芯片焊接的失效机理

目的：芯片与管座牢固粘结 cL31g_u  
要求：芯片与管座之间形成良好的欧姆接触并有良好的导电性。 m3Mo2};?  
方式：银浆烧结，合金（共晶）粘结，导电胶烧结，环氧树脂粘结，高温聚酰亚胺粘结。 Tr}z&efY  
=oN(1k^  
对于银浆烧结： v'R{lXE  
1，银浆问题 ?xftr(  
2，杂质问题 A1b</2  
3，硅的氧化及镀镍，镀银的不良。 Du
ESLMhz  
4，银浆与基材结合力差引起的问题。 \rXmWzl{  
BMubN   
对于合金粘结： 8nt3Sm  
1，金-铅系统 $;kFuJF  
2，锡-铅系统 Q5[x2 s_d  
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引线键合的失效机理： )?5027^  
+iS'$2)@  
引线键合的主要方法： T:v.]
0l~  
   热压焊，超声焊，面键合。 ;kSRv=S  
引线：铝-铝超声焊，金-铝热压焊（包括楔形和球焊） Wo&WO
e  
G.2\Sw  
工艺问题。金属互化物使金铝系统失效。 }tq  
热循环使引线疲劳。沾污造成引线腐蚀而开路。 y^PQgzm]  
内涂料开裂造成断丝。压焊应力过大造成失效。 h |Ofi  
外引线的失效。 12 8aJ  
cB$OkaG#  
开短路的可能原因： $w,?%i97  
-^1}J  
封装工艺方面 F52%og~N  
  表现为断丝，塌丝，碰丝，内引脚相碰，点脱，球脱，球飘等。占封装造成开短路的90%以上。 9((B
Oq  
'eyzH[l,(  
芯片表面水汽吸附。 fQW1&lFT  
钝化层不良。 |PGF g0li  
芯片氧化层不良。 mf~JolucJ  
内应力使芯片产生芯裂，金属化层断裂，或金丝脱落。 \a<7DTV  
电迁移。 `,lm:x+(0  
[ B{F(~O  
铝硅共溶。 [Lck55V+Q  
金属间化合物。 {Ad4H[]|]  
芯片焊接疲劳。 b 7XTOB_HO  
热不匹配。 / @v V^!#1  
外来异物。 X;e=d+pw  
氧化层台阶处金属膜断路。