相关色温8000-4000K的白光LED的发射光谱和色品质特性

该白光LED的色品坐标X=0.3146，Y=0.3360，它们落在CIE标准色度图6400K标准色温的色容差图的最内圈，其色容差1.9，很满意，显色指数Ra为82，完全符合照明光源的要求。
2.3 5000K的白光LED
色温5118K的白光LED的发射光谱（如图3所示），它属于标准色温为5000K的中性白光。光谱性质和上述相同，只是光谱中的黄成份的比例增加。该白光LED的色品坐标X=0.3422，Y=0.3543，其色容差在5000K标准色温的色域中为2.1，很满意，Ra=81。完全符合照明光源的光色参数要求。若要提高显色指数Ra，需要增加光谱中的红成份，可能牺牲光效。此外，在IF=20mA下，白光LED的光转换倍数高达4.9倍。这里所说的光转换倍数（B）定义是在某一正向电流IF和不同的色温下，是不同的。
2.4 4000K的白光LED
迄今有关符合照明光源标准要求的4000K白光LED光谱和色品质的报告很少。这是因为仅用稀土YAG：Ce体系黄色荧光体难以制作合乎要求的Tc≤4000K的白光LED，显色指数低，色品质差。为此，需要加入适量的红色荧光体，补足光谱中红成份。图4为我们开发4019K白光LED的发射光谱，它属于标准的色温为4000K的冷白色。光谱中黄和橙成份增加，相对光谱中蓝成份的比例进一步下降。该白光LED的色品坐标X=0.3810，Y=0.3815，在标准4000K色温的色容差的最内圈中，其色容差为0.6，显色指数Ra=82。色品质甚佳，完全符合照明光的严格要求。
3.白光LED的性质与IF的关系
3.1 色品坐标
光源的色品坐标是一个重要参数。图5给出5000K白光LED在不同正向电流IF驱动下的色品坐标X和Y值的变化曲线。这条曲线给绘在标准6400K色温的色容差图中，具有直观动态感。其中纵坐标为Y值，横坐标为X值，而上横坐标为IF（mA）。显然，随IF增加，色品坐标X和Y值逐渐偏离，到IF=70，80mA时，偏离非常严重。
3.2 相关色温
由上述色品坐标X和Y值随IF的变化，指明发生色漂移，这必然在相关色温中也呈现反映。图6表示白光LED在不同IF工作下的相关色温变化规律。显然，随着IF增加，相关色温Tc（K）逐渐增加，由日光色变为蓝白色。这是因为随正向电流IF的增加，白光LED的发射光谱，特别是InGaN LED蓝芯片的发射光谱发生很大变化，导致白光的发光颜色、色品质等性能改变。
3.3 白光LED的光通和光效
制作的白光LED的光通（Φ）和光效（η）随施加的正向电流IF的变化曲线（如图7所示）。光通呈亚线性增加，趋向饱和，而光效逐渐下降。白光LED的光效下降与Taguchi等人的结果是一致的。白光LED的光通和光效的这种变化，在不同色温的白光LED中是一致的。对这种小功率白光LED来说，既要照顾光通量，又要考虑光效，故一般选择在IF=20mA下工作。
早期Nakamura等人已指出，InGaN/AlGaN DH蓝光LED的光输出功率随IF增加呈亚线性增加。我们认为，引起白光效随IF增加逐渐降低的因素是多方面的。首先，蓝光InGaN芯片的发光效率随IF增加而逐渐降低的因素是多方面的。首先，蓝光InGaN芯片的发光效率随IF增加而逐渐下降；第二，随着IF增加，P-N结温快速升高，结温和环境温度上升，对半导体蓝光芯片和荧光粉的发光将产生严重的温度猝灭；第三，由于在白光LED中发生蓝光→黄光光转换过程，产生光吸收的辐射传递，不仅使白光光谱中的蓝芯片的EL的发射光谱形状和发射峰发生变化，而且蓝光效率下降在荧光体的光效下降和光衰程度似乎比InGaN蓝芯片更快。实际上是荧光体的发光效率受蓝芯片下降的“诛连”和强烈的制约。
4.结束语
综上所述，采用蓝光LED芯片和荧光体有机结合是可以成功地开发出8000-4000K不同色温段，显色指数高，色品质优良，符合照明光源CIE严格标准要求的白光LED。制作的白光LED的色容差可以达到很小。8000K、6400K、5000K和4000K四种色温的白光LED的发射光谱、色品坐标、显色性等光色特性与工作条件密切相关。随着白光LED的正向电流增加，色品坐标X和Y值逐渐减小，而相关色温逐步增大，致使色漂移；而光通量呈亚线性增加，光效却逐渐下降。由于在白光LED中发生光转换过程，产生光吸收的辐射传递，致使白光中InGaN芯片的蓝色EL光谱的形状和发射峰发生变化。白光LED的上述特性与InGaN蓝光LED芯片性能密切相关，在很大程度上受其制约。