介绍
:LQYo '@yB P= BZ+6DS 要
模拟的关键部件是来自参考文献[1]的线性锥形硅波导（160 nm至500 nm宽度变化超过100 um长度，250 nm高度），它埋在二氧化硅波导中（注意：使用的尺寸减小了（1.5 umx1.5 umx105 um），以便达到更快的模拟时间）
@D[_}JE 为了精确模拟线性锥形硅波导，锥形的网格尺寸应该要设置密度大一些，因此在这种情况下使用不均匀的网格。
2QcO R4_V 光源在时域中设置为CW（λ= 1.55 um），在空间域上设置为高斯横向分布，并且位于二氧化硅波导的硅纸尖端。
5DU6rks% 注意：模拟时间应足够长，以确保稳态结果
#P9~}JB3, 1s& zMWC 
n+9=1Oo" R_cA:3q c~ [1] Jaime Cardenas, et al., “High Coupling Efficiency Etched Facet Tapers in Silicon Waveguides,” IEEE Phot. Tech. Lett. VOL. 26, NO. 23, 2380-2382 (2014)
tKuwpT 1Qc [2] Vilson R. Almeida, et al., "Nanotaper for compact mode conversion," Opt. Lett. 28, 1302-1304 (2003);
J1U/.`Oy )r?}P1J7 3D FDTD仿真
Dj?> <@ F{e@W([ 要模拟的关键部件是来自参考文献[1]的线性锥形硅波导（160 nm至500 nm宽度变化超过100 um长度，250 nm高度），它埋在二氧化硅波导中（注意：使用的尺寸减小了（1.5 umx1.5 umx105 um），以便达到更快的模拟时间）
3*XNV 为了精确模拟线性锥形硅波导，锥形的网格尺寸应该要设置密度大一些，因此在这种情况下使用不均匀的网格。
D /gw .XYL 光源在时域中设置为CW（λ= 1.55 um），在空间域上设置为高斯横向分布，并且位于二氧化硅波导的硅纸尖端。
m])y .T 注意：模拟时间应足够长，以确保稳态结果
net@j#}j- xIW3={b 3 
Z clQ P`+{@@ 
p`dU2gV Et_bH%0 仿真结果
Mj3A5;# 1-uxC^u?|# 
2jItq2.> K7B/s9/xs 顶视图展示了锥形硅波导的有效
耦合。
p4rL}J m& >2)OiQ`zg 底部视图显示了不同位置的模式转换（左：25 um，中间：65 um，右：103 um）
Xl{P8L )EuvRLo{S7 
eK =xrk n,(sBOQ （来源：讯技
光电）
