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半导体激光器的设计和工艺 Khj=llo,  
黄永箴 WJAYM2 6\  
中国科学院半导体所，光电子研发中心 Fqo&3+J4  
集成光电子国家重点实验室 d4
J<,  
zHV|-R  
一. 半导体激光器的基本结构 |ixGY^3;  
1.半导体双异质结构 t~ -J %$  
2.Fabry-Perot谐振腔(纵模) f4 Q( 1(C  
3. 侧模控制(基侧模) ^PC\E}  
4.横模控制 7gm:ZS   
5. 动态单模半导体激光器 h`lmC]X_  
6. 波长可调谐半导体激光器 wk@yTTnb  
7.长波长VCSEL的进展 3q
"7K  
8.微腔激光器和光子晶体 l]$40 j  
9.半导体激光器材料的选择 }C_
|gd  
?ZaD=nh$mK  
二.半导体光波导 {EL'd!v7e  
1. 平板波导的模式，TE和TM模 %]#VdS|N
  
2. 光限制因子和模式增益 p'80d:  
3. 一维多层波导结构(VCSEL)光场分布 <PioQ>~  
4. 半导体激光器镜面反射系数 !_dR'  
5. DFB激光器的藕合模理论 ]%Y\ZIS  
6. DFB半导体激光器的一维模拟 9\>sDSCx  
7. 等效折射率近似 !y%+GwoW  
8. 数值模拟 x<@kjfm5  
gH'_ymT= 3  
三.半导体中的光跃迁和增益 8)Zk24:])_  
1. 费米分布函数及跃迁速率 XCm\z9F  
2. 电子波函数及跃迁矩阵元 H*rx{F?  
3.简约态密度及增益谱 y@
`~9$  
4.模式的自发辐射速率 q3)wr%!k5D  
5.应变量子阱的能带和增益谱数值结果 LEK/mCL  
6.能带，跃迁矩阵元和增益谱数值结果 Af9+HI O  
7.增益谱峰值的近似表达式 H} 6CKP}  
Oqmg;\pm  
四. 速率方程和动态效应 zP&q7 t;>  
1．单模速率方程及基本物理量 ib]vX-  
2．稳态输出 (z2Z)_6L*L  
3. 共振频率和3dB带宽 MRs,l'  
4. 载流子输运效应对带宽影响 thptm  
5. 开启延迟时间 5oJ Dux }  
6. 线宽增宽因子和动态频率啁啾 8R}K?+]  
7. 自发辐射引起的噪声 D%U:!|G  
8. 相对强度噪声 &6/%kkv  
9. 模式线宽 4V$fGjJ3  
10. 多模速率方程 .=XD)>$  
LN^UC$[tk  
五.半导体激光器的基本工艺和特性 m?;$;x~Dj  
1.半导体激光器的工艺过程2.激光器微分特性
E/mw* c^  
3.激光器寿命 DbtF~`3, .  
4.激光器阈值电流的温度特性 8*s7m   
N_G4_12(  
原来重复了，大家去：http://www.opticsky.cn/read-htm-tid-8472.html下载。