芯片测试及晶圆测试

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一、需求目的：1、热达标；2、故障少 V\Oe]w  
二、细化需求，怎么评估样品：1、设计方面；2、测试方面 #RAez:BI  
三、具体到芯片设计有哪些需要关注： 09z%y[z  
1、顶层设计 F F<xsoZJ  
2、仿真 YoiM
\gw  
3、热设计及功耗 *fyC@fI>  
4、资源利用、速率与工艺 EOJk7  
5、覆盖率要求 B;xw @:H  
6、 W/_=S+CvK  
四、具体到测试有哪些需要关注： k[lYdk  
1、可测试性设计 %\6ns  
2、常规测试：晶圆级、芯片级 y,&.<
Yc  
3、可靠性测试 AZ' "M{wiI  
4、故障与测试关系 cpz'upVOZ  
5、 `L p3snS  
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测试有效性保证； Sh'>
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设计保证？测试保证？筛选？可靠性？ Ei!t#'*D<  
设计指标？来源工艺水平，模块水平，覆盖率 lrSdFJ%  
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晶圆测试：接触测试、功耗测试、输入漏电测试、输出电平测试、全面的功能测试、全面的动态参数测试、   模拟信号参数测试。 /3|uU  
晶圆的工艺参数监测dice， <SM{yMz  
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芯片测试：ATE测试项目来源，边界扫描 XVwaX2=L  
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故障种类：  E~oQ%X~  
缺陷种类： R^zTgyr  
针对性测试： C =fs[  
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性能功能测试的依据，可测试性设计：扫描路径法scan path、内建自测法BIST-built in self-test ?DPNa  
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P(?i>F7s  
芯片资源、速率、功耗与特征尺寸的关系； 9^l[d<  
仿真与误差， ^]mwL)I}  
n 预研阶段 |rJ1/T.9  
n 顶层设计阶段 9L3#aE]C  
n 模块设计阶段 !(\OT  
n 模块实现阶段 mq~rD)T  
n 子系统仿真阶段 ,arFR'u>  
n 系统仿真,综合和版面设计前门级仿真阶段 p x;X}Cd  
n 后端版面设计 >XzCHtEP  
n 测试矢量准备 V0hC[Ilr  
n 后端仿真 &sbA:xZBA  
n 生产 cU}j Whu  
n 硅片测试 # Sfz^  
顶层设计： i<<NKv8;  
n 书写功能需求说明 &.k'Dj2hf  
n 顶层结构必备项 d;(&_;  
n 分析必选项-需要考虑技术灵活性、资源需求及开发周期 Y9F78=Q  
n 完成顶层结构设计说明 ',-4o-  
n 确定关键的模块（尽早开始） PMr {BS  
n 确定需要的第三方IP模块 4-^LC<}k  
n 选择开发组成员 lhZWL}l  
n 确定新的开发工具 K{[ySB  
n 确定开发流程/路线 1_vaSEov  
n 讨论风险 #"|Y"#@k  
n 预计硅片面积、输入/输出引脚数  开销和功耗 gE8=#%1<  
n 国软检测 芯片失效分析中心