白话科普芯片漏电定位手段

芯片漏电是失效分析案例中最常见的，找到漏电位置是查明失效原因的前提，液晶漏电定位、EMMI（CCD\InGaAs）、激光诱导等手段是工程人员经常采用的手段。多年来，在中国半导体产业有个误区，认为激光诱导手段就是OBIRCH。今日小编为大家科普一下激光诱导（laser scan Microscope). *X{7m]5  
8a&c=9  
目前激光诱导功能在业内普遍被采用的有三种方法，这三种方法分别被申请了专#利（日本OBIRCH、美国TIVA、新加坡VBA）。国内大多数人认为只有OBIRCH才是激光诱导，其实TIVA和VBA和OBIRCH是同等的技术。三种技术都是利用激光扫描芯片表面的情况下，侦测出哪个位置的阻抗有较明显变化，这个位置就可能是漏电位置。侦测阻抗变化就是用电压和电流来反映，下面是三个技术原理： l~w^I|M^C  
4HR36=E6  
1、OBIRCH和TIVA 1X7GM65#  
>MSK.SNh  

图片:图片1.png

"}#%h&,  
如上图是一个器件的漏电回路，R1代表漏电点的阻抗，I1代表回路电流，V代表回路上的电压。 wy8Q=X:vP  
7qZC
+x6_L  
OBIRCH；给器件回路加上一个电压V，然后让激光在芯片表面进行扫描，同时监测回路电流I1的变化. 4<Nd5T  

4/k`gT4  
TIVA：给器件回路加上一个微小电流I1，然后让激光在芯片表面进行扫描，同时监测回路电压V的变化. +2}cR66%  
9bM kP2w>  
2、VBA技术 MBU|<tc  
KO%$  

图片:图片2.png

w-2#CX8jY  
Kh[l};/F  
如上图是一个器件的漏电回路，R1代表漏电点的阻抗，I1代表回路电流，V1代表回路上的电压，R2是串联在回路中的一个负载，V2是R2两端的电压。 K*{RGE  
[z ]P5  
VBA：给器件回路加上一个电压V1，然后让激光在芯片表面进行扫描，同时监测V2的变化(V2/R2=I1，其实也是监测I1的变化），这样大家可以看出来了，VBA其实就是OBIRCH，只是合理回避了NEC专#利。（原创 仪准科技 王福成 转载请写明出处）