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ASML研发下一代EUV光刻机：分辨率提升70% 逼近1nm极限  目前ASML出货的光刻机主要是NXE:3400B及改进型的NXE:3400C，两者基本结构相同，但NXE:3400C采用模块化设计，维护更加便捷，平均维修时间将从48小时缩短到8-10小时，支持7nm、5nm。 此外，NXE:3400C的产能也从之前的125WPH（每小时处理晶圆数）提升到了175WPH。 不论NXE:3400B还是NXE:3400C，目前的EUV光刻机还是第一代，主要特点是物镜系统的NA（数值孔径）为0.33。 ASML最近纰漏他们还在研发新一代EUV光刻机EXE:5000系列，NA指标达到了0.55，主要合作伙伴是卡尔蔡司、IMEC比利时微电子中心。 与之前的光刻机相比，新一代光刻机意味着分辨率提升了70%左右，可以进一步提升光刻机的精度，毕竟ASML之前的目标是瞄准了2nm甚至极限的1nm工艺的。 不过新一代EUV光刻机还有点早，至少到2022年才能出货，大规模出货要到2024年甚至2025年，届时台积电、三星等公司确实要考虑3nm以下的制程工艺了。 分享到：
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最新评论
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thorn12345 2020-03-17 08:40ASML最近纰漏他们还在研发新一代EUV光刻机EXE:5000系列，NA指标达到了0.55，
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stoutman 2020-03-17 08:51不过新一代EUV光刻机还有点早，至少到2022年才能出货，大规模出货要到2024年甚至2025年，届时台积电、三星等公司确实要考虑3nm以下的制程工艺了。
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邻家百合 2020-03-17 09:06ASML研发下一代EUV光刻机：分辨率提升70% 逼近1nm极限
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rmsh 2020-03-17 09:16国内也开始有高端光刻机实验成功
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hhj520 2020-03-17 09:31是2019年的两倍左右。
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wmh1985 2020-03-17 09:43目前的EUV光刻机还是第一代，主要特点是物镜系统的NA（数值孔径）为0.33。
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广州未赢够 2020-03-17 10:17光刻机的光源好像也升级了吧，从以前的二氧化碳激光器改进了一些
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wtyssg 2020-03-17 10:37ASML研发下一代EUV光刻机：分辨率提升70% 逼近1nm极限
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james951 2020-03-17 10:38光刻机
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wuerteren 2020-03-17 10:51光刻机在镜头设计上国内应该问题不大，但是分辨率也就是干涉仪国内应该达不到要求