干蚀刻RIE

RIE是干蚀刻的一种，这种蚀刻的原理是，当在平板电极之间施加10～100MHZ的高频电压（RF，radio frequency）时会产生数百微米厚的离子层（ion sheath），在其中放入试样，离子高速撞击试样而完成化学反应蚀刻，此即为RIE（Reactive Ion Etching）。 d;:+Xd`  
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服务范围：半导体，材料化学等       6Ei>VcN4a  
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服务内容：1.用于对使用氟基化学的材料进行各向同性和各向异性蚀刻， 4punJg~1  
其中包括碳、环氧树脂、石墨、铟、钼、氮氧化物、光阻剂、聚酰亚胺、 '2/48j X5  
石英、硅、氧化物、氮化物、钽、氮化钽、氮化钛、钨钛以及钨                 Q6RBZucv  
          2.器件表面图形的刻蚀 j*q]-$2E