可能产生弯曲变形的操作都可能导致器件开裂。常见应力源有:贴片对中,工艺过程中电路板操作;流转过程中的人、设备、重力等因素;通孔元器件插入;电路测试、单板分割;电路板安装;电路板定位铆接;螺丝安装等。该类裂纹一般起源于器件上下金属化端,沿45℃角向器件内部扩展。该类缺陷也是实际发生最多的一种类型缺陷。 -.*\J|S@g  
内部因素:空洞、裂纹、分层 Ys_YjlMIbl  
1.陶瓷介质内空洞 (Voids) ;Z`)*TRp4  
导致空洞产生的主要因素为陶瓷粉料内的有机或无机污染,烧结过程控制不当等。空洞的产生极易导致漏电,而漏电又导致器件内部局部发热,进一步降低陶瓷介质的绝缘性能从而导致漏电增加。该过程循环发生,不断恶化,严重时导致多层陶瓷电容器开裂、爆炸,甚至燃烧等严重后果。 |wb7`6g  
2.烧结裂纹 (Firing Crack) JZXc1R| 9  
烧结裂纹常起源于一端电极,沿垂直方向扩展。主要原因与烧结过程中的冷却速度有关,裂纹和危害与空洞相仿。 G2^DukK.  
3.分层 (Delamination) |"-,C}O  
多层陶瓷电容器(MLCC)的烧结为多层材料堆叠共烧。烧结温度可以高达1000℃以上。层间结合力不强,烧结过程中内部污染物挥发,烧结工艺控制不当都可能导致分层的发生。分层和空洞、裂纹的危害相仿,为重要的多层陶瓷电容器内在缺陷。 7}x-({bqy  
芯片开封实验室介绍,能够依据国际、国内和行业标准实施检测工作,开展从底层芯片到实际产品,从物理到逻辑全面的检测工作,提供芯片预处理、侧信道攻击、光攻击、侵入式攻击、环境、电压毛刺攻击、电磁注入、放射线注入、物理安全、逻辑安全、功能、兼容性和多点激光注入等安全检测服务,同时可开展模拟重现智能产品失效的现象,找出失效原因的失效分析检测服务,主要包括点针工作站(Probe Station)、反应离子刻蚀(RIE)、微漏电侦测系统(EMMI)、X-Ray检测,缺陷切割观察系统(FIB系统)等检测试验。实现对智能产品质量的评估及分析,为智能装备产品的芯片、嵌入式软件以及应用提供质量保证。 \fKE~61  
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失效分析实验室 |@g1|OWd|  
赵工 IB6]Wj  
座机010-82825511-728 IcoL/7k3  
手机13488683602 d$TW](Bby  
微信a360843328 /< :; ^B  
[email=邮箱zhaojh@kw.beijing.gov.cn]邮箱zhaojh@kw.beijing.gov.cn[/email] H\k5B_3OU  
对于外部缺陷,通常采用显微镜下人工目测法或自动外观分选设备。而内部微小缺陷一直是MLCC检测的难点之一,它严重影响到产品的可靠性,却又难以发现。超声波探伤方法能够更精确地检测出MLCC内部的缺陷,从而分选出不良品,提高MLCC的击穿电压与高压可靠性。 4AM*KI  
关于超声波探伤仪 Ji!-G4.n"  
利用超声波的穿透与反射(表面波和底波)的特性来检测物体中的缺陷。采用超声波探伤仪能准确地找出有缺陷的MLCC 产内部微缺陷,并且能够确定缺陷的位置,进一步的磨片分析,对于发现有内部缺陷的产品则采用整批报废处理,表明了超声波探伤方法在MLCC内部缺陷的检测、判定上的有效性与可靠性。 -0X> y  
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正常样品:样品扫描照片整体颜色为绿黄色,表示样品本体显示正常。部分样品边缘出现红蓝色,是由于样品边缘表面高度不均匀造成,属于正常现象。 I7~|!d6  
异常样品:样品本体颜色会出现红蓝色,则会再次对可疑样品进行扫描确认。 +n,BD C;  
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(超声波扫描后的样品成像如图) .;:xx~G_Q  
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元器件及IC产品失效分析 XJzXxhk2  
不止MLCC失效分析,专业实验室还可以对其他电子元器件及IC产品进行失效分析。检测创新中心强大的电子元器件验证应用数据库、产品生产制造支持以及世界一流大厂原厂技术支持等诸多优势,为您提供专业的电子元器件分析和验证支持服务。 DsX>xzM  
失效分析对产品的生产和使用都具有重要的意义,通过分析工艺废次品、早期失效、试验失效、中试失效以及现场失效的样品,确认失效模式、分析失效机理,明确失效原因,最终给出预防对策,减少或避免失效的再次发生。 \$C 4H  
常见的IC失效模式 V"p<A  
失效模式:静电损伤、金属电迁移、芯片粘结失效、过电应力损失、金属疲劳、热应力、电迁移失效、物理损伤失效、塑料封装失效、引线键合失效 ??m7xH5u1  
失效分析方法 2 QmUg  
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电特性测试:通常应用于失效分析初步阶段,目的是通过掌握样品电参数或功能失效状况,方便为进一步分析作准备。 ,2TqzU;  
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观察量测:通过观察IC外部/内部外观&结构,确认IC异常位置及具体状况。该类测试一般与DPA(即破坏性物理分析)结合使用。 9^ r  
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DPA破坏性测试:通过液体侵蚀、机械破坏、激光切割等破坏方式,对IC内部具体失效位置进行定位及呈现。 ~qS/90,  
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可靠度测试:是通过使用各种环境试验设备,模拟气候环境中的高温、低温、高温高湿以及温度变化等情况,验证IC寿命及性能稳定性。
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