芯片焊接的失效机理

目的：芯片与管座牢固粘结 Bf:tal6 -M  
要求：芯片与管座之间形成良好的欧姆接触并有良好的导电性。 ,3]?%t0xe  
方式：银浆烧结，合金（共晶）粘结，导电胶烧结，环氧树脂粘结，高温聚酰亚胺粘结。 P"9@8aLB  
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对于银浆烧结： xw+<p  
1，银浆问题 )'!ml  
2，杂质问题 :-u-hO5*8  
3，硅的氧化及镀镍，镀银的不良。 w,![;wG  
4，银浆与基材结合力差引起的问题。 }-{b$6]  
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对于合金粘结： 5B>Q6  
1，金-铅系统 oB0 8  
2，锡-铅系统 !jAWNK6  
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引线键合的失效机理： }*.:Hv"  
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引线键合的主要方法： P#[IUXtT  
   热压焊，超声焊，面键合。 VZ2.w4b  
引线：铝-铝超声焊，金-铝热压焊（包括楔形和球焊） ]D{c4)\7C|  
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工艺问题。金属互化物使金铝系统失效。 8K.s@<  
热循环使引线疲劳。沾污造成引线腐蚀而开路。 P(pd0,%i;a  
内涂料开裂造成断丝。压焊应力过大造成失效。 Eg`R|CF  
外引线的失效。 8lOZIbwS  
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开短路的可能原因： >G<\1R  
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封装工艺方面 $-$5ta{s  
  表现为断丝，塌丝，碰丝，内引脚相碰，点脱，球脱，球飘等。占封装造成开短路的90%以上。 L2CW'Hd  
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芯片表面水汽吸附。 Lf^5Eo/ 5A  
钝化层不良。 Nt zq"ces)  
芯片氧化层不良。 HZDk <aU/!  
内应力使芯片产生芯裂，金属化层断裂，或金丝脱落。 !K3i-zY  
电迁移。 }c` ?0
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铝硅共溶。 ;'=VrE6  
金属间化合物。 7.Ml9{M/i  
芯片焊接疲劳。 t
7|MkX1  
热不匹配。 9m\)\/V  
外来异物。 |.b%rVu  
氧化层台阶处金属膜断路。