芯片焊接的失效机理

目的：芯片与管座牢固粘结 k4ti#3W5eG  
要求：芯片与管座之间形成良好的欧姆接触并有良好的导电性。 Mh7m2\fLbd  
方式：银浆烧结，合金（共晶）粘结，导电胶烧结，环氧树脂粘结，高温聚酰亚胺粘结。 (L/>LZn|  
ZIx-mC5  
对于银浆烧结： gyvrQ, u  
1，银浆问题 |'?vlUCd  
2，杂质问题 (!nkv^]  
3，硅的氧化及镀镍，镀银的不良。 cj[b^Wv:  
4，银浆与基材结合力差引起的问题。 .H)H9cmf  
3IMvtg  
对于合金粘结： )aIcA  
1，金-铅系统 <K[y~9u  
2，锡-铅系统 (A~7>\r +  
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D?uX!^@  
引线键合的失效机理： zgAU5cw  
@N Yl4N  
引线键合的主要方法： IA`voO$  
   热压焊，超声焊，面键合。 7_\sx7h{3  
引线：铝-铝超声焊，金-铝热压焊（包括楔形和球焊） =p@`bx  
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工艺问题。金属互化物使金铝系统失效。 P-\f-FS  
热循环使引线疲劳。沾污造成引线腐蚀而开路。 eg;7BZim{  
内涂料开裂造成断丝。压焊应力过大造成失效。 lMY\8eobcB  
外引线的失效。 &ys>z<Z  
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开短路的可能原因： '3l TI  
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封装工艺方面 ]pR?/3  
  表现为断丝，塌丝，碰丝，内引脚相碰，点脱，球脱，球飘等。占封装造成开短路的90%以上。 )7 p" -  
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芯片表面水汽吸附。 c<$<n  
钝化层不良。 WN'AQ~qA  
芯片氧化层不良。 ws0qwv#  
内应力使芯片产生芯裂，金属化层断裂，或金丝脱落。 r{R-X3s
 
电迁移。 vywB{%p  
Wu][A\3D1  
铝硅共溶。 ukR0E4p  
金属间化合物。 +dCDk* /m  
芯片焊接疲劳。 A 6S0dX  
热不匹配。 6eSo.@*l  
外来异物。 {W,5]-  
氧化层台阶处金属膜断路。