芯片失效分析项目内容详解

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金相显微镜/体式显微镜：提供样品的显微图像观测，拍照和测量等服务，显微倍率从10倍~1000倍不等，并有明场和暗场切换功能，可根据样品实际情况和关注区域情况自由调节 8"C;I=]8  
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RIE等离子反应刻蚀机：提供芯片的各向异性刻蚀功能，配备CF4辅助气体，可以在保护样品金属结构的前提下，快速刻蚀芯片表面封装的钨，钨化钛，二氧化硅，胶等材料，保护层结构，以辅助其他设备后续实验的进行 *{5L*\AZ  
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自动研磨机：提供样品的减薄，断面研磨，抛光，定点去层服务，自动研磨设备相比手动研磨而言，效率更高，受力更精准，使用原厂配套夹具加工样品无需进行注塑，方便后续其他实验的进行 S#M<d~rK  
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高速切割机：部分芯片需要进行剖面分析，此时可使用制样切割工具，先用树脂将被测样品包裹和固定，再使用可换刀头的高速切割机切割样品使用夹具固定待切割样品，确定切割位置后进行切割，同时向切割刀片喷淋冷却液。提供PCB或其他类似材料的切割服务，样品树脂注塑服务 +6vm4(3?  
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微漏电侦测系统（EMMI）：微光显微镜(Emission Microscope)，主要侦测芯片加电 "HWl7c3q  
后内部模块失效所释放出的光子，可被观测的失效缺陷包括漏电结（Junction Leakage）、接触毛刺（Contact Spiking）、热电子效应（Hot Electrons）、闩锁效应（Latch-Up）、多晶硅晶须（Poly-Silicon Filaments）、衬底损伤（Substrate Damage）、物理损伤（Mechanical Damage） P7IxN)b7  
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点针工作台：提供芯片或其他产品的微区电信号引出功能，支持微米级的测试点信号引出或施加，配备硬探针和牛毛针，可根据样品实际情况自由搭配使用，外接设备可自由搭配，如示波器，电源等，同时探针台提供样品细节可视化功能，协助芯片设计人员对失效芯片进行分析在显微镜的辅助下，使用探针接触芯片管脚，给芯片加电，观察芯片加电后的功耗表现 ]rEFWA  
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X-ray/CT：提供芯片或其他产品的内部透视图像或模型，X-ray图像分辨率最高可达微米级，可在不破坏样品的前提下观测样品内部结构，空洞缺陷等信息，CT服务为基于X-ray图像的3D重构模型，可以更加灵活的对样品进行逐层扫描 B_u+$Odo  
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激光开封：使用高能量激光光束照射待开封的芯片表面，利用激光的高温烧蚀去除芯片表面覆盖的环氧树脂等物质使用激光开封后，待测芯片的管脚和引线被暴露出来，为后续连线或加电测试做好准备工作 b"Hg4i)  
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芯片失效分析项目内容详解包含项目很多，下面选择几个常用的项目介绍给大家，希望对您的工作有所帮助。 i8$tId  
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IV曲线追踪仪：提供芯片的二极管曲线绘制功能，提供基础的正负极加电方式，如与现有夹具匹配之芯片还可提供快速批量测试，引脚自定义分组进行二极管特性测试 7)S;VG k  
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FIB/SEM/EDX：配合扫描式电子显微镜（SEM）使用，用强电流离子束有选择性的剥除金属、氧化硅层或沉积金属层，以完成微、纳米级表面形貌加工。提供样品微区的几何加工服务，使用镓离子对样品进行轰击，达到微区加工的目的，加工范围一般为几十立方微米~1立方微米之间，利用双束切换系统，可在不移动样品的前提下对加工后的区域进行高分辨率的SEM成像提供表层线路修改服务，通过FIB和PT沉积功能组合达到线路修改的目的提供样品微区的元素构成分析服务，针对样品特定区域进行电子扫描，单位扫描区域约为10立方微米（含深度），可使用点扫，面扫，线扫，MAP等不同呈现方式对样品进行元素构成分析 tS2P|fl  
IC失效分析实验室 =2VM(GtK>  
智能产品检测实验室于2015年底实施运营，能够依据国际、国内和行业标准实施检测工作，开展从底层芯片到实际产品，从物理到逻辑全面的检测工作，提供芯片预处理、侧信道攻击、光攻击、侵入式攻击、环境、电压毛刺攻击、电磁注入、放射线注入、物理安全、逻辑安全、功能、兼容性和多点激光注入等安全检测服务，同时可开展模拟重现智能产品失效的现象，找出失效原因的失效分析检测服务，主要包括点针工作站（Probe Station）、反应离子刻蚀（RIE）、微漏电侦测系统（EMMI）、X-Ray检测，缺陷切割观察系统（FIB系统）等检测试验。实现对智能产品质量的评估及分析，为智能装备产品的芯片、嵌入式软件以及应用提供质量保证。