扫描电子显微镜SEM应用

发布:探针台 2020-02-10 14:47 阅读:1863
扫描电子显微镜SEM应用 z>Hgkp8D"  
扫描电子显微镜SEM分析原理:用电子技术检测高能电子束与样品作用时产生二次电子、背散射电子、吸收电子、X射线等并放大成象 ve/<=IR Zo  
谱图的表示方法:背散射象、二次电子象、吸收电流象、元素的线分布和面分布等 ^_u kLzP9  
提供的信息:断口形貌、表面显微结构薄膜内部的显微结构、微区元素分析与定量元素分析等 e`TH91@  
jWl)cC  
DB:+E|vSD  
SEM测试项目 cK i m-  
      1、材料表面形貌分析,微区形貌观察 l6kWQpV  
      2、各种材料形状、大小、表面、断面、粒径分布分析 K]0:?h;%Ld  
      3、各种薄膜样品表面形貌观察、薄膜粗糙度及膜厚分析 Q[pV!CH  
,Pjew%  
扫描电子显微镜样品制备比透射电镜样品制备简单,不需要包埋和切片。 3#&7-o  
样品要求: U`d5vEhT  
样品必须是固体;满足无毒,无放射性,无污染,无磁,无水,成分稳定要求。 db6b-Y{   
制备原则: ie\"$i.98H  
表面受到污染的试样,要在不破坏试样表面结构的前提下进行适当清洗,然后烘干; ?$^2Umt 0  
新断开的断口或断面,一般不需要进行处理,以免破坏断口或表面的结构状态; -Sx\Xi"<o=  
要侵蚀的试样表面或断口应清洗干净并烘干; 4K\(xd&Q  
磁性样品预先去磁; 7Ka l"Ew  
试样大小要适合仪器专用样品座尺寸。 \r,Q1n?7  
常用方法: T' &I{L33Y  
块状样品 4V==7p x(  
块状导电材料:无需制样,用导电胶把试样粘结在样品座上,直接观察。 TAF PawH  
块状非导电(或导电性能差)材料:先使用镀膜法处理样品,以避免电荷累积,影响图像质量。 lBTmx(_}}r  
7MHKeLq  
块状样品制备示意图 CS-uNG6  
粉末样品 xp72>*_9&  
直接分散法: `gb5 "`EZ  
双面胶粘在铜片上,将被测样品颗粒借助于棉球直接散落在上面,用洗耳球轻吹试样,除去附着的和未牢固固定的颗粒。 I'iGt~4$  
把载有颗粒的玻璃片翻转过来,对准已备好的试样台,用小镊子或玻璃棒轻轻敲打,使细颗粒均匀落在试样台。 .wu xoq  
超声分散法:将少量的颗粒置于烧杯中,加入适量的乙醇,超声震荡5分钟后,用滴管加到铜片上,自然干燥。 5v}8org  
^8Q62  
镀膜法 ;)e2 @'Agl  
真空镀膜 9 ;Ox;;w  
真空蒸发镀膜法(简称真空蒸镀)是在真空室中,加热蒸发容器中待形成薄膜的原材料,使其原子或分 子从表面气化逸出,形成蒸气流,入射到固体(称为衬 底或基片)表面,凝结形成固态薄膜的方法。 [4C:r!  
离子溅射镀膜  !@'6)/  
原理: T{Uc:Z  
离子溅射镀膜是在部分真空的溅射室中辉光放电,产生正的气体离子;在阴极(靶)和阳极(试样)间电压的加速作用下,荷正电的离子轰击阴极表面,使阴极表面材料原子化;形成的中性原子,从各个方向溅出,射落到试样的表面,于是在试样表面上形成一层均匀的薄膜。 g(J&m< I  
特点: [E JQ>?D  
对于任何待镀材料,只要能做成靶材,就可实现溅射(适合制备难蒸发材料,不易得到高纯度的化合物所对应的薄膜材料); \z7SkZt,GT  
溅射所获得的薄膜和基片结合较好; ;R?I4}O#R8  
消耗贵金属少,每次仅约几毫克; +0q>fp_K(+  
溅射工艺可重复性好,膜厚可控制,同时可以在大面积基片上获得厚度均匀的薄膜。 p)3U7"q  
溅射方法:直流溅射、射频溅射、磁控溅射、反应溅射。 ]=";IN:SU  
1.直流溅射 BWuqo  
+H #U~p$  
直流溅射沉积装置示意图 i35=Y~P-  
.Pw\~X3!  
已很少用,因为沉积速率太低~0.1μm/min,基片升温,靶材必须导电,高的直流电压,较高的气压。 mPP`xL?T  
优点:装置简单,容易控制,支模重复性好。 $.v5~UGb{\  
缺点:工作气压高(10-2Torr),高真空泵不起作用; yH*6@P4:0=  
沉积速率低,基片升温高,只能用金属靶(绝缘靶导致正离子累积) WT`4s  
@kU@N?5e  
2.射频溅射 i21Gw41p:  
GJp85B!PlO  
  射频溅射工作示意图 _Bp1co85MQ  
c#]q^L\x  
射频频率:13.56MHz <xC#@OZ  
?Cg>h  
特点: wz.6du6-  
电子作振荡运动,延长了路径,不再需要高压。 Zg`Mz _?  
射频溅射可制备绝缘介质薄膜 IGFR4+  
射频溅射的负偏压作用,使之类似直流溅射。 L^4-5`gj  
`8>Py~  
3.磁控溅射 R@#G>4  
-!L"')  
原理:以磁场改变电子运动方向,并束缚和延长电子的运动轨迹,提高了电子对工作气体的电离几率,有效利用了电子的能量。从而使正离子对靶材轰击所引起的靶材溅射更加有效,可在较低的气压条件下进行溅射,同时受正交电磁场束缚的电子又约束在靶附近,只能在其能量耗尽时才能沉积的基片上。 2hQ>:  
Vy,^)]  
  磁控溅射原理示意图 `z )N,fF  
FEW_bP/4  
{Gw.l."  
特点:低温,高速,有效解决了直流溅射中基片温升高和溅射速率低两大难题。 ]mXLg:3B  
缺点: #\ n8M  
靶材利用率低(10%-30%),靶表面不均匀溅射; 'fNKlPMv4D  
反应性磁控溅射中的电弧问题; 0,Y5KE{  
薄膜不够均匀 TkO[rAC  
溅射装置比较复杂 d)R352  
0 Ir<y  
反应溅射 `TPOCxM Mo  
在溅射气体中加入少量的反应气体如氮气,氧气,烷类等,使反应气体与靶材原子一起在衬底上沉积,对一些不易找到块材制成靶材的材料,或溅射过程中薄膜成分容易偏离靶材原成分的,都可利用此方法。 fH ?ha  
反应气体:O2,N2,NH3,CH4,H2S等 p6XtTx  
yxq}QSb \3  
镀膜操作 lP!;3iJ B  
将制好的样品台放在样品托内,置于离子溅射仪中,盖好顶盖,拧紧螺丝,打开电源抽真空。待真空稳定后,约为5 X10-1mmHg,按下"启动"按钮,通过调节针阀将电流调至6~8mA,开始镀金,镀金一分钟后自动停止,关闭电源,打开顶盖螺丝,放气,取出样品即可。
分享到:

最新评论

我要发表 我要评论
限 50000 字节
关于我们
网站介绍
免责声明
加入我们
赞助我们
服务项目
稿件投递
广告投放
人才招聘
团购天下
帮助中心
新手入门
发帖回帖
充值VIP
其它功能
站内工具
清除Cookies
无图版
手机浏览
网站统计
交流方式
联系邮箱:商务合作 站务处理
微信公众号:opticsky 微信号:cyqdesign
新浪微博:光行天下OPTICSKY
QQ号:9652202
主办方:成都光行天下科技有限公司
Copyright © 2005-2024 光行天下 蜀ICP备06003254号-1