扫描电子显微镜SEM应用

发布:探针台 2020-02-10 14:47 阅读:1858
扫描电子显微镜SEM应用 (JU_8j!  
扫描电子显微镜SEM分析原理:用电子技术检测高能电子束与样品作用时产生二次电子、背散射电子、吸收电子、X射线等并放大成象 2!idy]vy_  
谱图的表示方法:背散射象、二次电子象、吸收电流象、元素的线分布和面分布等 s,kU*kHn  
提供的信息:断口形貌、表面显微结构薄膜内部的显微结构、微区元素分析与定量元素分析等 wB 2}uk7  
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SEM测试项目 LGfmUb-{]  
      1、材料表面形貌分析,微区形貌观察 N|$5/bV  
      2、各种材料形状、大小、表面、断面、粒径分布分析 )6 k1 P  
      3、各种薄膜样品表面形貌观察、薄膜粗糙度及膜厚分析 qy6K,/& 3  
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扫描电子显微镜样品制备比透射电镜样品制备简单,不需要包埋和切片。 `$M etQ  
样品要求: DiR'p`b~  
样品必须是固体;满足无毒,无放射性,无污染,无磁,无水,成分稳定要求。 ~M; gM]r;  
制备原则: ? o sfL  
表面受到污染的试样,要在不破坏试样表面结构的前提下进行适当清洗,然后烘干; VW~Xbyf  
新断开的断口或断面,一般不需要进行处理,以免破坏断口或表面的结构状态;  Zsgi{  
要侵蚀的试样表面或断口应清洗干净并烘干; s_v }=C^  
磁性样品预先去磁; s|E%~j[9  
试样大小要适合仪器专用样品座尺寸。 (s ;zRb!4L  
常用方法: ^F&A6{9f/h  
块状样品 _)q4I(s*  
块状导电材料:无需制样,用导电胶把试样粘结在样品座上,直接观察。 E)Srj~$d  
块状非导电(或导电性能差)材料:先使用镀膜法处理样品,以避免电荷累积,影响图像质量。 0H<4+ *`K  
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块状样品制备示意图 fSr`>UpxC  
粉末样品 xh`Du|jvm  
直接分散法: t%:G|n Sz  
双面胶粘在铜片上,将被测样品颗粒借助于棉球直接散落在上面,用洗耳球轻吹试样,除去附着的和未牢固固定的颗粒。  -?Ejbko  
把载有颗粒的玻璃片翻转过来,对准已备好的试样台,用小镊子或玻璃棒轻轻敲打,使细颗粒均匀落在试样台。 5c)<'EP  
超声分散法:将少量的颗粒置于烧杯中,加入适量的乙醇,超声震荡5分钟后,用滴管加到铜片上,自然干燥。 38"cbHE3  
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镀膜法 h)P]gT0f/  
真空镀膜 C-&#r."L  
真空蒸发镀膜法(简称真空蒸镀)是在真空室中,加热蒸发容器中待形成薄膜的原材料,使其原子或分 子从表面气化逸出,形成蒸气流,入射到固体(称为衬 底或基片)表面,凝结形成固态薄膜的方法。 /XN*)m  
离子溅射镀膜 $M-NR||k  
原理: h>.9RX &  
离子溅射镀膜是在部分真空的溅射室中辉光放电,产生正的气体离子;在阴极(靶)和阳极(试样)间电压的加速作用下,荷正电的离子轰击阴极表面,使阴极表面材料原子化;形成的中性原子,从各个方向溅出,射落到试样的表面,于是在试样表面上形成一层均匀的薄膜。 m qpd  
特点: Ir^BC!<2>  
对于任何待镀材料,只要能做成靶材,就可实现溅射(适合制备难蒸发材料,不易得到高纯度的化合物所对应的薄膜材料); }d@LSaM  
溅射所获得的薄膜和基片结合较好; }Py<qXH  
消耗贵金属少,每次仅约几毫克; UFos E|r:  
溅射工艺可重复性好,膜厚可控制,同时可以在大面积基片上获得厚度均匀的薄膜。 -h=c=P  
溅射方法:直流溅射、射频溅射、磁控溅射、反应溅射。 LK{a9` h  
1.直流溅射 uV!MW=)  
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直流溅射沉积装置示意图 vmMV n-\#  
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已很少用,因为沉积速率太低~0.1μm/min,基片升温,靶材必须导电,高的直流电压,较高的气压。 Up'."w_zE  
优点:装置简单,容易控制,支模重复性好。 <e[!3,%L  
缺点:工作气压高(10-2Torr),高真空泵不起作用; S7Qen6lm  
沉积速率低,基片升温高,只能用金属靶(绝缘靶导致正离子累积) [rc'/@L  
FDl,Ey^r/  
2.射频溅射 O-?z' @5cI  
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  射频溅射工作示意图 s!NisF  
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射频频率:13.56MHz y{:]sHyG  
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特点: WT I'O  
电子作振荡运动,延长了路径,不再需要高压。 {7/A  
射频溅射可制备绝缘介质薄膜 2n _T2{  
射频溅射的负偏压作用,使之类似直流溅射。 >\RDQ%z  
H7y&N5.V  
3.磁控溅射 1k*n1t):  
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原理:以磁场改变电子运动方向,并束缚和延长电子的运动轨迹,提高了电子对工作气体的电离几率,有效利用了电子的能量。从而使正离子对靶材轰击所引起的靶材溅射更加有效,可在较低的气压条件下进行溅射,同时受正交电磁场束缚的电子又约束在靶附近,只能在其能量耗尽时才能沉积的基片上。 #*[,woNk  
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  磁控溅射原理示意图 >aX:gN  
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特点:低温,高速,有效解决了直流溅射中基片温升高和溅射速率低两大难题。 buc,M@>  
缺点: c9 gz!NE  
靶材利用率低(10%-30%),靶表面不均匀溅射; S$ Ns8=  
反应性磁控溅射中的电弧问题; M}R@ K;%  
薄膜不够均匀 6JUav."`~  
溅射装置比较复杂 -WQ_[t9l  
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反应溅射 k];L!Fj1  
在溅射气体中加入少量的反应气体如氮气,氧气,烷类等,使反应气体与靶材原子一起在衬底上沉积,对一些不易找到块材制成靶材的材料,或溅射过程中薄膜成分容易偏离靶材原成分的,都可利用此方法。 ~+7ad$   
反应气体:O2,N2,NH3,CH4,H2S等 YK(XS"Kl  
FZM ]o  
镀膜操作 0G~%UYB-  
将制好的样品台放在样品托内,置于离子溅射仪中,盖好顶盖,拧紧螺丝,打开电源抽真空。待真空稳定后,约为5 X10-1mmHg,按下"启动"按钮,通过调节针阀将电流调至6~8mA,开始镀金,镀金一分钟后自动停止,关闭电源,打开顶盖螺丝,放气,取出样品即可。
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