干蚀刻RIE

RIE是干蚀刻的一种，这种蚀刻的原理是，当在平板电极之间施加10～100MHZ的高频电压（RF，radio frequency）时会产生数百微米厚的离子层（ion sheath），在其中放入试样，离子高速撞击试样而完成化学反应蚀刻，此即为RIE（Reactive Ion Etching）。 2<.Vv\ =  
   u-/3(dKt  
服务范围：半导体，材料化学等       k <}I<Or  
                                                                               VEo^ :o)r  
服务内容：1.用于对使用氟基化学的材料进行各向同性和各向异性蚀刻， ArdJ."  
其中包括碳、环氧树脂、石墨、铟、钼、氮氧化物、光阻剂、聚酰亚胺、 JE%i-UVH+;  
石英、硅、氧化物、氮化物、钽、氮化钽、氮化钛、钨钛以及钨                 y84XoDQ  
          2.器件表面图形的刻蚀 ?lG;,,jc,W