芯片焊接的失效机理

目的：芯片与管座牢固粘结 Mi?}S6bp  
要求：芯片与管座之间形成良好的欧姆接触并有良好的导电性。 *i@T!O(1)M  
方式：银浆烧结，合金（共晶）粘结，导电胶烧结，环氧树脂粘结，高温聚酰亚胺粘结。 1}nm2h1 I  
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对于银浆烧结： 7`dY1.rq  
1，银浆问题 (AuPZ  
2，杂质问题 Z%e|*GS{  
3，硅的氧化及镀镍，镀银的不良。 lLMPw}r<  
4，银浆与基材结合力差引起的问题。 7*;^UqGjz  
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对于合金粘结： !k-` eJ|  
1，金-铅系统 EHhd;,;O  
2，锡-铅系统 9~~UM<66W  
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引线键合的失效机理： ;`X~ k|7K  
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引线键合的主要方法： 7k~Lttuk  
   热压焊，超声焊，面键合。 Y"*:&E2)r  
引线：铝-铝超声焊，金-铝热压焊（包括楔形和球焊） G0/>8_Q>Nr  
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工艺问题。金属互化物使金铝系统失效。 v?)SA];  
热循环使引线疲劳。沾污造成引线腐蚀而开路。 7E~4)k0<  
内涂料开裂造成断丝。压焊应力过大造成失效。 :<%vE!$  
外引线的失效。 Egf^H>,.M  
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开短路的可能原因： Yf=FeH7"  
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封装工艺方面 bE4HDq34  
  表现为断丝，塌丝，碰丝，内引脚相碰，点脱，球脱，球飘等。占封装造成开短路的90%以上。 SK-W%t  
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芯片表面水汽吸附。 c{VJ2NQ+  
钝化层不良。 ="dDA/,$VS  
芯片氧化层不良。 \igaQ\~  
内应力使芯片产生芯裂，金属化层断裂，或金丝脱落。 gc,Ps  
电迁移。 M _(2sq  
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铝硅共溶。 DEtf(lW_  
金属间化合物。 gt@SuX!@{^  
芯片焊接疲劳。 l;0y-m1  
热不匹配。 H#Q;"r3  
外来异物。 hy!6g n  
氧化层台阶处金属膜断路。