芯片焊接的失效机理

目的：芯片与管座牢固粘结 /!yU!`bY  
要求：芯片与管座之间形成良好的欧姆接触并有良好的导电性。 UJAv`yjG  
方式：银浆烧结，合金（共晶）粘结，导电胶烧结，环氧树脂粘结，高温聚酰亚胺粘结。 K( c\wr\6  
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对于银浆烧结： 17%,7P9pg  
1，银浆问题 Pe_W;q.  
2，杂质问题 z;,u}u}aI  
3，硅的氧化及镀镍，镀银的不良。 Olt?~}  
4，银浆与基材结合力差引起的问题。 36&e.3/#  
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对于合金粘结： hB]Np1('  
1，金-铅系统 .GPT!lDc  
2，锡-铅系统 O'p9u@kc  
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引线键合的失效机理： XSwl Tg  
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引线键合的主要方法： MC&` oX[  
   热压焊，超声焊，面键合。 (&Kk7<#`  
引线：铝-铝超声焊，金-铝热压焊（包括楔形和球焊） T?CdZc.
 
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工艺问题。金属互化物使金铝系统失效。 6RU~"C  
热循环使引线疲劳。沾污造成引线腐蚀而开路。 t:x\kp  
内涂料开裂造成断丝。压焊应力过大造成失效。 Hh3X
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外引线的失效。 YlJ@
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开短路的可能原因： #1A.?p  
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封装工艺方面 Z!a=dnwHz  
  表现为断丝，塌丝，碰丝，内引脚相碰，点脱，球脱，球飘等。占封装造成开短路的90%以上。 !I{0 _b
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芯片表面水汽吸附。 jE.N ev/  
钝化层不良。 P+ 3G~Sr  
芯片氧化层不良。 V# }!-Xj  
内应力使芯片产生芯裂，金属化层断裂，或金丝脱落。 g]l''7G  
电迁移。 hlvK5Z  
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铝硅共溶。 ^,lIK+#Elz  
金属间化合物。 EqkN3%IG  
芯片焊接疲劳。 q5J5>  
热不匹配。 s0TORl6Z|  
外来异物。 pGP7nw_g  
氧化层台阶处金属膜断路。