芯片失效分析常用方法

芯片失效分析常用方法： DkA cT[  
1.OM 显微镜观测，外观分析 FM0)/6I'x  
2.IV曲线量测仪，电压电流分析 W$B>O  
3. X－Ray 检测IC封装中的各种缺陷如层剥离、爆裂、空洞以及打线的完整性，PCB制程中可能存在的缺陷如对齐不良或桥接，开路、短路或不正常连接的缺陷，封装中的锡球完整性。（这几种是芯片发生失效后首先使用的非破坏性分析手段） >t'/(y  
4.SEM扫描电镜/EDX能量弥散X光仪（材料结构分析/缺陷观察，元素组成常规微区分析，精确测量元器件尺寸） `f*
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5.取die，开封 使用激光开封机和自动酸开封机将被检样品(不适用于陶瓷和金属封装)的封装外壳部分去除，使被检样品内部结构暴露。 ;_of'  
6. EMMI微光显微镜 用漏电流路径分析手段 9Z6] ];8E  
7.切割制样:使用切割制样模块将小样品进行固定，以方便后续实验进行 :doP66["!  
8.去层:使用等离子刻蚀机(RIE)去除芯片内部的钝化层，使被检样品下层金属暴露，如需去除金属层观察下层结构，可利用研磨机进行研磨去层。 3A4?9>g)KU  
9. FIB做一些电路修改，切点观察 C$aiOK-]+  
10. Probe Station 探针台/Probing Test 探针测试。