ASML研发下一代EUV光刻机：分辨率提升70% 逼近1nm极限

在EUV光刻机方面，荷兰ASML（阿斯麦）公司垄断了目前的EUV光刻机，去年出货26台，创造了新纪录。据报道，ASML公司正在研发新一代EUV光刻机，预计在2022年开始出货。根据ASML之前的报告，去年他们出货了26台EUV光刻机，预计2020年交付35台EUV光刻机，2021年则会达到45台到50台的交付量，是2019年的两倍左右。 Lv%t*s2$/  
W9w(a:~hY  
eu$VKLY*  
目前ASML出货的光刻机主要是NXE:3400B及改进型的NXE:3400C，两者基本结构相同，但NXE:3400C采用模块化设计，维护更加便捷，平均维修时间将从48小时缩短到8-10小时，支持7nm、5nm。 Y"8@\73(R  
2ak]&ll+h  
此外，NXE:3400C的产能也从之前的125WPH（每小时处理晶圆数）提升到了175WPH。 }'x)e  
$aJay]F  
不论NXE:3400B还是NXE:3400C，目前的EUV光刻机还是第一代，主要特点是物镜系统的NA（数值孔径）为0.33。 %+j/nA1%S  
Fh)xm* u(  
ASML最近纰漏他们还在研发新一代EUV光刻机EXE:5000系列，NA指标达到了0.55，主要合作伙伴是卡尔蔡司、IMEC比利时微电子中心。 wQy~5+LE  
-Z,r\9d  
与之前的光刻机相比，新一代光刻机意味着分辨率提升了70%左右，可以进一步提升光刻机的精度，毕竟ASML之前的目标是瞄准了2nm甚至极限的1nm工艺的。 V9"R8*@-  
eUNaq&M  
不过新一代EUV光刻机还有点早，至少到2022年才能出货，大规模出货要到2024年甚至2025年，届时台积电、三星等公司确实要考虑3nm以下的制程工艺了。