介绍
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模拟的关键部件是来自参考文献[1]的线性锥形硅波导（160 nm至500 nm宽度变化超过100 um长度，250 nm高度），它埋在二氧化硅波导中（注意：使用的尺寸减小了（1.5 umx1.5 umx105 um），以便达到更快的模拟时间）
9C`Fd S 为了精确模拟线性锥形硅波导，锥形的网格尺寸应该要设置密度大一些，因此在这种情况下使用不均匀的网格。
7'; PI!$ 光源在时域中设置为CW（λ= 1.55 um），在空间域上设置为高斯横向分布，并且位于二氧化硅波导的硅纸尖端。
YK_a37E{F 注意：模拟时间应足够长，以确保稳态结果
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*6=[Hmygi $~U_VQIA^ [1] Jaime Cardenas, et al., “High Coupling Efficiency Etched Facet Tapers in Silicon Waveguides,” IEEE Phot. Tech. Lett. VOL. 26, NO. 23, 2380-2382 (2014)
c\-I+lMBi [2] Vilson R. Almeida, et al., "Nanotaper for compact mode conversion," Opt. Lett. 28, 1302-1304 (2003);
"X }!j>- <5q:mG88 3D FDTD仿真
("IRv>} 0 N?R1;|Z] 要模拟的关键部件是来自参考文献[1]的线性锥形硅波导（160 nm至500 nm宽度变化超过100 um长度，250 nm高度），它埋在二氧化硅波导中（注意：使用的尺寸减小了（1.5 umx1.5 umx105 um），以便达到更快的模拟时间）
( R Ttz 为了精确模拟线性锥形硅波导，锥形的网格尺寸应该要设置密度大一些，因此在这种情况下使用不均匀的网格。
P\w.:.2 光源在时域中设置为CW（λ= 1.55 um），在空间域上设置为高斯横向分布，并且位于二氧化硅波导的硅纸尖端。
iF<VbQP=X^ 注意：模拟时间应足够长，以确保稳态结果
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fMhMB |W. VNA VdP 仿真结果
uVIs5IZzIi =|am=Q?Q 
y%3Yr?] |'1[\<MM3 顶视图展示了锥形硅波导的有效
耦合。
xS*f{5Hr8 {3`9A7bG 底部视图显示了不同位置的模式转换（左：25 um，中间：65 um，右：103 um）
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8n1Sy7K!; HR)joD*q;[ （来源：讯技
光电）
