芯片焊接的失效机理

目的：芯片与管座牢固粘结 y^gazr"  
要求：芯片与管座之间形成良好的欧姆接触并有良好的导电性。 61Nj&1Ze  
方式：银浆烧结，合金（共晶）粘结，导电胶烧结，环氧树脂粘结，高温聚酰亚胺粘结。 "kKIVlC  
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对于银浆烧结： ~{[~ =~\u  
1，银浆问题 _ID2yJ  
2，杂质问题 sM?bUg0w  
3，硅的氧化及镀镍，镀银的不良。 L30x2\C  
4，银浆与基材结合力差引起的问题。 =$g8"[4   
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对于合金粘结： N2VF_[l  
1，金-铅系统 zJ#e3o.  
2，锡-铅系统 $;_'5`xs  
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引线键合的失效机理： SPIYB/C  
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引线键合的主要方法： qB_MDA  
   热压焊，超声焊，面键合。 *_$%Tv.]  
引线：铝-铝超声焊，金-铝热压焊（包括楔形和球焊） !b*lL#s,Y  
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工艺问题。金属互化物使金铝系统失效。 <GShm~XD2  
热循环使引线疲劳。沾污造成引线腐蚀而开路。 Hi{c[;  
内涂料开裂造成断丝。压焊应力过大造成失效。 /'
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外引线的失效。 B:tS
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开短路的可能原因： YizJT0$  
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封装工艺方面 `"M=ZVk  
  表现为断丝，塌丝，碰丝，内引脚相碰，点脱，球脱，球飘等。占封装造成开短路的90%以上。 7g5sJj  
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芯片表面水汽吸附。 0z."6r  
钝化层不良。 W;,.OoDc>  
芯片氧化层不良。 @3[Z QF  
内应力使芯片产生芯裂，金属化层断裂，或金丝脱落。 /MSz{ %v  
电迁移。 PDX
^MYoN  

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铝硅共溶。 q+t*3;X.  
金属间化合物。 /Z>#lMg\.  
芯片焊接疲劳。 sRo%=7Z  
热不匹配。 Qg?^%O'  
外来异物。 c\.4I4uy  
氧化层台阶处金属膜断路。