1.3μm波段InAs/GaAs量子点激光器性能研究

量子点激光器的激射波长是由有源区量子点的能级决定的，而能级又与它的生长尺寸相关。尺寸的不均匀，会导致器件能够激射的波长范围很宽。

改变激光器的注入电流大小，实际上是改变器件内部载流子的填充效应。也就是说，随着外加电流的持续注入，载流子浓度升高，基态强度饱和，使得载流子逐渐向更高能级填充，出现高能激发态激射。图2为20 ℃时，InAs/GaAs量子点激光器光谱随注入电流变化的变化情况。 

通过增大注入电流，电流变化范围为100～300 mA，实现了器件光谱的电流调谐，调谐范围为10～15 nm，平均调谐速度为0.5 nm/mA。激射谱开始展宽、蓝移且光强度逐渐变大。

在温度调谐过程中，利用填充介质的禁带宽度与温度的关系实现激射波长的调谐，调谐范围与有源层内的介质种类有关。实验中，在CW模式下，电流设定为200 mA。通过提高工作温度，变化范围为18～40 ℃，实现了器件光谱的温度调谐，如图3所示。 

随着工作温度上升，器件激射光谱逐渐往长波方向移动，发生红移现象，平均调谐速度为0.59 nm/℃，调谐范围为15～20 nm。同时，激光器的损耗增加，量子效率降低，净增益减小，激射谱光强度逐渐减弱。

2.2功率输出特性

在CW模式下，温度为20 ℃，脊条宽度为3.0 μm，腔长为3.0 mm的InAs/GaAs激光器I-P、I-V曲线，如图4所示。在阈值电流下，激光器输出功率斜效率为115 mW/A，输出功率达到30 mW。