漏电定位EMMI

主要用途 n}J^6:1  
k/lFRi-i  
当氧化层崩溃、静电放电破坏、闩锁效应时，产生了过量的电子和空穴结合并产生跃迁光子，由探测器通过显微镜收集这些光子并精确地定位出其位置，通常这个位置就是存在异常的缺陷位置。 +v15[^F  
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性能参数 S()Za@ [a$  
($WE=biZ&  
a)InGaAs检测器，分辨率：320*256 像素； (ZPXdr  
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b)侦测波长范围900nm - 1700nm 8(xw?|D7  
&KqVN]1+^  
c)像素尺寸：30um x 30um +t]Xj1Q  
U:lv^QPG  
d)曝光时间 20ms - 400s nq;#_Rkr  
z[&s5"  
e)放大倍率：25x, 50x, 200x ,1000x qY(:8yC36  
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f)Back side EMMI O9]\Q@M.  
1^{`lK~2  
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应用范围 dZ2`{@AYY  
G6O/(8  
　1.P-N接面漏电 \G;CQV#{9  
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　2.饱和区晶体管的热电子 % vS8?nG  
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　3.P-N接面崩溃 O&$0&dhc  
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F  
　4.闩锁效应 b!a %YLL  
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　5.氧化层漏电流产生的光子激发