芯片焊接的失效机理

目的：芯片与管座牢固粘结 ^)(bM$(`  
要求：芯片与管座之间形成良好的欧姆接触并有良好的导电性。 Ne8Cgp  
方式：银浆烧结，合金（共晶）粘结，导电胶烧结，环氧树脂粘结，高温聚酰亚胺粘结。 P&9Gga^I  
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对于银浆烧结： 4wa`<H&S5  
1，银浆问题 iop2L51eJ  
2，杂质问题 J&[@}$N  
3，硅的氧化及镀镍，镀银的不良。 !MYSfPdS  
4，银浆与基材结合力差引起的问题。 cC=[Saatsf  
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对于合金粘结： WN{ 9  
1，金-铅系统 4]G?G]lS>  
2，锡-铅系统 >
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引线键合的失效机理： vwjPmOjhS  
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引线键合的主要方法： )PG6gZYW  
   热压焊，超声焊，面键合。 ?u/@PR\D  
引线：铝-铝超声焊，金-铝热压焊（包括楔形和球焊） {5%5}[/x  
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工艺问题。金属互化物使金铝系统失效。 :=/85\P0SU  
热循环使引线疲劳。沾污造成引线腐蚀而开路。 ?WF/|/  
内涂料开裂造成断丝。压焊应力过大造成失效。 |X0Y-  
外引线的失效。
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开短路的可能原因： ),UX4%K=  
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封装工艺方面 l)Pu2!Ic  
  表现为断丝，塌丝，碰丝，内引脚相碰，点脱，球脱，球飘等。占封装造成开短路的90%以上。 WFO4gB*  
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芯片表面水汽吸附。 ;3d"wW]}7K  
钝化层不良。 Xf02"PXC  
芯片氧化层不良。  :rHJ4Tl  
内应力使芯片产生芯裂，金属化层断裂，或金丝脱落。 UUzYbuS>&l  
电迁移。 g .onTFwN  
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铝硅共溶。 J)`-+}7$v  
金属间化合物。 (eCJ;%%k  
芯片焊接疲劳。 3a?o3=  
热不匹配。 ln?v j)j  
外来异物。 @x"0_Qw  
氧化层台阶处金属膜断路。