芯片焊接的失效机理

目的：芯片与管座牢固粘结 T<ekDhlr  
要求：芯片与管座之间形成良好的欧姆接触并有良好的导电性。 _"[O=h:  
方式：银浆烧结，合金（共晶）粘结，导电胶烧结，环氧树脂粘结，高温聚酰亚胺粘结。 $qhVow5~  
O.P:~  
对于银浆烧结： K7d]p0d'  
1，银浆问题 c::Vh  
2，杂质问题 H
d=!  
3，硅的氧化及镀镍，镀银的不良。 5,WDmhJ  
4，银浆与基材结合力差引起的问题。 p:^;A/D  
]i:O+t/U  
对于合金粘结： i52:<< 8a  
1，金-铅系统 jhSc9  
2，锡-铅系统 {-\VX2:;[9  
Hk;) l3oB  
引线键合的失效机理： ^'aMp}3iu  
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N&8vRH  
引线键合的主要方法： 81U(*6  
   热压焊，超声焊，面键合。 dg42K`E  
引线：铝-铝超声焊，金-铝热压焊（包括楔形和球焊） c-^\YSDMN  
s&zg!~@5b  
工艺问题。金属互化物使金铝系统失效。 C$$lJ=>  
热循环使引线疲劳。沾污造成引线腐蚀而开路。 |Xl,~-.  
内涂料开裂造成断丝。压焊应力过大造成失效。 l=< :  
外引线的失效。 kculHIa\.  
Wtwh.\Jba  
开短路的可能原因： ~4+=C\r  
#N"K4@]{  
封装工艺方面 hSDuByoi  
  表现为断丝，塌丝，碰丝，内引脚相碰，点脱，球脱，球飘等。占封装造成开短路的90%以上。 QK%6Ncv  
p,+$7f1S  
芯片表面水汽吸附。 ,~- dZs  
钝化层不良。 efF>kcIC  
芯片氧化层不良。 pjX')i<  
内应力使芯片产生芯裂，金属化层断裂，或金丝脱落。 t^qPQ;"=,  
电迁移。 fhp][)g;  
NI136P  
铝硅共溶。 3YF*TxKx  
金属间化合物。 /xRPQ|  
芯片焊接疲劳。 k
ycZ  
热不匹配。 -?WhJ.U  
外来异物。 D0=H&Z[  
氧化层台阶处金属膜断路。