芯片测试及晶圆测试

Tl{r D(D  
一、需求目的：1、热达标；2、故障少 = ft$j  
二、细化需求，怎么评估样品：1、设计方面；2、测试方面 z^a?t<+  
三、具体到芯片设计有哪些需要关注： %Y[/Ucdm  
1、顶层设计 DWO:  
2、仿真 eHZl-|-  
3、热设计及功耗 x=<
>%m5R  
4、资源利用、速率与工艺
",oUVl  
5、覆盖率要求 3m9E2R,  
6、 Z%d4V<fn  
四、具体到测试有哪些需要关注： h*'5h!  
1、可测试性设计 |iThgq_\z  
2、常规测试：晶圆级、芯片级 Y\F H4}\S  
3、可靠性测试 ?-p aM5Q+  
4、故障与测试关系 Rla*hc~  
5、 745PCC'FK  
6:X\vw  
测试有效性保证； T7X2$ '  
设计保证？测试保证？筛选？可靠性？ =hb87g.  
设计指标？来源工艺水平，模块水平，覆盖率 KAaeaiD  
:H k4i%hGk  
晶圆测试：接触测试、功耗测试、输入漏电测试、输出电平测试、全面的功能测试、全面的动态参数测试、   模拟信号参数测试。 |/ 7's'  
晶圆的工艺参数监测dice， z{_Vn(Kg  
D*b|(Oi  
a,\u|T:g  
芯片测试：ATE测试项目来源，边界扫描 k18V4ATE]  
$VNn`0^gF  
   CawVC*b3  
故障种类： uU"s50m  
缺陷种类： H*<dte<  
针对性测试： Hc3/`.nt  
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性能功能测试的依据，可测试性设计：扫描路径法scan path、内建自测法BIST-built in self-test ~Dh}E9E:
 
Ee| y[y,  
|]^! 4[!U  
芯片资源、速率、功耗与特征尺寸的关系； =v;@w$#  
仿真与误差， ~)(Dm+vZ  
n 预研阶段 -I<`!kH*  
n 顶层设计阶段 G9%4d;uFT  
n 模块设计阶段 s_Gp +-  
n 模块实现阶段 *GnO&&m'B  
n 子系统仿真阶段 z81!F'x;  
n 系统仿真,综合和版面设计前门级仿真阶段 }7^*%$  
n 后端版面设计 ]P5u:~U  
n 测试矢量准备
<Z_`^~!  
n 后端仿真 Nzt1JHRS  
n 生产 o^J&c_U\3'  
n 硅片测试 kv2:rmv  
顶层设计： s)=7tHoqB)  
n 书写功能需求说明 P40eK0e6  
n 顶层结构必备项 )HcC\[  
n 分析必选项-需要考虑技术灵活性、资源需求及开发周期 -JkO[IF  
n 完成顶层结构设计说明 }
Qo8Xps  
n 确定关键的模块（尽早开始） Er`PYE J  
n 确定需要的第三方IP模块 ppS`zqq $  
n 选择开发组成员 X[}%iEWzT  
n 确定新的开发工具 |&.)_+w  
n 确定开发流程/路线 NmXTk+,L#  
n 讨论风险 sIe(;%[`  
n 预计硅片面积、输入/输出引脚数  开销和功耗 L"0L_G  
n 国软检测 芯片失效分析中心