半导体漏电定位技术emmi

EMMI（微光显微镜） =8?Kn@nMN  

描述:请输入描述

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对于失效分析而言，微光显微镜是一种相当有用，且效率极高的分析工具，主要侦测IC内部所放出光子。在IC原件中，EHP Recombination会放出光子，例如：在PN Junction加偏压，此时N的电子很容易扩散到P， 而P的空穴也容易扩散至N，然后与P端的空穴做EHP Recombination。 1\&j)3mC  
侦测到亮点之情况 m:?"|.]  
会产生亮点的缺陷：1.漏电结；2.解除毛刺；3.热电子效应；4闩锁效应； 5氧化层漏电；6多晶硅须；7衬底损失；8.物理损伤等。 kc^,V|Nbq6  
   3)W zX  
侦测不到亮点之情况   z.SC^/\o|  
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不会出现亮点之故障：1.亮点位置被挡到或遮蔽的情形（埋入式的接面及大面积金属线底下的漏电位置）；2.欧姆接触；3.金属互联短路；4.表面反型层；5.硅导电通路等。 w(6n  
X^ Is-[OvE  
点被遮蔽之情况：埋入式的接面及大面积金属线底下的漏电位置，这种情况可采用Backside模式，但是只能探测近红外波段的发光，且需要减薄及抛光处理。 p8!T) ?|  
   :NF4[
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描述:请输入描述

图片:emmi.jpg

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测试范围： MqAi}z%  
'q)g,2B%  
故障点定位、寻找近红外波段发光点 V3t#kv  
DHWz,M  
测试内容： (\{k-2t*^  
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1.P-N接面漏电；P-N接面崩溃 }LT&BNZj  
2.饱和区晶体管的热电子 _rwJ:r  
3.氧化层漏电流产生的光子激发 RTm/-6[N  
4.Latch up、Gate Oxide Defect、Junction Leakage、Hot Carriers Effect、ESD等问题 |R0f--;  
   Q# B0JT1  
北软检测失效分析实验室，能够依据国际、国内和行业标准实施检测工作，开展从底层芯片到实际产品，从物理到逻辑全面的检测工作，提供芯片预处理、侧信道攻击、光攻击、侵入式攻击、环境、电压毛刺攻击、电磁注入、放射线注入、物理安全、逻辑安全、功能、兼容性和多点激光注入等安全检测服务，同时可开展模拟重现智能产品失效的现象，找出失效原因的失效分析检测服务，主要包括点针工作站（Probe Station）、反应离子刻蚀（RIE）、微漏电侦测系统（EMMI）、X-Ray检测，缺陷切割观察系统（FIB系统）等检测试验。实现对智能产品质量的评估及分析，为智能装备产品的芯片、嵌入式软件以及应用提供质量保证。