介绍
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模拟的关键部件是来自参考文献[1]的线性锥形硅波导（160 nm至500 nm宽度变化超过100 um长度，250 nm高度），它埋在二氧化硅波导中（注意：使用的尺寸减小了（1.5 umx1.5 umx105 um），以便达到更快的模拟时间）
$L uU 为了精确模拟线性锥形硅波导，锥形的网格尺寸应该要设置密度大一些，因此在这种情况下使用不均匀的网格。
$2*_7_Qb 光源在时域中设置为CW（λ= 1.55 um），在空间域上设置为高斯横向分布，并且位于二氧化硅波导的硅纸尖端。
:!t4.ko 注意：模拟时间应足够长，以确保稳态结果
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M _ _S) <L8FI78[* [1] Jaime Cardenas, et al., “High Coupling Efficiency Etched Facet Tapers in Silicon Waveguides,” IEEE Phot. Tech. Lett. VOL. 26, NO. 23, 2380-2382 (2014)
` "ks0@^U [2] Vilson R. Almeida, et al., "Nanotaper for compact mode conversion," Opt. Lett. 28, 1302-1304 (2003);
4KxuSI^q b/oNQQM#Dk 3D FDTD仿真
NL|c5y<r Pw]+6 要模拟的关键部件是来自参考文献[1]的线性锥形硅波导（160 nm至500 nm宽度变化超过100 um长度，250 nm高度），它埋在二氧化硅波导中（注意：使用的尺寸减小了（1.5 umx1.5 umx105 um），以便达到更快的模拟时间）
-J 6` 为了精确模拟线性锥形硅波导，锥形的网格尺寸应该要设置密度大一些，因此在这种情况下使用不均匀的网格。
a3M I+ 光源在时域中设置为CW（λ= 1.55 um），在空间域上设置为高斯横向分布，并且位于二氧化硅波导的硅纸尖端。
o8:9Y js 注意：模拟时间应足够长，以确保稳态结果
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sd+_NtH B+Qo {- 仿真结果
a"Iu!$&N E|-5=!]fX 
}U>K>"AZl v~AshmP 顶视图展示了锥形硅波导的有效
耦合。
f-i5tnh WQCnkP 底部视图显示了不同位置的模式转换（左：25 um，中间：65 um，右：103 um）
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( -q0!]E &.2% p （来源：讯技
光电）
