扫描电子显微镜SEM应用

发布:探针台 2020-02-10 14:47 阅读:1904
扫描电子显微镜SEM应用 3R$*G8v  
扫描电子显微镜SEM分析原理:用电子技术检测高能电子束与样品作用时产生二次电子、背散射电子、吸收电子、X射线等并放大成象 Q.L.B7'e7  
谱图的表示方法:背散射象、二次电子象、吸收电流象、元素的线分布和面分布等 EEO)b_(  
提供的信息:断口形貌、表面显微结构薄膜内部的显微结构、微区元素分析与定量元素分析等 LO M-i>  
^ Nm!b  
G8!* &vR/  
SEM测试项目 [cf!%3>53  
      1、材料表面形貌分析,微区形貌观察 .uu[MzMIu  
      2、各种材料形状、大小、表面、断面、粒径分布分析 ~i/K7qZ  
      3、各种薄膜样品表面形貌观察、薄膜粗糙度及膜厚分析 p v*n.U6  
"~/O>.p  
扫描电子显微镜样品制备比透射电镜样品制备简单,不需要包埋和切片。 jr=erVHK  
样品要求: K-drN)o  
样品必须是固体;满足无毒,无放射性,无污染,无磁,无水,成分稳定要求。 R3%&\<a)9  
制备原则: |4|j5<5  
表面受到污染的试样,要在不破坏试样表面结构的前提下进行适当清洗,然后烘干; d;O4)8 >  
新断开的断口或断面,一般不需要进行处理,以免破坏断口或表面的结构状态; $[DSe~  
要侵蚀的试样表面或断口应清洗干净并烘干; )wueR5P  
磁性样品预先去磁; use` y^c  
试样大小要适合仪器专用样品座尺寸。 O4A{GO^q  
常用方法: ?_b zg'  
块状样品 L4-v'Z;  
块状导电材料:无需制样,用导电胶把试样粘结在样品座上,直接观察。 o+^5W  
块状非导电(或导电性能差)材料:先使用镀膜法处理样品,以避免电荷累积,影响图像质量。 |(\T;~7'  
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块状样品制备示意图 ._IBO;*@  
粉末样品 f jm(C#^-  
直接分散法: ~zT743  
双面胶粘在铜片上,将被测样品颗粒借助于棉球直接散落在上面,用洗耳球轻吹试样,除去附着的和未牢固固定的颗粒。 VgyY7INx9  
把载有颗粒的玻璃片翻转过来,对准已备好的试样台,用小镊子或玻璃棒轻轻敲打,使细颗粒均匀落在试样台。 @Lf-=9  
超声分散法:将少量的颗粒置于烧杯中,加入适量的乙醇,超声震荡5分钟后,用滴管加到铜片上,自然干燥。 ]KE"|}B  
A 2Rp  
镀膜法 24Uvi:B?~  
真空镀膜 G2BB]] m3  
真空蒸发镀膜法(简称真空蒸镀)是在真空室中,加热蒸发容器中待形成薄膜的原材料,使其原子或分 子从表面气化逸出,形成蒸气流,入射到固体(称为衬 底或基片)表面,凝结形成固态薄膜的方法。 8Xjp5  
离子溅射镀膜 Yb;$z'  
原理: c}r"O8M  
离子溅射镀膜是在部分真空的溅射室中辉光放电,产生正的气体离子;在阴极(靶)和阳极(试样)间电压的加速作用下,荷正电的离子轰击阴极表面,使阴极表面材料原子化;形成的中性原子,从各个方向溅出,射落到试样的表面,于是在试样表面上形成一层均匀的薄膜。 :M _N  
特点: ]XhX aoqL  
对于任何待镀材料,只要能做成靶材,就可实现溅射(适合制备难蒸发材料,不易得到高纯度的化合物所对应的薄膜材料); g,] GzHV1  
溅射所获得的薄膜和基片结合较好; bx8;`Q MX  
消耗贵金属少,每次仅约几毫克; K@>($BX]  
溅射工艺可重复性好,膜厚可控制,同时可以在大面积基片上获得厚度均匀的薄膜。 RJk42;]  
溅射方法:直流溅射、射频溅射、磁控溅射、反应溅射。 1E]TH/JK  
1.直流溅射 ^^Te  
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直流溅射沉积装置示意图 c1aIZ  
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已很少用,因为沉积速率太低~0.1μm/min,基片升温,靶材必须导电,高的直流电压,较高的气压。 -"~XI~a@Wo  
优点:装置简单,容易控制,支模重复性好。 Z(:q.{"r  
缺点:工作气压高(10-2Torr),高真空泵不起作用; ^M6R l0  
沉积速率低,基片升温高,只能用金属靶(绝缘靶导致正离子累积) fobnK~2  
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2.射频溅射 <b#1L  
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  射频溅射工作示意图 S";c7s  
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射频频率:13.56MHz ^LAnR>mz^r  
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特点: >7,?X_:A-1  
电子作振荡运动,延长了路径,不再需要高压。 ^Cy=L]  
射频溅射可制备绝缘介质薄膜 Q"F" 13  
射频溅射的负偏压作用,使之类似直流溅射。 ^ZPynduR  
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3.磁控溅射 _ 2 oZhJ  
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原理:以磁场改变电子运动方向,并束缚和延长电子的运动轨迹,提高了电子对工作气体的电离几率,有效利用了电子的能量。从而使正离子对靶材轰击所引起的靶材溅射更加有效,可在较低的气压条件下进行溅射,同时受正交电磁场束缚的电子又约束在靶附近,只能在其能量耗尽时才能沉积的基片上。 IC6r?  
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  磁控溅射原理示意图 b>]k=zd  
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特点:低温,高速,有效解决了直流溅射中基片温升高和溅射速率低两大难题。 _Nacqa  
缺点: ;:obg/;uJ  
靶材利用率低(10%-30%),靶表面不均匀溅射; ZgA+$}U)uW  
反应性磁控溅射中的电弧问题; s a{x.2/o}  
薄膜不够均匀 7A"v:e  
溅射装置比较复杂 i62GZe E  
lsA?|4`mn  
反应溅射 4t,f$zk  
在溅射气体中加入少量的反应气体如氮气,氧气,烷类等,使反应气体与靶材原子一起在衬底上沉积,对一些不易找到块材制成靶材的材料,或溅射过程中薄膜成分容易偏离靶材原成分的,都可利用此方法。 e?_uJh"  
反应气体:O2,N2,NH3,CH4,H2S等 V `7(75  
#5%ipWPHb  
镀膜操作 #Q` TH<  
将制好的样品台放在样品托内,置于离子溅射仪中,盖好顶盖,拧紧螺丝,打开电源抽真空。待真空稳定后,约为5 X10-1mmHg,按下"启动"按钮,通过调节针阀将电流调至6~8mA,开始镀金,镀金一分钟后自动停止,关闭电源,打开顶盖螺丝,放气,取出样品即可。
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