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世界SiC产业分析 世界SiC产业分析 虽然我国在整个产业链上已有所布局，但不得不直面的事实是，目前全球碳化硅市场基本被国外企业垄断。其中，尤以美国、欧洲、日本为大。美国的科锐Cree居于领导地位，占全球SiC产量的70%-80%；欧洲则拥有完整 SiC衬底、外延、器件以及应用产业链，代表公司为英飞凌、意法半导体等；日本更是设备和模块开发方面的绝对领先者，代表企业为罗姆半导体、三菱电机等。 他们为何能够占据绝大部分市场呢？主要是这些企业大都采用IDM模式，如科锐、罗姆和其他公司都在自己的工厂生产器件，并以自己的品牌销售，基本覆盖了碳化硅衬底、外延片、器件设计与制造全产业链环节，可以更好的加强成本控制与工艺品控的改进。总体来看，IDM模型适用于SiC。 虽然IDMs将继续占据主导地位，但无晶圆厂和代工厂供应商也有发展空间。事实上，一些无晶圆厂的公司已经开始使用代工厂来生产产品。KLA的Raghunathan曾谈到：“无晶圆厂模式允许初创企业和较小的公司在没有重大工艺器件投资的情况下测试他们的产品。相反，传统的晶圆厂保留了成为主要客户选择的战略供应商的优势。这两种模式都在发挥各自的优势，服务于当前工业景观的多样化需求，寻求共存的方式。” 与国外大厂相比，国内的SiC起步相对较晚，目前与美欧日这些公司在部分环节还存在一定的差距。但从整体产业链来看，相比于世界一流技术，我们大约是处于其五年前的水平阶段，而且这个时间差正在逐渐缩小，部分技术环节甚至是齐头并进。 具体来看，在SiC衬底方面，国外主流产品已经完成从4寸向6寸的转化，并且已经成功研发8英寸SiC衬底片；而国内SiC衬底片市场现在以4英寸为主，6英寸目前还在研发过程中，产品的成品率相对较低。SiC器件成本高的一大原因就是衬底贵，目前，衬底成本大约是加工晶片的50%。SiC衬底不止贵，生产工艺还复杂，与硅相比，碳化硅很难处理、研磨和锯切，挑战非常大。所以大多数都是从科锐、罗姆或第三方供应商那里购买衬底。 在外延片方面，我国已经取得了可喜的成果。六英寸的碳化硅外延产品可以实现本土供应，建成或在建一批专用的碳化硅晶圆厂等。比如瑞能的碳化硅二极管产品以及产业链上游的碳化硅外延产品，早已在国外市场和全球顶部厂商直接竞争。 在SiC功率器件方面，目前国内SiC功率器件制造商所采用的衬底片大多数都是进口。国外600-1700V SiC SBD、MOSFET已经实现产业化，主要产品集中于1200V以下。国内600-3300V SiC SBD研发初见成效，目前也向产业化方向实施，同时1200V/50A的SiC MOSFET也研发成功，中车时代、世纪金光、全球能源互联网研究院、中电55所的6英寸SiC功率器件线已经启动。 结语 作为全球半导体应用最大的国家，我国已经意识到发展第三代宽禁带半导体产业的重要性。行业专家推测，在未来的5年的时间内，中国第三代半导体产业将会迎来一个“高潮期”。希望有更多的企业投入到碳化硅产业链的各个环节，同时希望行业内企业能沉下心来发展碳化硅技术，成熟的技术和可靠的产品才是产业化发展的重要基石。 分享到：
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