介绍
bS7%%8C /# TtAkH 要
模拟的关键部件是来自参考文献[1]的线性锥形硅波导（160 nm至500 nm宽度变化超过100 um长度，250 nm高度），它埋在二氧化硅波导中（注意：使用的尺寸减小了（1.5 umx1.5 umx105 um），以便达到更快的模拟时间）
5d|hP4fEc 为了精确模拟线性锥形硅波导，锥形的网格尺寸应该要设置密度大一些，因此在这种情况下使用不均匀的网格。
`8M{13fv 光源在时域中设置为CW（λ= 1.55 um），在空间域上设置为高斯横向分布，并且位于二氧化硅波导的硅纸尖端。
Tg/?v3M88 注意：模拟时间应足够长，以确保稳态结果
I' [gGK4 F D6N 32q@ 
o@2Y 98~Q} ` "Lk@ [1] Jaime Cardenas, et al., “High Coupling Efficiency Etched Facet Tapers in Silicon Waveguides,” IEEE Phot. Tech. Lett. VOL. 26, NO. 23, 2380-2382 (2014)
h\-3Y U [2] Vilson R. Almeida, et al., "Nanotaper for compact mode conversion," Opt. Lett. 28, 1302-1304 (2003);
zpgRK4p,I" efN5(9* 9R 3D FDTD仿真
y8%QS* l\t g.O~ 要模拟的关键部件是来自参考文献[1]的线性锥形硅波导（160 nm至500 nm宽度变化超过100 um长度，250 nm高度），它埋在二氧化硅波导中（注意：使用的尺寸减小了（1.5 umx1.5 umx105 um），以便达到更快的模拟时间）
Ndmki
7A 为了精确模拟线性锥形硅波导，锥形的网格尺寸应该要设置密度大一些，因此在这种情况下使用不均匀的网格。
rUn1*KWbE 光源在时域中设置为CW（λ= 1.55 um），在空间域上设置为高斯横向分布，并且位于二氧化硅波导的硅纸尖端。
T$!Pkdh 注意：模拟时间应足够长，以确保稳态结果
H'a6]
]2 ?
R!Pf: t 
wNvq['P *{x8@|K8 
zt!)7HBo sU7fVke1 仿真结果
B }f d#dr kltorl H 
!:2_y'hA b]5/IT)@O 顶视图展示了锥形硅波导的有效
耦合。
#kQ1, P6,( =j^>sg] 底部视图显示了不同位置的模式转换（左：25 um，中间：65 um，右：103 um）
9s4>hw@u ,8@q2a/ 
yU|=)p5 T3bYj|rh= （来源：讯技
光电）
