芯片焊接的失效机理

目的：芯片与管座牢固粘结 716hpj#*  
要求：芯片与管座之间形成良好的欧姆接触并有良好的导电性。 E^82==R  
方式：银浆烧结，合金（共晶）粘结，导电胶烧结，环氧树脂粘结，高温聚酰亚胺粘结。 9':/Sab:7v  
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对于银浆烧结： mQL8QW[c  
1，银浆问题 ;&q]X]bJ  
2，杂质问题 Z7oaQ\fR  
3，硅的氧化及镀镍，镀银的不良。 &<@%{h@=  
4，银浆与基材结合力差引起的问题。 ]Cr]Pvab{  
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对于合金粘结： UC(9Dz  
1，金-铅系统 l:x_j\  
2，锡-铅系统 C6CGj8G  
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引线键合的失效机理： p8_2y~!  
C-&#r."L  
引线键合的主要方法： @| P3  
   热压焊，超声焊，面键合。 4[Z1r~t\L  
引线：铝-铝超声焊，金-铝热压焊（包括楔形和球焊） xp(mB7;:  
 J(^ >?d'  
工艺问题。金属互化物使金铝系统失效。 Ir^BC!<2>  
热循环使引线疲劳。沾污造成引线腐蚀而开路。 1-/4Y5?}  
内涂料开裂造成断丝。压焊应力过大造成失效。 }Py<qXH  
外引线的失效。 o3fR3P%$  
Ae.]F)w_\  
开短路的可能原因： !}y8S'Yjw  
K/~Y!?:Jr  
封装工艺方面 We|-5  
  表现为断丝，塌丝，碰丝，内引脚相碰，点脱，球脱，球飘等。占封装造成开短路的90%以上。 FGDw;lEa9[  
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芯片表面水汽吸附。 Up'."w_zE  
钝化层不良。 WVinP(#nfM  
芯片氧化层不良。 u^!&{q  
内应力使芯片产生芯裂，金属化层断裂，或金丝脱落。 +B](5z4  
电迁移。 UJ
O]sD`i  
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铝硅共溶。  K
zIt  
金属间化合物。 o%$<LaQG5  
芯片焊接疲劳。 K7+^Yv\YQx  
热不匹配。 p FXd4*  
外来异物。 ,b.kw}k  
氧化层台阶处金属膜断路。