芯片测试及晶圆测试

CG(G){u&  
一、需求目的：1、热达标；2、故障少 ,dM}B-  
二、细化需求，怎么评估样品：1、设计方面；2、测试方面 O%.c%)4Xo  
三、具体到芯片设计有哪些需要关注： ~a^"VQ5]ac  
1、顶层设计 ~al4`:rRx1  
2、仿真 7LM?<lp]  
3、热设计及功耗 &cEQ6('H  
4、资源利用、速率与工艺 451TTqc  
5、覆盖率要求 m4.IaBn/  
6、 `is."]%f  
四、具体到测试有哪些需要关注： XUrxnJ4  
1、可测试性设计 ~hSr06IY  
2、常规测试：晶圆级、芯片级 }&Gt&Hm>K  
3、可靠性测试 4#o
Lf1  
4、故障与测试关系 gxS*rzCG  
5、 7n,*3;I  
O|opNr  
测试有效性保证； [nO\Q3c|@$  
设计保证？测试保证？筛选？可靠性？ *-gd k9  
设计指标？来源工艺水平，模块水平，覆盖率 4PwjG;!K  
zCZ]`  
晶圆测试：接触测试、功耗测试、输入漏电测试、输出电平测试、全面的功能测试、全面的动态参数测试、   模拟信号参数测试。 QN!$41A?{  
晶圆的工艺参数监测dice， $d]3ek/  
lC8DhRd0_  
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芯片测试：ATE测试项目来源，边界扫描 2nL[P#r  
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   Hp2ysU  
故障种类： ?=X G#we  
缺陷种类： o\oS_f:RD  
针对性测试： bnb:4?d]  
%Y7\0q~Z  
性能功能测试的依据，可测试性设计：扫描路径法scan path、内建自测法BIST-built in self-test T(UPWsj  
|2#)lGA  

gq|T:  
芯片资源、速率、功耗与特征尺寸的关系； 8{@0p"re@  
仿真与误差， @j/UDM  
n 预研阶段 vR X_}`m8#  
n 顶层设计阶段 Sz.sX w;  
n 模块设计阶段 bG`aF*10)!  
n 模块实现阶段 vN`2KCl~3  
n 子系统仿真阶段 Dp)5u@I  
n 系统仿真,综合和版面设计前门级仿真阶段 uAd4Zz  
n 后端版面设计 1'O++j_%y  
n 测试矢量准备 ]m _<lRye  
n 后端仿真 >l & N  
n 生产 v##k,R.d  
n 硅片测试 Vz(O=w=  
顶层设计： s  bl>i  
n 书写功能需求说明 zGfF.q}  
n 顶层结构必备项 h[|c?\E z  
n 分析必选项-需要考虑技术灵活性、资源需求及开发周期 Qy>n]->%  
n 完成顶层结构设计说明 jF5Y-CX  
n 确定关键的模块（尽早开始） [8F1rZ&  
n 确定需要的第三方IP模块 }YiE}+VW|  
n 选择开发组成员 >5rb4  
n 确定新的开发工具 PBXRey7>D  
n 确定开发流程/路线 #GTR}|Aga  
n 讨论风险 ia'eV10  
n 预计硅片面积、输入/输出引脚数  开销和功耗 ?<YQ %qaW7  
n 国软检测 芯片失效分析中心