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  • 1.3μm波段InAs/GaAs量子点激光器性能研究

    作者:杨维凯\王海龙 来源:网络 时间:2018-07-14 15:30 阅读:6550 [投稿]
    利用气态源分子束外延技术在GaAs衬底上生长InAs量子点材料,研制出激射波长为1.3 μm波段由5层量子点组成的3 mm腔长、3 μm脊条宽度的InAs/GaAs量子点激光器。

    [3]Li S G,Gong Q,Cao C F,Wang X Z,et al.Measurements of I-V Characteristics in InAs/InP Quantum Dot Laser Diode.Journal of Modern Optics,2012,59(19):1695-1699.

    [4] 杨文华,王海龙,王兆翔等.基于QD-SOA波长转换特性的转换效率研究.光学学报,2017,37(04):16.

    [5] 王兆翔,王海龙,杨文华等.基于QD-SOA-MZI结构的全光逻辑的性能优化.通信技术,2016,49(06):782-787.

    [6] 高金金,严进一,柳庆博等.大范围连续调谐的InAs/InP(100)外腔量子点激光器.光电子激光,2016,27(09):903-907.

    [7] 赵旺鹏,王海龙,龚谦等.可调谐双波长半导体外腔激光器性能研究.光电子激光,2016,27(07):716-721.

    [8] YUE Li,GONG Qian,YAN Jin-yi,et al.High Intensity Single-Mode Peak Observed in the Lasering Spectrum of InAs/GaAs Quantum Dot Laser.Chin. Phys. Lett.,2012,30(02):024209.

    [9] Liu H Y,Wang T,Jiang Q,et al.Long-wavelength InAs/GaAs Quantum-dot Laser Diode Monolithically Grown on Ge Substrate.Nature Photonics,2011(05):416-419.

    [10]Li S G,GONG Q,Lao Y F,et al.Room Temperature Continuous Wave Operation of InAs/InP(100) Quantum Dot Lasers Grown by Gas-source Molecular-beam Epitaxy.Appl. Phys. Lett.,2008,93(11):2564.

    [11]YANG H D,GONG Q,Li S G,et al.InAs/GaAs Quantum Dot Lasers Grown by Gas-source Molecular-beam Epitaxy.Journal of Crystal Growth,2010,312(23):3451-3454.

    [12]龚谦,曹春芳,严进一等.室温连续工作Ge基InAs量子点激光器.第十二届全国硅基光电子材料及器件研讨会,2017.

    [13]YUE Li,GONG Qian,CAO Chun-fang,et al.High-performance InAs/GaAs Quantum Dot Laser with Dot Lasers Grown at 425℃.Chinese Optics Letters.,2013,11(06):39-42.

    [14]Ma CH,Wang H L,Zhou Y,et al.The I-V Characteristics ofInAs/GaAsQD Laser.Physica B (Amsterdam,Neth.),2011(406):3636-3639. 

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