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芯片仿真设计（第三讲：打好芯片制备第一枪--HEMT芯片的仿真设计） 主讲人：贾兴宇现任天津赛米卡尔科技有限公司电力电子器件事业部主任，硕士就读于河北工业大学电子科学与技术专业，长期从事于半导体器件机理分析、电子器件工艺、电子器件芯片设计与仿真工作。熟悉精通TMBS、MOSFET、E-HEMT以及IGBT等多种电子器件的仿真设计及物性分析。 课程介绍：现如今，各种电力电子器件已经深入我们日常生活，承担着电能控制与变换的功能。HEMT作为电力电子器件中重要的组成部分，凭借其出色的电气特性得到广泛研究与应用，然而受到当前工艺水平的限制，HEMT器件仍然面临诸多问题，无法完全发挥其理论性能。本课程旨在基于Crosslight设计平台，进行HEMT芯片架构的设计，助力企业制备高性能HEMT器件。为此，本课程将具体展示APSYS软件关于HEMT器件结构仿真分析的基本操作流程。根据软件仿真计算，我们可以对HEMT器件内部微观现象进行展示与机制分析，通过对二维电场分布，电势分布，载流子浓度以及能带等重要参数的分析，揭示影响HEMT器件性能的因素及各参数对器件性能的影响规律，从而指导工艺生产，助力企业制备高性能电子器件。疫情期间，课程免费上！ 分享到：
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