芯片测试及晶圆测试

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一、需求目的：1、热达标；2、故障少 (7rG~d1iS  
二、细化需求，怎么评估样品：1、设计方面；2、测试方面 P!";$]+  
三、具体到芯片设计有哪些需要关注： =>CrZ23B"  
1、顶层设计 ^$y_~z3o#7  
2、仿真 Ucnit^,  
3、热设计及功耗 7M1*SC  
4、资源利用、速率与工艺 :8aIj_qds  
5、覆盖率要求 a;
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6、 i4"xvLK4  
四、具体到测试有哪些需要关注： 9D_4]'KG  
1、可测试性设计 &7X0 ;<  
2、常规测试：晶圆级、芯片级 6X:-Z3  
3、可靠性测试 {hM*h(W~3  
4、故障与测试关系 5\tYs=>b<  
5、 )N2yhdcqI  
E}qeh"sJt  
测试有效性保证； OX4+1@$tk  
设计保证？测试保证？筛选？可靠性？ c"J(? 1O  
设计指标？来源工艺水平，模块水平，覆盖率 D] 2+<;>`>  
um&e.V)N  
晶圆测试：接触测试、功耗测试、输入漏电测试、输出电平测试、全面的功能测试、全面的动态参数测试、   模拟信号参数测试。 bct&ge7YX  
晶圆的工艺参数监测dice， 9=I(AYG{m  
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芯片测试：ATE测试项目来源，边界扫描 ?kb\%pcK  
zq]V6.]J  
   "O|fX\}5  
故障种类： _ #l b\  
缺陷种类： (vjQF$Hp  
针对性测试： 9#6ilF:F  
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m],  
性能功能测试的依据，可测试性设计：扫描路径法scan path、内建自测法BIST-built in self-test M)EUR0>8  
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mcDW&jwQ  
芯片资源、速率、功耗与特征尺寸的关系； Z#;ieI\  
仿真与误差， uW[s?  
n 预研阶段 &H5 6mL{  
n 顶层设计阶段 ^O\tN\g;c  
n 模块设计阶段 [;5HI'px  
n 模块实现阶段 5 |C;]pq  
n 子系统仿真阶段 =OO_TPEZ  
n 系统仿真,综合和版面设计前门级仿真阶段 jO:<"l^+u  
n 后端版面设计 8N-~.p  
n 测试矢量准备 ,bmTBZV  
n 后端仿真 "Jnq~7]  
n 生产 h/(9AO}t  
n 硅片测试 /yrR f;}<O  
顶层设计： G';oM;~/|  
n 书写功能需求说明 o<l4}~a  
n 顶层结构必备项 o ohf))  
n 分析必选项-需要考虑技术灵活性、资源需求及开发周期 W {dx\+  
n 完成顶层结构设计说明 S^D ~A8u  
n 确定关键的模块（尽早开始） N'
m:V  
n 确定需要的第三方IP模块 ;N"XW=F4e  
n 选择开发组成员 s9`T%pg  
n 确定新的开发工具 KS(T%mk\  
n 确定开发流程/路线 D|-]"(2i  
n 讨论风险 u{p\8v%7  
n 预计硅片面积、输入/输出引脚数  开销和功耗 /e{Oqhf[n  
n 国软检测 芯片失效分析中心