芯片失效分析方式总结芯片失效分析方式总结,因为技术,经验,设备缺乏等原因,我们经常会遇到需要委托第三方实验室测试的情况,那么第三方实验室测试都是怎么进行的?有哪些分析项目呢?下面小编为大家总结,有没说到的地方,欢迎留言补充,小编会及时加上去,希望能帮到大家。 一、聚焦离子束,Focused Ion beam 服务介绍:FIB(聚焦离子束,Focused Ion beam)是将液态金属离子源产生的离子束经过离子枪加速,聚焦后照射于样品表面产生二次电子信号取得电子像,此功能与SEM(扫描电子显微镜)相似,或用强电流离子束对表面原子进行剥离,以完成微、纳米级表面形貌加工。 服务范围:工业和理论材料研究,半导体,数据存储,自然资源等领域 服务内容:1.芯片电路修改和布局验证 2.Cross-Section截面分析 3.Probing Pad 4.定点切割 二、扫描电镜(SEM) 服务介绍:SEM/EDX(形貌观测、成分分析)扫描电镜(SEM)可直接利用样品表面材料的物质性能进行微观成像。EDX是借助于分析试样发出的元素特征X射线波长和强度实现的,根据不同元素特征X射线波长的不同来测定试样所含的元素。通过对比不同元素谱线的强度可以测定试样中元素的含量。通常EDX结合电子显微镜(SEM)使用,可以对样品进行微区成分分析。 服务范围:军工,航天,半导体,先进材料等 |