高效蓝光LED成就了高亮节能白光光源
发光二极管是基于半导体元件的窄带光源,发光波长范围从红外到紫外。第一个LEDs的研发于1950s和1960s年代就在几个实验室进行,发光波长为红外到绿光不等。但是,蓝光LEDs的研发却非常艰难,又用了30多年才实现。
三、新的生长技术 1970s年代,涌现出MBE(Molecular Beam Epitaxy,分子束外延)[23]和MOVPE(Metalorganic Vapour Phase Epitaxy,金属有机气相外延)这样新的晶体生长技术 [24]。研究者开始用这些技术生长GaN [25]。早在1974年,Isamu Akasaki开始研究GaN,当时他任职于东京的Matsushita Research研究所。1981年,他开始担任名古屋大学的教授,并与Hiroshi Amano等一起继续GaN的研究。直到1986年,他们用MOVPE技术才获得了晶体质量高、光学特性好的GaN [26]。取得这一突破的背后是长期系列的实验和观察的积累。薄层(30 nm)多晶AlN先在蓝宝石衬底上低温(500 °C)行核,然后被加热到GaN的生长温度(1000 °C)。加热过程中,AlN层演化为具有细晶粒和择优取向(也是GaN后续生长方向)的组织结构。生长的GaN晶体中,位错密度开始高,但随厚度达到几微米后迅速降低。实现GaN的高表面质量,对LED器件制备后续步骤中的薄多层结构的生长非常重要。终于,他们首次得到了高质量的器件级GaN(如图2a所示)!另外,他们也能生长n型掺杂本底浓度很低的GaN晶体。任职于日亚化学公司(Nichia Chemical Corporation,当时是日本的一家小型化学公司)的Shuji Nakamura后来也开发出一种类似的技术,即用低温生长的薄层GaN替换AlN [28]。 图2. a) 蓝宝石衬底上AlN缓冲层法生长GaN [27]。b) Mg掺杂GaN的电阻率随退火温度的变化曲线 [32]。 四、GaN的掺杂 制备GaN的p-n结的一个主要问题是难于可控地实现GaN的p型掺杂。1980s末期,Amano、Akasaki等取得了一项重要发现:他们注意到用扫描电镜观测Zn掺杂的GaN(Zn-doped GaN)时,发光量得以增加[29],表明此时p型掺杂效果更好!同样,Mg掺杂的GaN(Mg-doped GaN)经低能电子辐照后,p型掺杂效果也有提升[30]。这一重要突破扫清了GaN的p-n结研究的障碍!!! Nakamura等 [31]在几年后解释了电子辐照效应的机理:Mg或Zn等受体掺杂原子与H形成配合物而被钝化,而电子束的则能解离这些配合物,从而活化了被钝化的掺杂原子。Nakamura发现即便简单的热处理(退火)也能有效活化Mg受体掺杂!H中和掺杂原子的效应在此前的文献中也有报道(对其它材料体系),如Pankove [32]、G. F. Neumark Rothschild [33]及其他研究者。 制备高效蓝光LEDs的关键一步是合金(AlGaN和InGaN体系)的生长和p型掺杂,这些是制备异质结所必需的条件。1990s初期, Akasaki研究组和Nakamura研究组 [34, 35]成功制备出了此类异质结。 |
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